Soft X-Ray Lithography กับความหวังใหม่ของการผลิตชิประดับต่ำกว่า 5 นาโนเมตร — เทคโนโลยี B-EUV กำลังท้าทาย EUV รุ่น Hyper-NA
ในโลกของการผลิตชิปที่เล็กลงเรื่อย ๆ นักวิจัยจากมหาวิทยาลัย Johns Hopkins ได้เปิดตัวเทคโนโลยีใหม่ที่อาจเปลี่ยนเกมของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นั่นคือ “Beyond EUV” หรือ B-EUV ซึ่งใช้แสงเลเซอร์ในช่วง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่นสั้นเพียง 6.5–6.7 นาโนเมตร เพื่อสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนที่ละเอียดระดับต่ำกว่า 5 นาโนเมตร
เทคโนโลยีนี้มีศักยภาพในการแทนที่ EUV แบบ Hyper-NA ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ซึ่งแม้จะสามารถผลิตชิปรุ่น 2 นาโนเมตรได้ แต่ก็ต้องใช้ระบบออปติกที่ซับซ้อนและมีราคาสูงถึงหลายร้อยล้านดอลลาร์
ทีมวิจัยของศาสตราจารย์ Michael Tsapatsis ได้ค้นพบว่าโลหะอย่าง “สังกะสี” สามารถดูดซับแสง Soft X-ray และปล่อยอิเล็กตรอนออกมาเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีในสารอินทรีย์ที่เรียกว่า “อิมิดาโซล” ซึ่งเป็นวัสดุเรซิสต์ชนิดใหม่ที่สามารถสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนได้อย่างแม่นยำ
นอกจากนี้ยังมีการพัฒนาเทคนิคใหม่ชื่อว่า “Chemical Liquid Deposition” (CLD) ที่สามารถเคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างสม่ำเสมอ ซึ่งช่วยให้สามารถทดสอบวัสดุเรซิสต์แบบใหม่ได้รวดเร็วขึ้น และอาจนำไปใช้ในอุตสาหกรรมอื่นนอกเหนือจากเซมิคอนดักเตอร์
แม้เทคโนโลยี B-EUV จะยังอยู่ในขั้นทดลอง และยังไม่มีเครื่องมือที่พร้อมใช้งานจริง แต่การค้นพบนี้ถือเป็นก้าวสำคัญในการแก้ปัญหาวัสดุเรซิสต์ ซึ่งเป็นหนึ่งในอุปสรรคใหญ่ของการผลิตชิปขนาดเล็กในอนาคต
นักวิจัยจาก Johns Hopkins พัฒนาเทคโนโลยี B-EUV
ใช้แสง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่น 6.5–6.7 นาโนเมตร
สามารถสร้างลวดลายบนชิปที่เล็กกว่า 5 นาโนเมตรได้ในทางทฤษฎี
ค้นพบวัสดุเรซิสต์ใหม่ที่ตอบสนองต่อแสง Soft X-ray
ใช้โลหะอย่างสังกะสีร่วมกับสารอินทรีย์อิมิดาโซล
สังกะสีปล่อยอิเล็กตรอนเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีที่จำเป็นในการสร้างลวดลาย
พัฒนาเทคนิค Chemical Liquid Deposition (CLD)
เคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างแม่นยำ
ช่วยให้ทดสอบวัสดุเรซิสต์ใหม่ได้รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ
B-EUV มีศักยภาพในการแทนที่ Hyper-NA EUV
ลดความซับซ้อนของระบบออปติก
อาจช่วยลดต้นทุนการผลิตในอนาคต
คำเตือนเกี่ยวกับข้อจำกัดของเทคโนโลยี B-EUV
แหล่งกำเนิดแสง Soft X-ray ยังไม่มีมาตรฐานอุตสาหกรรม
กระจกสะท้อนแสงสำหรับช่วงคลื่นนี้ยังไม่สามารถผลิตได้
วัสดุเรซิสต์ทั่วไปไม่ตอบสนองต่อพลังงานโฟตอนสูงของ Soft X-ray
ยังไม่มีระบบ ecosystem ที่รองรับการผลิตแบบ B-EUV อย่างเต็มรูปแบบ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/beyond-euv-chipmaking-tech-pushes-soft-x-ray-lithography-closer-to-challenging-hyper-na-euv-b-euv-uses-new-resist-chemistry-to-make-smaller-chips
