“SK hynix เปิดตัว HBM4 พร้อมผลิตจริง — หน่วยความจำ AI ที่เร็วที่สุดในโลก พร้อมลดพลังงานศูนย์ข้อมูล”
SK hynix ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาและเตรียมการผลิตหน่วยความจำ HBM4 เป็นรายแรกของโลกเมื่อวันที่ 12 กันยายน 2025 โดยชิปนี้ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับงานประมวลผล AI ที่ต้องการความเร็วสูงและประสิทธิภาพด้านพลังงานอย่างเข้มข้น โดยถือเป็นก้าวสำคัญที่ช่วยปลดล็อกข้อจำกัดของโครงสร้างพื้นฐาน AI ในปัจจุบัน
HBM4 มีการปรับปรุงครั้งใหญ่จากรุ่นก่อนหน้า โดยเพิ่มจำนวนช่องสัญญาณ I/O เป็น 2,048 ช่อง — มากกว่ารุ่น HBM3E ถึงสองเท่า ส่งผลให้แบนด์วิดธ์เพิ่มขึ้นอย่างมหาศาล และประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นกว่าเดิมถึง 40% ซึ่งช่วยลดต้นทุนการดำเนินงานของศูนย์ข้อมูลได้อย่างมีนัยสำคัญ
SK hynix ระบุว่า HBM4 สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของบริการ AI ได้สูงสุดถึง 69% และมีความเร็วในการทำงานเกินมาตรฐาน JEDEC ที่ 8 Gbps โดยสามารถทำงานได้มากกว่า 10 Gbps ซึ่งถือเป็นระดับที่สูงที่สุดในอุตสาหกรรม ณ ขณะนี้
นอกจากนี้ยังใช้กระบวนการผลิตขั้นสูง MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) และเทคโนโลยี 1bnm ซึ่งเป็นเจเนอเรชันที่ 5 ของกระบวนการ 10 นาโนเมตร เพื่อเพิ่มความเสถียรในการผลิตและลดความเสี่ยงจากการบิดตัวของชิปที่ซ้อนกันหลายชั้น
การเปิดตัว HBM4 ส่งผลให้หุ้นของ SK hynix พุ่งขึ้นทันทีเกือบ 6% และสร้างความเชื่อมั่นว่า SK hynix จะกลายเป็นผู้นำด้านหน่วยความจำสำหรับยุค AI อย่างแท้จริง
จุดเด่นของ HBM4 จาก SK hynix
เป็นหน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับงาน AI ที่มีแบนด์วิดธ์สูงและประหยัดพลังงาน
เพิ่มจำนวนช่องสัญญาณ I/O เป็น 2,048 ช่อง — มากกว่ารุ่นก่อนหน้า 2 เท่า
ประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นกว่าเดิม 40%
เพิ่มประสิทธิภาพของบริการ AI ได้สูงสุดถึง 69%
เทคโนโลยีการผลิตและมาตรฐาน
ใช้กระบวนการ MR-MUF เพื่อควบคุมการบิดตัวและระบายความร้อน
ใช้เทคโนโลยี 1bnm (เจเนอเรชันที่ 5 ของ 10nm) เพื่อเพิ่มความเสถียรในการผลิต
ความเร็วในการทำงานเกิน 10 Gbps — สูงกว่ามาตรฐาน JEDEC ที่ 8 Gbps
พร้อมเข้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์แล้วในโรงงานที่อินชอน ประเทศเกาหลีใต้
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
HBM4 เป็นรุ่นที่ 6 ต่อจาก HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 และ HBM3E
ใช้ใน GPU และ AI accelerator รุ่นใหม่จาก NVIDIA และ AMD
ตลาดหน่วยความจำ AI เติบโตอย่างรวดเร็วจากความต้องการของศูนย์ข้อมูล
SK hynix แซง Samsung ขึ้นเป็นผู้นำด้าน DRAM ในไตรมาสล่าสุด
https://www.techpowerup.com/340924/sk-hynix-completes-worlds-first-hbm4-development-and-readies-mass-production
