āļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļŦāļāļļāļ xLight āļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ EUV āļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđ
āļāļĢāļ°āļāļĢāļ§āļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļĨāļāļāļēāļĄāđāļ Letter of Intent (LOI) āđāļāļ·āđāļāļŠāļāļąāļāļŠāļāļļāļāđāļāļīāļāļāļļāļ 150 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāđāļāđāļāļĢāļīāļĐāļąāļ xLight āļāļĩāđāļāļąāđāļāļāļĒāļđāđāđāļ Albany Nanotech Complex āđāļāļĒāļĄāļĩāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļŠāļĢāđāļēāļāļĢāļ°āļāļ FEL-based EUV light source āļāļķāđāļāļāļ°āļāđāļ§āļĒāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āđāļĨāļ°āļĨāļāļāļēāļĢāļāļķāđāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ Free-Electron Laser (FEL)
āļāđāļēāļāļāļēāļāđāļŦāļĨāđāļāļāļģāđāļāļīāļāđāļŠāļ EUV āđāļāļ Laser-Produced Plasma (LPP) āļāļĩāđāđāļāđāđāļĨāđāļāļāļĢāđ COâ āļĒāļīāļāđāļāļĒāļąāļāļāļĩāļāļļāļāđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĨāļēāļŠāļĄāļē FEL āđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļāđāļĢāđāļāļāļāļļāļ āļēāļāđāļāļ·āđāļāđāļĢāđāļāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļ āđāļĨāđāļ§āļŠāđāļāļāđāļēāļ “undulators” āļāļĩāđāļŠāļĢāđāļēāļāļŠāļāļēāļĄāđāļĄāđāđāļŦāļĨāđāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ° āļāļģāđāļŦāđāđāļāļīāļāđāļŠāļ EUV āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļāđāļĄāļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļāļāļĩāđāđāļĄāđāļāļĒāļģāļāļ§āđāļē āļāđāļāļāļĩāļāļ·āļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāđāļāđāļŠāļāđāļāļĒāļąāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđ ASML āđāļāđāđāļāļĒāļāļĢāļ āđāļĨāļ°āļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļēāļāļŦāļĨāļēāļĒāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļāļĢāđāļāļĄāļāļąāļ
āļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāđāļāļīāļāļĒāļļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāđ
āļŦāļēāļ xLight āļāļĢāļ°āļŠāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļ āļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļāļ°āļĄāļĩāļāļāļāļēāļāļŠāļģāļāļąāļāđāļāļŦāđāļ§āļāđāļāđāļāļļāļāļāļēāļāļāļāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļ EUV lithography āļāļķāđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļāļāļđāļāļāļĢāļāļāđāļāļĒ ASML āļāļēāļāđāļāđāļāļāļĢāđāđāļĨāļāļāđ āļāļēāļĢāļāļąāļāļāļē FEL āļāļēāļāļāđāļ§āļĒāđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļ āļĨāļāļāđāļāļāļļāļ āđāļĨāļ°āļŠāļĢāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļĄāļąāđāļāļāļāļāļēāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
āļāļ§āļēāļĄāļāđāļēāļāļēāļĒāļāļĩāđāļĒāļąāļāļāđāļāļāļāļīāļŠāļđāļāļāđ
āđāļĄāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ FEL āļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāļŠāļđāļ āđāļāđāļĒāļąāļāļāđāļāļāļāļīāļŠāļđāļāļāđāļ§āđāļēāđāļāđāļāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđ āđāļāļ·āđāļāļāļāļēāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđ EUV āļĄāļĩāļĢāļēāļāļēāļŠāļđāļāļāļķāļ 200–400 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāļāđāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāļāļĩāđāļĄāļĩāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāļ§āđāļāļ·āđāļāļāļāļĨāļāļāđāļāđāļāļēāļ āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđ āļāļēāļāļŠāđāļ§āļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĨāļąāļ āļāļģāđāļŦāđāļāļēāļĢāļŠāđāļāļāļāļāđāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻāļĄāļĩāļāđāļāļāļģāļāļąāļ
āļŠāļĢāļļāļāļŠāļēāļĢāļ°āļŠāļģāļāļąāļ
āļĢāļąāļāļāļēāļĨāļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļŠāļāļąāļāļŠāļāļļāļ xLight āļāđāļ§āļĒāđāļāļīāļ 150 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđ
āļĨāļāļāļēāļĄ LOI āļ āļēāļĒāđāļāđ CHIPS and Science Act