ในโลกของการผลิตชิปที่เล็กลงเรื่อย ๆ นักวิจัยจากมหาวิทยาลัย Johns Hopkins ได้เปิดตัวเทคโนโลยีใหม่ที่อาจเปลี่ยนเกมของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นั่นคือ “Beyond EUV” หรือ B-EUV ซึ่งใช้แสงเลเซอร์ในช่วง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่นสั้นเพียง 6.5–6.7 นาโนเมตร เพื่อสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนที่ละเอียดระดับต่ำกว่า 5 นาโนเมตร
เทคโนโลยีนี้มีศักยภาพในการแทนที่ EUV แบบ Hyper-NA ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ซึ่งแม้จะสามารถผลิตชิปรุ่น 2 นาโนเมตรได้ แต่ก็ต้องใช้ระบบออปติกที่ซับซ้อนและมีราคาสูงถึงหลายร้อยล้านดอลลาร์
ทีมวิจัยของศาสตราจารย์ Michael Tsapatsis ได้ค้นพบว่าโลหะอย่าง “สังกะสี” สามารถดูดซับแสง Soft X-ray และปล่อยอิเล็กตรอนออกมาเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีในสารอินทรีย์ที่เรียกว่า “อิมิดาโซล” ซึ่งเป็นวัสดุเรซิสต์ชนิดใหม่ที่สามารถสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนได้อย่างแม่นยำ
นอกจากนี้ยังมีการพัฒนาเทคนิคใหม่ชื่อว่า “Chemical Liquid Deposition” (CLD) ที่สามารถเคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างสม่ำเสมอ ซึ่งช่วยให้สามารถทดสอบวัสดุเรซิสต์แบบใหม่ได้รวดเร็วขึ้น และอาจนำไปใช้ในอุตสาหกรรมอื่นนอกเหนือจากเซมิคอนดักเตอร์
แม้เทคโนโลยี B-EUV จะยังอยู่ในขั้นทดลอง และยังไม่มีเครื่องมือที่พร้อมใช้งานจริง แต่การค้นพบนี้ถือเป็นก้าวสำคัญในการแก้ปัญหาวัสดุเรซิสต์ ซึ่งเป็นหนึ่งในอุปสรรคใหญ่ของการผลิตชิปขนาดเล็กในอนาคต
นักวิจัยจาก Johns Hopkins พัฒนาเทคโนโลยี B-EUV
ใช้แสง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่น 6.5–6.7 นาโนเมตร
สามารถสร้างลวดลายบนชิปที่เล็กกว่า 5 นาโนเมตรได้ในทางทฤษฎี
ค้นพบวัสดุเรซิสต์ใหม่ที่ตอบสนองต่อแสง Soft X-ray
ใช้โลหะอย่างสังกะสีร่วมกับสารอินทรีย์อิมิดาโซล
สังกะสีปล่อยอิเล็กตรอนเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีที่จำเป็นในการสร้างลวดลาย
พัฒนาเทคนิค Chemical Liquid Deposition (CLD)
เคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างแม่นยำ
ช่วยให้ทดสอบวัสดุเรซิสต์ใหม่ได้รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ
B-EUV มีศักยภาพในการแทนที่ Hyper-NA EUV
ลดความซับซ้อนของระบบออปติก
อาจช่วยลดต้นทุนการผลิตในอนาคต
คำเตือนเกี่ยวกับข้อจำกัดของเทคโนโลยี B-EUV
แหล่งกำเนิดแสง Soft X-ray ยังไม่มีมาตรฐานอุตสาหกรรม
กระจกสะท้อนแสงสำหรับช่วงคลื่นนี้ยังไม่สามารถผลิตได้
วัสดุเรซิสต์ทั่วไปไม่ตอบสนองต่อพลังงานโฟตอนสูงของ Soft X-ray
ยังไม่มีระบบ ecosystem ที่รองรับการผลิตแบบ B-EUV อย่างเต็มรูปแบบ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/beyond-euv-chipmaking-tech-pushes-soft-x-ray-lithography-closer-to-challenging-hyper-na-euv-b-euv-uses-new-resist-chemistry-to-make-smaller-chips
📰 Soft X-Ray Lithography กับความหวังใหม่ของการผลิตชิประดับต่ำกว่า 5 นาโนเมตร — เทคโนโลยี B-EUV กำลังท้าทาย EUV รุ่น Hyper-NA