SK hynix ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาและเตรียมการผลิตหน่วยความจำ HBM4 เป็นรายแรกของโลกเมื่อวันที่ 12 กันยายน 2025 โดยชิปนี้ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับงานประมวลผล AI ที่ต้องการความเร็วสูงและประสิทธิภาพด้านพลังงานอย่างเข้มข้น โดยถือเป็นก้าวสำคัญที่ช่วยปลดล็อกข้อจำกัดของโครงสร้างพื้นฐาน AI ในปัจจุบัน
HBM4 มีการปรับปรุงครั้งใหญ่จากรุ่นก่อนหน้า โดยเพิ่มจำนวนช่องสัญญาณ I/O เป็น 2,048 ช่อง — มากกว่ารุ่น HBM3E ถึงสองเท่า ส่งผลให้แบนด์วิดธ์เพิ่มขึ้นอย่างมหาศาล และประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นกว่าเดิมถึง 40% ซึ่งช่วยลดต้นทุนการดำเนินงานของศูนย์ข้อมูลได้อย่างมีนัยสำคัญ
SK hynix ระบุว่า HBM4 สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของบริการ AI ได้สูงสุดถึง 69% และมีความเร็วในการทำงานเกินมาตรฐาน JEDEC ที่ 8 Gbps โดยสามารถทำงานได้มากกว่า 10 Gbps ซึ่งถือเป็นระดับที่สูงที่สุดในอุตสาหกรรม ณ ขณะนี้
นอกจากนี้ยังใช้กระบวนการผลิตขั้นสูง MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) และเทคโนโลยี 1bnm ซึ่งเป็นเจเนอเรชันที่ 5 ของกระบวนการ 10 นาโนเมตร เพื่อเพิ่มความเสถียรในการผลิตและลดความเสี่ยงจากการบิดตัวของชิปที่ซ้อนกันหลายชั้น
การเปิดตัว HBM4 ส่งผลให้หุ้นของ SK hynix พุ่งขึ้นทันทีเกือบ 6% และสร้างความเชื่อมั่นว่า SK hynix จะกลายเป็นผู้นำด้านหน่วยความจำสำหรับยุค AI อย่างแท้จริง
จุดเด่นของ HBM4 จาก SK hynix
เป็นหน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับงาน AI ที่มีแบนด์วิดธ์สูงและประหยัดพลังงาน
เพิ่มจำนวนช่องสัญญาณ I/O เป็น 2,048 ช่อง — มากกว่ารุ่นก่อนหน้า 2 เท่า
ประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นกว่าเดิม 40%
เพิ่มประสิทธิภาพของบริการ AI ได้สูงสุดถึง 69%
เทคโนโลยีการผลิตและมาตรฐาน
ใช้กระบวนการ MR-MUF เพื่อควบคุมการบิดตัวและระบายความร้อน
ใช้เทคโนโลยี 1bnm (เจเนอเรชันที่ 5 ของ 10nm) เพื่อเพิ่มความเสถียรในการผลิต
ความเร็วในการทำงานเกิน 10 Gbps — สูงกว่ามาตรฐาน JEDEC ที่ 8 Gbps
พร้อมเข้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์แล้วในโรงงานที่อินชอน ประเทศเกาหลีใต้
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
HBM4 เป็นรุ่นที่ 6 ต่อจาก HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 และ HBM3E
ใช้ใน GPU และ AI accelerator รุ่นใหม่จาก NVIDIA และ AMD
ตลาดหน่วยความจำ AI เติบโตอย่างรวดเร็วจากความต้องการของศูนย์ข้อมูล
SK hynix แซง Samsung ขึ้นเป็นผู้นำด้าน DRAM ในไตรมาสล่าสุด
https://www.techpowerup.com/340924/sk-hynix-completes-worlds-first-hbm4-development-and-readies-mass-production
🚀 “SK hynix เปิดตัว HBM4 พร้อมผลิตจริง — หน่วยความจำ AI ที่เร็วที่สุดในโลก พร้อมลดพลังงานศูนย์ข้อมูล”
