📰 Soft X-Ray Lithography กับความหวังใหม่ของการผลิตชิประดับต่ำกว่า 5 นาโนเมตร — เทคโนโลยี B-EUV กำลังท้าทาย EUV รุ่น Hyper-NA ในโลกของการผลิตชิปที่เล็กลงเรื่อย ๆ นักวิจัยจากมหาวิทยาลัย Johns Hopkins ได้เปิดตัวเทคโนโลยีใหม่ที่อาจเปลี่ยนเกมของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นั่นคือ “Beyond EUV” หรือ B-EUV ซึ่งใช้แสงเลเซอร์ในช่วง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่นสั้นเพียง 6.5–6.7 นาโนเมตร เพื่อสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนที่ละเอียดระดับต่ำกว่า 5 นาโนเมตร เทคโนโลยีนี้มีศักยภาพในการแทนที่ EUV แบบ Hyper-NA ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ซึ่งแม้จะสามารถผลิตชิปรุ่น 2 นาโนเมตรได้ แต่ก็ต้องใช้ระบบออปติกที่ซับซ้อนและมีราคาสูงถึงหลายร้อยล้านดอลลาร์ ทีมวิจัยของศาสตราจารย์ Michael Tsapatsis ได้ค้นพบว่าโลหะอย่าง “สังกะสี” สามารถดูดซับแสง Soft X-ray และปล่อยอิเล็กตรอนออกมาเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีในสารอินทรีย์ที่เรียกว่า “อิมิดาโซล” ซึ่งเป็นวัสดุเรซิสต์ชนิดใหม่ที่สามารถสร้างลวดลายบนแผ่นซิลิคอนได้อย่างแม่นยำ นอกจากนี้ยังมีการพัฒนาเทคนิคใหม่ชื่อว่า “Chemical Liquid Deposition” (CLD) ที่สามารถเคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างสม่ำเสมอ ซึ่งช่วยให้สามารถทดสอบวัสดุเรซิสต์แบบใหม่ได้รวดเร็วขึ้น และอาจนำไปใช้ในอุตสาหกรรมอื่นนอกเหนือจากเซมิคอนดักเตอร์ แม้เทคโนโลยี B-EUV จะยังอยู่ในขั้นทดลอง และยังไม่มีเครื่องมือที่พร้อมใช้งานจริง แต่การค้นพบนี้ถือเป็นก้าวสำคัญในการแก้ปัญหาวัสดุเรซิสต์ ซึ่งเป็นหนึ่งในอุปสรรคใหญ่ของการผลิตชิปขนาดเล็กในอนาคต ✅ นักวิจัยจาก Johns Hopkins พัฒนาเทคโนโลยี B-EUV ➡️ ใช้แสง Soft X-ray ที่มีความยาวคลื่น 6.5–6.7 นาโนเมตร ➡️ สามารถสร้างลวดลายบนชิปที่เล็กกว่า 5 นาโนเมตรได้ในทางทฤษฎี ✅ ค้นพบวัสดุเรซิสต์ใหม่ที่ตอบสนองต่อแสง Soft X-ray ➡️ ใช้โลหะอย่างสังกะสีร่วมกับสารอินทรีย์อิมิดาโซล ➡️ สังกะสีปล่อยอิเล็กตรอนเพื่อกระตุ้นปฏิกิริยาเคมีที่จำเป็นในการสร้างลวดลาย ✅ พัฒนาเทคนิค Chemical Liquid Deposition (CLD) ➡️ เคลือบฟิล์มบางระดับนาโนเมตรได้อย่างแม่นยำ ➡️ ช่วยให้ทดสอบวัสดุเรซิสต์ใหม่ได้รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ ✅ B-EUV มีศักยภาพในการแทนที่ Hyper-NA EUV ➡️ ลดความซับซ้อนของระบบออปติก ➡️ อาจช่วยลดต้นทุนการผลิตในอนาคต ‼️ คำเตือนเกี่ยวกับข้อจำกัดของเทคโนโลยี B-EUV ⛔ แหล่งกำเนิดแสง Soft X-ray ยังไม่มีมาตรฐานอุตสาหกรรม ⛔ กระจกสะท้อนแสงสำหรับช่วงคลื่นนี้ยังไม่สามารถผลิตได้ ⛔ วัสดุเรซิสต์ทั่วไปไม่ตอบสนองต่อพลังงานโฟตอนสูงของ Soft X-ray ⛔ ยังไม่มีระบบ ecosystem ที่รองรับการผลิตแบบ B-EUV อย่างเต็มรูปแบบ https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/beyond-euv-chipmaking-tech-pushes-soft-x-ray-lithography-closer-to-challenging-hyper-na-euv-b-euv-uses-new-resist-chemistry-to-make-smaller-chips