xLight āļāļąāļāļāļē FEL-based EUV light source
āđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļāđāļĢāđāļāļāļāļļāļ āļēāļāđāļāļāđāļĨāđāļāļāļĢāđāļāļĨāļēāļŠāļĄāļē
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļŦāļĄāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāđāļāđāļŠāļāđāļāļĒāļąāļāļŦāļĨāļēāļĒāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđāđāļāđ
āđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļĨāļ°āļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ FEL āļĒāļąāļāđāļĄāđāļāļīāļŠāļđāļāļāđāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļĢāļīāļ
āļāđāļāļāđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļ EUV āļĄāļđāļĨāļāđāļēāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāđāļāļĒāļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāđāļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļ
āļāļēāļāļŠāđāļ§āļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĨāļąāļ
āļāļēāļāļāļģāļāļąāļāļāļēāļĢāļŠāđāļāļāļāļāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāđāļāđāļāļēāļāđāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/u-s-government-awards-gelsinger-backed-euv-developer-xlight-with-usd150-million-in-federal-incentives-company-to-develop-new-electron-based-light-source-for-lithography-tools
āļāļĢāļ°āļāļĢāļ§āļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļĨāļāļāļēāļĄāđāļ Letter of Intent (LOI) āđāļāļ·āđāļāļŠāļāļąāļāļŠāļāļļāļāđāļāļīāļāļāļļāļ 150 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāđāļāđāļāļĢāļīāļĐāļąāļ xLight āļāļĩāđāļāļąāđāļāļāļĒāļđāđāđāļ Albany Nanotech Complex āđāļāļĒāļĄāļĩāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļŠāļĢāđāļēāļāļĢāļ°āļāļ FEL-based EUV light source āļāļķāđāļāļāļ°āļāđāļ§āļĒāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āđāļĨāļ°āļĨāļāļāļēāļĢāļāļķāđāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ Free-Electron Laser (FEL)
āļāđāļēāļāļāļēāļāđāļŦāļĨāđāļāļāļģāđāļāļīāļāđāļŠāļ EUV āđāļāļ Laser-Produced Plasma (LPP) āļāļĩāđāđāļāđāđāļĨāđāļāļāļĢāđ COâ āļĒāļīāļāđāļāļĒāļąāļāļāļĩāļāļļāļāđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĨāļēāļŠāļĄāļē FEL āđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļāđāļĢāđāļāļāļāļļāļ āļēāļāđāļāļ·āđāļāđāļĢāđāļāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļ āđāļĨāđāļ§āļŠāđāļāļāđāļēāļ “undulators” āļāļĩāđāļŠāļĢāđāļēāļāļŠāļāļēāļĄāđāļĄāđāđāļŦāļĨāđāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ° āļāļģāđāļŦāđāđāļāļīāļāđāļŠāļ EUV āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļāđāļĄāļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļāļāļĩāđāđāļĄāđāļāļĒāļģāļāļ§āđāļē āļāđāļāļāļĩāļāļ·āļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāđāļāđāļŠāļāđāļāļĒāļąāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđ ASML āđāļāđāđāļāļĒāļāļĢāļ āđāļĨāļ°āļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļēāļāļŦāļĨāļēāļĒāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļāļĢāđāļāļĄāļāļąāļ
āļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāđāļāļīāļāļĒāļļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāđ
āļŦāļēāļ xLight āļāļĢāļ°āļŠāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļ āļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļāļ°āļĄāļĩāļāļāļāļēāļāļŠāļģāļāļąāļāđāļāļŦāđāļ§āļāđāļāđāļāļļāļāļāļēāļāļāļāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļ EUV lithography āļāļķāđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļāļāļđāļāļāļĢāļāļāđāļāļĒ ASML āļāļēāļāđāļāđāļāļāļĢāđāđāļĨāļāļāđ āļāļēāļĢāļāļąāļāļāļē FEL āļāļēāļāļāđāļ§āļĒāđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļ āļĨāļāļāđāļāļāļļāļ āđāļĨāļ°āļŠāļĢāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļĄāļąāđāļāļāļāļāļēāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
āļāļ§āļēāļĄāļāđāļēāļāļēāļĒāļāļĩāđāļĒāļąāļāļāđāļāļāļāļīāļŠāļđāļāļāđ
āđāļĄāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ FEL āļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāļŠāļđāļ āđāļāđāļĒāļąāļāļāđāļāļāļāļīāļŠāļđāļāļāđāļ§āđāļēāđāļāđāļāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđ āđāļāļ·āđāļāļāļāļēāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđ EUV āļĄāļĩāļĢāļēāļāļēāļŠāļđāļāļāļķāļ 200–400 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāļāđāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāļāļĩāđāļĄāļĩāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāļ§āđāļāļ·āđāļāļāļāļĨāļāļāđāļāđāļāļēāļ āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđ āļāļēāļāļŠāđāļ§āļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĨāļąāļ āļāļģāđāļŦāđāļāļēāļĢāļŠāđāļāļāļāļāđāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻāļĄāļĩāļāđāļāļāļģāļāļąāļ
āļŠāļĢāļļāļāļŠāļēāļĢāļ°āļŠāļģāļāļąāļ
āļĢāļąāļāļāļēāļĨāļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļŠāļāļąāļāļŠāļāļļāļ xLight āļāđāļ§āļĒāđāļāļīāļ 150 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđ
āļĨāļāļāļēāļĄ LOI āļ āļēāļĒāđāļāđ CHIPS and Science Act
xLight āļāļąāļāļāļē FEL-based EUV light source
āđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļāđāļĢāđāļāļāļāļļāļ āļēāļāđāļāļāđāļĨāđāļāļāļĢāđāļāļĨāļēāļŠāļĄāļē
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļŦāļĄāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāđāļāđāļŠāļāđāļāļĒāļąāļāļŦāļĨāļēāļĒāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđāđāļāđ
āđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļĨāļ°āļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ FEL āļĒāļąāļāđāļĄāđāļāļīāļŠāļđāļāļāđāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļĢāļīāļ
āļāđāļāļāđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļ EUV āļĄāļđāļĨāļāđāļēāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāđāļāļĒāļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāđāļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļ
āļāļēāļāļŠāđāļ§āļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĨāļąāļ
āļāļēāļāļāļģāļāļąāļāļāļēāļĢāļŠāđāļāļāļāļāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāđāļāđāļāļēāļāđāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/u-s-government-awards-gelsinger-backed-euv-developer-xlight-with-usd150-million-in-federal-incentives-company-to-develop-new-electron-based-light-source-for-lithography-tools
ðĄ āļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļŦāļāļļāļ xLight āļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ EUV āļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđ
āļāļĢāļ°āļāļĢāļ§āļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļĨāļāļāļēāļĄāđāļ Letter of Intent (LOI) āđāļāļ·āđāļāļŠāļāļąāļāļŠāļāļļāļāđāļāļīāļāļāļļāļ 150 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāđāļāđāļāļĢāļīāļĐāļąāļ xLight āļāļĩāđāļāļąāđāļāļāļĒāļđāđāđāļ Albany Nanotech Complex āđāļāļĒāļĄāļĩāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļŠāļĢāđāļēāļāļĢāļ°āļāļ FEL-based EUV light source āļāļķāđāļāļāļ°āļāđāļ§āļĒāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āđāļĨāļ°āļĨāļāļāļēāļĢāļāļķāđāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
âïļ āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ Free-Electron Laser (FEL)
āļāđāļēāļāļāļēāļāđāļŦāļĨāđāļāļāļģāđāļāļīāļāđāļŠāļ EUV āđāļāļ Laser-Produced Plasma (LPP) āļāļĩāđāđāļāđāđāļĨāđāļāļāļĢāđ COâ āļĒāļīāļāđāļāļĒāļąāļāļāļĩāļāļļāļāđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĨāļēāļŠāļĄāļē FEL āđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļāđāļĢāđāļāļāļāļļāļ āļēāļāđāļāļ·āđāļāđāļĢāđāļāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļ āđāļĨāđāļ§āļŠāđāļāļāđāļēāļ “undulators” āļāļĩāđāļŠāļĢāđāļēāļāļŠāļāļēāļĄāđāļĄāđāđāļŦāļĨāđāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ° āļāļģāđāļŦāđāđāļāļīāļāđāļŠāļ EUV āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļāđāļĄāļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļāļāļĩāđāđāļĄāđāļāļĒāļģāļāļ§āđāļē āļāđāļāļāļĩāļāļ·āļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāđāļāđāļŠāļāđāļāļĒāļąāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđ ASML āđāļāđāđāļāļĒāļāļĢāļ āđāļĨāļ°āļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļēāļāļŦāļĨāļēāļĒāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļāļĢāđāļāļĄāļāļąāļ
ð āļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāđāļāļīāļāļĒāļļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāđ
āļŦāļēāļ xLight āļāļĢāļ°āļŠāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļ āļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļāļ°āļĄāļĩāļāļāļāļēāļāļŠāļģāļāļąāļāđāļāļŦāđāļ§āļāđāļāđāļāļļāļāļāļēāļāļāļāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļ EUV lithography āļāļķāđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļāļāļđāļāļāļĢāļāļāđāļāļĒ ASML āļāļēāļāđāļāđāļāļāļĢāđāđāļĨāļāļāđ āļāļēāļĢāļāļąāļāļāļē FEL āļāļēāļāļāđāļ§āļĒāđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļ āļĨāļāļāđāļāļāļļāļ āđāļĨāļ°āļŠāļĢāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļĄāļąāđāļāļāļāļāļēāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
ð āļāļ§āļēāļĄāļāđāļēāļāļēāļĒāļāļĩāđāļĒāļąāļāļāđāļāļāļāļīāļŠāļđāļāļāđ
āđāļĄāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ FEL āļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāļŠāļđāļ āđāļāđāļĒāļąāļāļāđāļāļāļāļīāļŠāļđāļāļāđāļ§āđāļēāđāļāđāļāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđ āđāļāļ·āđāļāļāļāļēāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđ EUV āļĄāļĩāļĢāļēāļāļēāļŠāļđāļāļāļķāļ 200–400 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāļāđāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāļāļĩāđāļĄāļĩāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāļ§āđāļāļ·āđāļāļāļāļĨāļāļāđāļāđāļāļēāļ āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđ āļāļēāļāļŠāđāļ§āļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĨāļąāļ āļāļģāđāļŦāđāļāļēāļĢāļŠāđāļāļāļāļāđāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻāļĄāļĩāļāđāļāļāļģāļāļąāļ
ð āļŠāļĢāļļāļāļŠāļēāļĢāļ°āļŠāļģāļāļąāļ
â
āļĢāļąāļāļāļēāļĨāļŠāļŦāļĢāļąāļāļŊ āļŠāļāļąāļāļŠāļāļļāļ xLight āļāđāļ§āļĒāđāļāļīāļ 150 āļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđ
âĄïļ āļĨāļāļāļēāļĄ LOI āļ āļēāļĒāđāļāđ CHIPS and Science Act
â
xLight āļāļąāļāļāļē FEL-based EUV light source
âĄïļ āđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļāđāļĢāđāļāļāļāļļāļ āļēāļāđāļāļāđāļĨāđāļāļāļĢāđāļāļĨāļēāļŠāļĄāļē
â
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļŦāļĄāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāđāļāđāļŠāļāđāļāļĒāļąāļāļŦāļĨāļēāļĒāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļŠāđāļāļāđāļāļāļĢāđāđāļāđ
âĄïļ āđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļĨāļ°āļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļ
âžïļ āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ FEL āļĒāļąāļāđāļĄāđāļāļīāļŠāļđāļāļāđāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļĢāļīāļ
â āļāđāļāļāđāļāđāđāļāļĢāļ·āđāļāļ EUV āļĄāļđāļĨāļāđāļēāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāđāļāļĒāļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđāđāļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļ
âžïļ āļāļēāļāļŠāđāļ§āļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĨāļąāļ
â āļāļēāļāļāļģāļāļąāļāļāļēāļĢāļŠāđāļāļāļāļāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāđāļāđāļāļēāļāđāļāļāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļāļĻ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/u-s-government-awards-gelsinger-backed-euv-developer-xlight-with-usd150-million-in-federal-incentives-company-to-develop-new-electron-based-light-source-for-lithography-tools
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