Kirin 9030: สัญลักษณ์ความก้าวหน้าท่ามกลางข้อจำกัด
Huawei เปิดตัวสมาร์ทโฟน Mate 80 และ Mate X7 ที่ใช้ชิป Kirin 9030 และ Kirin 9030 Pro จุดเด่นคือการใช้ DUV lithography แทน EUV ที่ถูกสหรัฐฯ แบนไม่ให้ส่งออกไปจีน ทำให้ SMIC ต้องพัฒนาเทคนิคใหม่เพื่อบีบประสิทธิภาพออกจากกระบวนการ 7nm เดิม โดย Kirin 9030 ใช้ 8-core ARMv8 CPU ส่วนรุ่น Pro ใช้ 9-core ARMv8 CPU พร้อม GPU Maleoon 935.
กระบวนการ N+3 และ DTCO
TechInsights วิเคราะห์ว่า Kirin 9030 ใช้กระบวนการ N+3 ซึ่งเป็นการขยายจาก N+2 (7nm รุ่นที่สอง) แต่ยังไม่เทียบเท่า 5nm ของ TSMC หรือ Samsung จุดสำคัญคือการใช้ multi-patterning ร่วมกับ DTCO เพื่อแก้ปัญหา edge placement error (EPE) และเพิ่มความแม่นยำในการสร้างวงจร แม้จะไม่ได้ปรับปรุงมากในส่วน FEOL (Front-End-of-Line) แต่เน้นไปที่ BEOL (Back-End-of-Line) เพื่อสร้าง interconnect ที่ซับซ้อนมากขึ้น.
ความเสี่ยงและข้อจำกัด
แม้จะเป็นความก้าวหน้าที่น่าทึ่ง แต่การใช้ DUV multi-patterning มีความเสี่ยงสูง เนื่องจากต้องใช้หลายขั้นตอนที่ต้องจัดเรียงอย่างแม่นยำ หากเกิด misalignment เพียงเล็กน้อยอาจทำให้ yield ลดลงอย่างมาก อีกทั้งการพึ่งพา BEOL scaling มากเกินไปอาจไม่สามารถดันประสิทธิภาพได้เทียบเท่ากับ EUV lithography.
ผลกระทบต่ออุตสาหกรรม
การเปิดตัว Kirin 9030 แสดงให้เห็นว่า จีนยังคงสามารถแข่งขันในตลาดชิปสมาร์ทโฟนระดับสูง แม้จะถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยี EUV จากตะวันตก นี่เป็นการยืนยันว่าการพัฒนาเชิงสถาปัตยกรรมและการใช้เทคนิค DTCO สามารถชดเชยข้อจำกัดด้านเครื่องมือได้บางส่วน และอาจเป็นแนวทางที่จีนใช้ต่อไปในการพัฒนา semiconductors.
สรุปประเด็นสำคัญ
คุณสมบัติ Kirin 9030/Pro
Kirin 9030: 8-core ARMv8 CPU, Maleoon 935 GPU
Kirin 9030 Pro: 9-core ARMv8 CPU, Maleoon 935 GPU
กระบวนการผลิต
ใช้ SMIC N+3 process (DUV multi-patterning)
อยู่ระหว่าง 7nm และ 5nm
ใช้ DTCO เพื่อลดข้อผิดพลาดและเพิ่ม yield
ข้อจำกัดและความเสี่ยง
BEOL scaling มีความเสี่ยงสูงต่อ yield
Misalignment ใน multi-patterning อาจทำให้ defect เพิ่มขึ้น
ยังไม่เทียบเท่า 5nm ของ TSMC/Samsung
ผลกระทบต่ออุตสาหกรรม
Huawei แสดงศักยภาพแม้ถูกแบน EUV
จีนยังคงแข่งขันในตลาดสมาร์ทโฟนระดับสูง
แนวทาง DTCO อาจเป็นกลยุทธ์หลักในอนาคต
ข้อควรระวัง
Yield อาจต่ำหาก multi-patterning ไม่แม่นยำ
ประสิทธิภาพยังไม่เทียบเท่าเทคโนโลยี EUV
การพึ่งพา BEOL scaling อาจถึงจุดอิ่มตัวเร็ว
https://wccftech.com/huaweis-kirin-9030-chip-is-testing-the-limits-of-duv-based-multi-patterning-lithography/
Huawei เปิดตัวสมาร์ทโฟน Mate 80 และ Mate X7 ที่ใช้ชิป Kirin 9030 และ Kirin 9030 Pro จุดเด่นคือการใช้ DUV lithography แทน EUV ที่ถูกสหรัฐฯ แบนไม่ให้ส่งออกไปจีน ทำให้ SMIC ต้องพัฒนาเทคนิคใหม่เพื่อบีบประสิทธิภาพออกจากกระบวนการ 7nm เดิม โดย Kirin 9030 ใช้ 8-core ARMv8 CPU ส่วนรุ่น Pro ใช้ 9-core ARMv8 CPU พร้อม GPU Maleoon 935.