SK hynix ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาและเตรียมการผลิตหน่วยความจำ HBM4 เป็นรายแรกของโลกเมื่อวันที่ 12 กันยายน 2025 โดยชิปนี้ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับงานประมวลผล AI ที่ต้องการความเร็วสูงและประสิทธิภาพด้านพลังงานอย่างเข้มข้น โดยถือเป็นก้าวสำคัญที่ช่วยปลดล็อกข้อจำกัดของโครงสร้างพื้นฐาน AI ในปัจจุบัน
HBM4 มีการปรับปรุงครั้งใหญ่จากรุ่นก่อนหน้า โดยเพิ่มจำนวนช่องสัญญาณ I/O เป็น 2,048 ช่อง — มากกว่ารุ่น HBM3E ถึงสองเท่า ส่งผลให้แบนด์วิดธ์เพิ่มขึ้นอย่างมหาศาล และประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นกว่าเดิมถึง 40% ซึ่งช่วยลดต้นทุนการดำเนินงานของศูนย์ข้อมูลได้อย่างมีนัยสำคัญ
SK hynix ระบุว่า HBM4 สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของบริการ AI ได้สูงสุดถึง 69% และมีความเร็วในการทำงานเกินมาตรฐาน JEDEC ที่ 8 Gbps โดยสามารถทำงานได้มากกว่า 10 Gbps ซึ่งถือเป็นระดับที่สูงที่สุดในอุตสาหกรรม ณ ขณะนี้
นอกจากนี้ยังใช้กระบวนการผลิตขั้นสูง MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) และเทคโนโลยี 1bnm ซึ่งเป็นเจเนอเรชันที่ 5 ของกระบวนการ 10 นาโนเมตร เพื่อเพิ่มความเสถียรในการผลิตและลดความเสี่ยงจากการบิดตัวของชิปที่ซ้อนกันหลายชั้น
การเปิดตัว HBM4 ส่งผลให้หุ้นของ SK hynix พุ่งขึ้นทันทีเกือบ 6% และสร้างความเชื่อมั่นว่า SK hynix จะกลายเป็นผู้นำด้านหน่วยความจำสำหรับยุค AI อย่างแท้จริง
✅ จุดเด่นของ HBM4 จาก SK hynix
➡️ เป็นหน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับงาน AI ที่มีแบนด์วิดธ์สูงและประหยัดพลังงาน
➡️ เพิ่มจำนวนช่องสัญญาณ I/O เป็น 2,048 ช่อง — มากกว่ารุ่นก่อนหน้า 2 เท่า
➡️ ประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นกว่าเดิม 40%
➡️ เพิ่มประสิทธิภาพของบริการ AI ได้สูงสุดถึง 69%
✅ เทคโนโลยีการผลิตและมาตรฐาน
➡️ ใช้กระบวนการ MR-MUF เพื่อควบคุมการบิดตัวและระบายความร้อน
➡️ ใช้เทคโนโลยี 1bnm (เจเนอเรชันที่ 5 ของ 10nm) เพื่อเพิ่มความเสถียรในการผลิต
➡️ ความเร็วในการทำงานเกิน 10 Gbps — สูงกว่ามาตรฐาน JEDEC ที่ 8 Gbps
➡️ พร้อมเข้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์แล้วในโรงงานที่อินชอน ประเทศเกาหลีใต้
✅ ข้อมูลเสริมจากภายนอก
➡️ HBM4 เป็นรุ่นที่ 6 ต่อจาก HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 และ HBM3E
➡️ ใช้ใน GPU และ AI accelerator รุ่นใหม่จาก NVIDIA และ AMD
➡️ ตลาดหน่วยความจำ AI เติบโตอย่างรวดเร็วจากความต้องการของศูนย์ข้อมูล
➡️ SK hynix แซง Samsung ขึ้นเป็นผู้นำด้าน DRAM ในไตรมาสล่าสุด
https://www.techpowerup.com/340924/sk-hynix-completes-worlds-first-hbm4-development-and-readies-mass-production
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
64 มุมมอง
0 รีวิว