ในโลกของพลังงานและ AI ที่ทุกวินาทีต้องการประสิทธิภาพสูง การใช้ “ซิลิคอน” อาจไม่พออีกต่อไปแล้วครับ → บริษัทอย่าง Infineon จึงหันมาโฟกัสที่ GaN (Gallium Nitride) ซึ่งเด่นเรื่อง
- เปิด–ปิดสัญญาณไฟเร็วกว่า
- รองรับแรงดันสูง–ความร้อนสูง
- มีความหนาแน่นพลังงานสูงกว่า Si หลายเท่า → ใช้งานได้ดีใน AI Data Center, ยานยนต์ EV, อุตสาหกรรมควบคุมมอเตอร์
ล่าสุด Infineon พัฒนาไลน์ผลิตเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม. (จากเดิม 200 มม.) ซึ่ง → ทำให้ได้จำนวนชิปต่อแผ่นมากขึ้น 2.3 เท่า → ต้นทุนเฉลี่ยต่อชิปลดลง → พร้อมส่งตัวอย่างให้ลูกค้าทดสอบใน Q4 ปี 2025
ที่น่าตื่นเต้นยิ่งกว่าคือ TSMC กลับตัดสินใจ “เลิกเล่นเกม GaN” โดยจะปิดสายผลิตและรื้อโรงงานออกใน 2 ปีข้างหน้า → เป็นโอกาสทองให้ Infineon กลายเป็นเจ้าใหญ่ในตลาดนี้
Infineon จะเริ่มผลิต GaN บนเวเฟอร์ขนาด 300 มม. เป็นรายแรกของโลก
• ส่งผลให้ได้ yield สูงขึ้น 2.3 เท่า เทียบกับแบบ 200 มม.
• พร้อมเริ่มส่งตัวอย่างให้ลูกค้าในไตรมาส 4 ปี 2025
ใช้โครงสร้าง IDM (Integrated Device Manufacturer)
• ควบคุมทุกขั้นตอน: ตั้งแต่ fab ไปจนถึงสินค้า
• ลดต้นทุน–เร่งเวลาไปตลาด
• ทำให้ GaN มีต้นทุนใกล้เคียงกับซิลิคอนแบบเดิม
ตลาด GaN คาดจะเติบโต 36% ต่อปี และมีมูลค่า $2.5B ภายในปี 2030
• ข้อมูลจาก Yole Group
• ผลักดันจากความต้องการใน AI, EV, ระบบพลังงานขั้นสูง
TSMC เตรียมถอนตัวจากตลาด GaN ใน 2 ปีข้างหน้า
• ชี้ชัดว่าบริษัทจะโฟกัสที่โปรเซสเซอร์ margin สูง
• เปิดพื้นที่ให้ Infineon และผู้เล่นเฉพาะทางยึดตลาด power semiconductor
แอปพลิเคชันเป้าหมายของ Infineon รวมถึง:
• แหล่งจ่ายไฟของระบบ AI
• เครื่องชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
• ระบบควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม
https://www.techpowerup.com/338633/infineon-to-start-300-mm-gan-wafer-production-as-tsmc-exits-market ในโลกของพลังงานและ AI ที่ทุกวินาทีต้องการประสิทธิภาพสูง การใช้ “ซิลิคอน” อาจไม่พออีกต่อไปแล้วครับ → บริษัทอย่าง Infineon จึงหันมาโฟกัสที่ GaN (Gallium Nitride) ซึ่งเด่นเรื่อง
- เปิด–ปิดสัญญาณไฟเร็วกว่า
- รองรับแรงดันสูง–ความร้อนสูง
- มีความหนาแน่นพลังงานสูงกว่า Si หลายเท่า → ใช้งานได้ดีใน AI Data Center, ยานยนต์ EV, อุตสาหกรรมควบคุมมอเตอร์
ล่าสุด Infineon พัฒนาไลน์ผลิตเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม. (จากเดิม 200 มม.) ซึ่ง → ทำให้ได้จำนวนชิปต่อแผ่นมากขึ้น 2.3 เท่า → ต้นทุนเฉลี่ยต่อชิปลดลง → พร้อมส่งตัวอย่างให้ลูกค้าทดสอบใน Q4 ปี 2025
ที่น่าตื่นเต้นยิ่งกว่าคือ TSMC กลับตัดสินใจ “เลิกเล่นเกม GaN” โดยจะปิดสายผลิตและรื้อโรงงานออกใน 2 ปีข้างหน้า → เป็นโอกาสทองให้ Infineon กลายเป็นเจ้าใหญ่ในตลาดนี้
✅ Infineon จะเริ่มผลิต GaN บนเวเฟอร์ขนาด 300 มม. เป็นรายแรกของโลก
• ส่งผลให้ได้ yield สูงขึ้น 2.3 เท่า เทียบกับแบบ 200 มม.
• พร้อมเริ่มส่งตัวอย่างให้ลูกค้าในไตรมาส 4 ปี 2025
✅ ใช้โครงสร้าง IDM (Integrated Device Manufacturer)
• ควบคุมทุกขั้นตอน: ตั้งแต่ fab ไปจนถึงสินค้า
• ลดต้นทุน–เร่งเวลาไปตลาด
• ทำให้ GaN มีต้นทุนใกล้เคียงกับซิลิคอนแบบเดิม
✅ ตลาด GaN คาดจะเติบโต 36% ต่อปี และมีมูลค่า $2.5B ภายในปี 2030
• ข้อมูลจาก Yole Group
• ผลักดันจากความต้องการใน AI, EV, ระบบพลังงานขั้นสูง
✅ TSMC เตรียมถอนตัวจากตลาด GaN ใน 2 ปีข้างหน้า
• ชี้ชัดว่าบริษัทจะโฟกัสที่โปรเซสเซอร์ margin สูง
• เปิดพื้นที่ให้ Infineon และผู้เล่นเฉพาะทางยึดตลาด power semiconductor
✅ แอปพลิเคชันเป้าหมายของ Infineon รวมถึง:
• แหล่งจ่ายไฟของระบบ AI
• เครื่องชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
• ระบบควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม
https://www.techpowerup.com/338633/infineon-to-start-300-mm-gan-wafer-production-as-tsmc-exits-market