กระบวนการ N+3 และ DTCO
TechInsights วิเคราะห์ว่า Kirin 9030 ใช้กระบวนการ N+3 ซึ่งเป็นการขยายจาก N+2 (7nm รุ่นที่สอง) แต่ยังไม่เทียบเท่า 5nm ของ TSMC หรือ Samsung จุดสำคัญคือการใช้ multi-patterning ร่วมกับ DTCO เพื่อแก้ปัญหา edge placement error (EPE) และเพิ่มความแม่นยำในการสร้างวงจร แม้จะไม่ได้ปรับปรุงมากในส่วน FEOL (Front-End-of-Line) แต่เน้นไปที่ BEOL (Back-End-of-Line) เพื่อสร้าง interconnect ที่ซับซ้อนมากขึ้น.
ความเสี่ยงและข้อจำกัด
แม้จะเป็นความก้าวหน้าที่น่าทึ่ง แต่การใช้ DUV multi-patterning มีความเสี่ยงสูง เนื่องจากต้องใช้หลายขั้นตอนที่ต้องจัดเรียงอย่างแม่นยำ หากเกิด misalignment เพียงเล็กน้อยอาจทำให้ yield ลดลงอย่างมาก อีกทั้งการพึ่งพา BEOL scaling มากเกินไปอาจไม่สามารถดันประสิทธิภาพได้เทียบเท่ากับ EUV lithography.
ผลกระทบต่ออุตสาหกรรม
การเปิดตัว Kirin 9030 แสดงให้เห็นว่า จีนยังคงสามารถแข่งขันในตลาดชิปสมาร์ทโฟนระดับสูง แม้จะถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยี EUV จากตะวันตก นี่เป็นการยืนยันว่าการพัฒนาเชิงสถาปัตยกรรมและการใช้เทคนิค DTCO สามารถชดเชยข้อจำกัดด้านเครื่องมือได้บางส่วน และอาจเป็นแนวทางที่จีนใช้ต่อไปในการพัฒนา semiconductors.
สรุปประเด็นสำคัญ
คุณสมบัติ Kirin 9030/Pro
Kirin 9030: 8-core ARMv8 CPU, Maleoon 935 GPU
Kirin 9030 Pro: 9-core ARMv8 CPU, Maleoon 935 GPU
กระบวนการผลิต
ใช้ SMIC N+3 process (DUV multi-patterning)
อยู่ระหว่าง 7nm และ 5nm
ใช้ DTCO เพื่อลดข้อผิดพลาดและเพิ่ม yield
ข้อจำกัดและความเสี่ยง
BEOL scaling มีความเสี่ยงสูงต่อ yield
Misalignment ใน multi-patterning อาจทำให้ defect เพิ่มขึ้น
ยังไม่เทียบเท่า 5nm ของ TSMC/Samsung
ผลกระทบต่ออุตสาหกรรม
Huawei แสดงศักยภาพแม้ถูกแบน EUV
จีนยังคงแข่งขันในตลาดสมาร์ทโฟนระดับสูง
แนวทาง DTCO อาจเป็นกลยุทธ์หลักในอนาคต
ข้อควรระวัง
Yield อาจต่ำหาก multi-patterning ไม่แม่นยำ
ประสิทธิภาพยังไม่เทียบเท่าเทคโนโลยี EUV
การพึ่งพา BEOL scaling อาจถึงจุดอิ่มตัวเร็ว
https://wccftech.com/huaweis-kirin-9030-chip-is-testing-the-limits-of-duv-based-multi-patterning-lithography/
🖥️ Kirin 9030: สัญลักษณ์ความก้าวหน้าท่ามกลางข้อจำกัด
Huawei เปิดตัวสมาร์ทโฟน Mate 80 และ Mate X7 ที่ใช้ชิป Kirin 9030 และ Kirin 9030 Pro จุดเด่นคือการใช้ DUV lithography แทน EUV ที่ถูกสหรัฐฯ แบนไม่ให้ส่งออกไปจีน ทำให้ SMIC ต้องพัฒนาเทคนิคใหม่เพื่อบีบประสิทธิภาพออกจากกระบวนการ 7nm เดิม โดย Kirin 9030 ใช้ 8-core ARMv8 CPU ส่วนรุ่น Pro ใช้ 9-core ARMv8 CPU พร้อม GPU Maleoon 935.