ในโลกของการผลิตชิปที่เล็กลงเรื่อย ๆ นักวิจัยจากมหาวิทยาลัย Johns Hopkins ได้เปิดตัวเทคโนโลยีใหม่ที่อาจเปลี่ยนเกมของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นั่นคือ “Beyond EUV” หรือ B-EUV ซึ่งใช้แสงเลเซอร์ในช่วง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่นสั้นเพียง 6.5–6.7 นาโนเมตร เพื่อสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนที่ละเอียดระดับต่ำกว่า 5 นาโนเมตร
เทคโนโลยีนี้มีศักยภาพในการแทนที่ EUV แบบ Hyper-NA ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ซึ่งแม้จะสามารถผลิตชิปรุ่น 2 นาโนเมตรได้ แต่ก็ต้องใช้ระบบออปติกที่ซับซ้อนและมีราคาสูงถึงหลายร้อยล้านดอลลาร์
ทีมวิจัยของศาสตราจารย์ Michael Tsapatsis ได้ค้นพบว่าโลหะอย่าง “สังกะสี” สามารถดูดซับแสง Soft X-ray และปล่อยอิเล็กตรอนออกมาเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีในสารอินทรีย์ที่เรียกว่า “อิมิดาโซล” ซึ่งเป็นวัสดุเรซิสต์ชนิดใหม่ที่สามารถสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนได้อย่างแม่นยำ
นอกจากนี้ยังมีการพัฒนาเทคนิคใหม่ชื่อว่า “Chemical Liquid Deposition” (CLD) ที่สามารถเคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างสม่ำเสมอ ซึ่งช่วยให้สามารถทดสอบวัสดุเรซิสต์แบบใหม่ได้รวดเร็วขึ้น และอาจนำไปใช้ในอุตสาหกรรมอื่นนอกเหนือจากเซมิคอนดักเตอร์
แม้เทคโนโลยี B-EUV จะยังอยู่ในขั้นทดลอง และยังไม่มีเครื่องมือที่พร้อมใช้งานจริง แต่การค้นพบนี้ถือเป็นก้าวสำคัญในการแก้ปัญหาวัสดุเรซิสต์ ซึ่งเป็นหนึ่งในอุปสรรคใหญ่ของการผลิตชิปขนาดเล็กในอนาคต
✅ นักวิจัยจาก Johns Hopkins พัฒนาเทคโนโลยี B-EUV
➡️ ใช้แสง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่น 6.5–6.7 นาโนเมตร
➡️ สามารถสร้างลวดลายบนชิปที่เล็กกว่า 5 นาโนเมตรได้ในทางทฤษฎี
✅ ค้นพบวัสดุเรซิสต์ใหม่ที่ตอบสนองต่อแสง Soft X-ray
➡️ ใช้โลหะอย่างสังกะสีร่วมกับสารอินทรีย์อิมิดาโซล
➡️ สังกะสีปล่อยอิเล็กตรอนเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีที่จำเป็นในการสร้างลวดลาย
✅ พัฒนาเทคนิค Chemical Liquid Deposition (CLD)
➡️ เคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างแม่นยำ
➡️ ช่วยให้ทดสอบวัสดุเรซิสต์ใหม่ได้รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ
✅ B-EUV มีศักยภาพในการแทนที่ Hyper-NA EUV
➡️ ลดความซับซ้อนของระบบออปติก
➡️ อาจช่วยลดต้นทุนการผลิตในอนาคต
‼️ คำเตือนเกี่ยวกับข้อจำกัดของเทคโนโลยี B-EUV
⛔ แหล่งกำเนิดแสง Soft X-ray ยังไม่มีมาตรฐานอุตสาหกรรม
⛔ กระจกสะท้อนแสงสำหรับช่วงคลื่นนี้ยังไม่สามารถผลิตได้
⛔ วัสดุเรซิสต์ทั่วไปไม่ตอบสนองต่อพลังงานโฟตอนสูงของ Soft X-ray
⛔ ยังไม่มีระบบ ecosystem ที่รองรับการผลิตแบบ B-EUV อย่างเต็มรูปแบบ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/beyond-euv-chipmaking-tech-pushes-soft-x-ray-lithography-closer-to-challenging-hyper-na-euv-b-euv-uses-new-resist-chemistry-to-make-smaller-chips
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
282 มุมมอง
0 รีวิว
English