💡 สหรัฐฯ หนุน xLight พัฒนาเทคโนโลยี EUV รุ่นใหม่ กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ลงนามใน Letter of Intent (LOI) เพื่อสนับสนุนเงินทุน 150 ล้านดอลลาร์แก่บริษัท xLight ที่ตั้งอยู่ใน Albany Nanotech Complex โดยมีเป้าหมายสร้างระบบ FEL-based EUV light source ซึ่งจะช่วยยกระดับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ และลดการพึ่งพาเทคโนโลยีจากต่างประเทศ ⚙️ เทคโนโลยี Free-Electron Laser (FEL) ต่างจากแหล่งกำเนิดแสง EUV แบบ Laser-Produced Plasma (LPP) ที่ใช้เลเซอร์ CO₂ ยิงไปยังดีบุกเพื่อสร้างพลาสมา FEL ใช้เครื่องเร่งอนุภาคเพื่อเร่งอิเล็กตรอน แล้วส่งผ่าน “undulators” ที่สร้างสนามแม่เหล็กเป็นระยะ ทำให้เกิดแสง EUV ที่มีความเข้มสูงและความยาวคลื่นที่แม่นยำกว่า ข้อดีคือสามารถส่งแสงไปยังเครื่องสแกนเนอร์ ASML ได้โดยตรง และรองรับการใช้งานหลายเครื่องพร้อมกัน 🌍 ผลกระทบเชิงยุทธศาสตร์ หาก xLight ประสบความสำเร็จ สหรัฐฯ จะมีบทบาทสำคัญในห่วงโซ่อุปทานของเครื่อง EUV lithography ซึ่งปัจจุบันถูกครองโดย ASML จากเนเธอร์แลนด์ การพัฒนา FEL อาจช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตชิป ลดต้นทุน และสร้างความมั่นคงทางเทคโนโลยีในประเทศ 📊 ความท้าทายที่ยังต้องพิสูจน์ แม้เทคโนโลยี FEL มีศักยภาพสูง แต่ยังต้องพิสูจน์ว่าใช้งานได้จริงในระดับการผลิตเชิงพาณิชย์ เนื่องจากเครื่องสแกนเนอร์ EUV มีราคาสูงถึง 200–400 ล้านดอลลาร์ต่อเครื่อง และการทดสอบต้องใช้พันธมิตรที่มีเครื่องหลายตัวเพื่อทดลองใช้งาน นอกจากนี้ บางส่วนของเทคโนโลยีอาจถูกจัดเป็นข้อมูลลับ ทำให้การส่งออกไปต่างประเทศมีข้อจำกัด 📌 สรุปสาระสำคัญ ✅ รัฐบาลสหรัฐฯ สนับสนุน xLight ด้วยเงิน 150 ล้านดอลลาร์ ➡️ ลงนาม LOI ภายใต้ CHIPS and Science Act ✅ xLight พัฒนา FEL-based EUV light source ➡️ ใช้เครื่องเร่งอนุภาคแทนเลเซอร์พลาสมา ✅ เทคโนโลยีใหม่สามารถส่งแสงไปยังหลายเครื่องสแกนเนอร์ได้ ➡️ เพิ่มประสิทธิภาพและลดต้นทุนการผลิตชิป ‼️ เทคโนโลยี FEL ยังไม่พิสูจน์ในระดับการผลิตจริง ⛔ ต้องใช้เครื่อง EUV มูลค่าหลายร้อยล้านดอลลาร์ในการทดสอบ ‼️ บางส่วนของเทคโนโลยีอาจถูกจัดเป็นข้อมูลลับ ⛔ อาจจำกัดการส่งออกและการใช้งานในต่างประเทศ https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/u-s-government-awards-gelsinger-backed-euv-developer-xlight-with-usd150-million-in-federal-incentives-company-to-develop-new-electron-based-light-source-for-lithography-tools