⚡ กระบวนการ N+3 และ DTCO
TechInsights วิเคราะห์ว่า Kirin 9030 ใช้กระบวนการ N+3 ซึ่งเป็นการขยายจาก N+2 (7nm รุ่นที่สอง) แต่ยังไม่เทียบเท่า 5nm ของ TSMC หรือ Samsung จุดสำคัญคือการใช้ multi-patterning ร่วมกับ DTCO เพื่อแก้ปัญหา edge placement error (EPE) และเพิ่มความแม่นยำในการสร้างวงจร แม้จะไม่ได้ปรับปรุงมากในส่วน FEOL (Front-End-of-Line) แต่เน้นไปที่ BEOL (Back-End-of-Line) เพื่อสร้าง interconnect ที่ซับซ้อนมากขึ้น.
🔒 ความเสี่ยงและข้อจำกัด
แม้จะเป็นความก้าวหน้าที่น่าทึ่ง แต่การใช้ DUV multi-patterning มีความเสี่ยงสูง เนื่องจากต้องใช้หลายขั้นตอนที่ต้องจัดเรียงอย่างแม่นยำ หากเกิด misalignment เพียงเล็กน้อยอาจทำให้ yield ลดลงอย่างมาก อีกทั้งการพึ่งพา BEOL scaling มากเกินไปอาจไม่สามารถดันประสิทธิภาพได้เทียบเท่ากับ EUV lithography.
🌐 ผลกระทบต่ออุตสาหกรรม
การเปิดตัว Kirin 9030 แสดงให้เห็นว่า จีนยังคงสามารถแข่งขันในตลาดชิปสมาร์ทโฟนระดับสูง แม้จะถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยี EUV จากตะวันตก นี่เป็นการยืนยันว่าการพัฒนาเชิงสถาปัตยกรรมและการใช้เทคนิค DTCO สามารถชดเชยข้อจำกัดด้านเครื่องมือได้บางส่วน และอาจเป็นแนวทางที่จีนใช้ต่อไปในการพัฒนา semiconductors.
📌 สรุปประเด็นสำคัญ
✅ คุณสมบัติ Kirin 9030/Pro
➡️ Kirin 9030: 8-core ARMv8 CPU, Maleoon 935 GPU
➡️ Kirin 9030 Pro: 9-core ARMv8 CPU, Maleoon 935 GPU
✅ กระบวนการผลิต
➡️ ใช้ SMIC N+3 process (DUV multi-patterning)
➡️ อยู่ระหว่าง 7nm และ 5nm
➡️ ใช้ DTCO เพื่อลดข้อผิดพลาดและเพิ่ม yield
✅ ข้อจำกัดและความเสี่ยง
➡️ BEOL scaling มีความเสี่ยงสูงต่อ yield
➡️ Misalignment ใน multi-patterning อาจทำให้ defect เพิ่มขึ้น
➡️ ยังไม่เทียบเท่า 5nm ของ TSMC/Samsung
✅ ผลกระทบต่ออุตสาหกรรม
➡️ Huawei แสดงศักยภาพแม้ถูกแบน EUV
➡️ จีนยังคงแข่งขันในตลาดสมาร์ทโฟนระดับสูง
➡️ แนวทาง DTCO อาจเป็นกลยุทธ์หลักในอนาคต
‼️ ข้อควรระวัง
⛔ Yield อาจต่ำหาก multi-patterning ไม่แม่นยำ
⛔ ประสิทธิภาพยังไม่เทียบเท่าเทคโนโลยี EUV
⛔ การพึ่งพา BEOL scaling อาจถึงจุดอิ่มตัวเร็ว
https://wccftech.com/huaweis-kirin-9030-chip-is-testing-the-limits-of-duv-based-multi-patterning-lithography/
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
4 มุมมอง
0 รีวิว