ญี่ปุ่นเร่งขยายกำลังผลิตวัสดุโฟโตเรซิสและ MOR รองรับเทคโนโลยีลิธอกราฟี EUV ขนาด 2 นาโนเมตร
ญี่ปุ่นกำลังเดินหน้าเต็มกำลังเพื่อรองรับยุคใหม่ของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับ 2 นาโนเมตร ด้วยการลงทุนขยายโรงงานผลิตวัสดุโฟโตเรซิส (Photoresist) และโลหะออกไซด์เรซิส (MOR) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของกระบวนการลิธอกราฟีแบบ EUV (Extreme Ultraviolet Lithography)
บริษัทชั้นนำอย่าง Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Adeka และ JSR ต่างทุ่มงบประมาณหลายหมื่นล้านเยนเพื่อเพิ่มกำลังการผลิตและพัฒนาคุณภาพของวัสดุที่ใช้ในกระบวนการนี้ โดยเฉพาะ MOR ซึ่งมีคุณสมบัติเด่นในการดูดซับแสง EUV ได้ดีขึ้น ช่วยให้การถ่ายโอนลวดลายบนเวเฟอร์มีความแม่นยำและทนต่อการกัดกร่อนมากขึ้น
นอกจากนี้ยังมีการลงทุนในสารเคมีความบริสุทธิ์สูง เช่น ตัวทำละลาย น้ำยาทำความสะอาด และสารลดแรงตึงผิว ซึ่งมีบทบาทสำคัญในการควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยในกระบวนการ EUV ที่ละเอียดอ่อน
จุดที่น่าสนใจเพิ่มเติม:
MOR เป็นวัสดุที่มีส่วนผสมของโลหะ ซึ่งช่วยเพิ่มการดูดซับแสง EUV ได้มากกว่าวัสดุอินทรีย์ทั่วไป
ญี่ปุ่นครองส่วนแบ่งตลาดโฟโตเรซิสระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก
การผลิต EUV ต้องการความแม่นยำสูงมาก เพราะแม้แต่การปนเปื้อนเล็กน้อยก็อาจทำให้เวเฟอร์เสียหาย
ญี่ปุ่นลงทุนขยายกำลังผลิตวัสดุสำหรับ EUV
TOK ลงทุน ¥20 พันล้านในโรงงานใหม่ที่เกาหลีใต้ และอีก ¥12 พันล้านในโรงงานสารเคมีบริสุทธิ์
Adeka ลงทุน ¥3.2 พันล้านเพื่อผลิต MOR ที่โรงงานอิบารากิ เริ่มผลิตปี 2028
JSR เตรียมเปิดโรงงาน MOR ในเกาหลีใต้ภายในปี 2026
วัสดุ MOR มีบทบาทสำคัญในเทคโนโลยี EUV
เพิ่มการดูดซับแสง EUV ลดปริมาณแสงที่ต้องใช้
ช่วยให้ลวดลายมีความคมชัดและทนต่อการกัดกร่อน
สารเคมีบริสุทธิ์มีความสำคัญต่อกระบวนการ EUV
ใช้ควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยที่อาจส่งผลต่อคุณภาพเวเฟอร์
ญี่ปุ่นมีความได้เปรียบในตลาดโฟโตเรซิส
ครองส่วนแบ่งตลาดระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก
ความท้าทายของเทคโนโลยี EUV
ความไวของเรซิสต่อแสง EUV อาจลดความละเอียดของลวดลาย
การควบคุมการปนเปื้อนต้องแม่นยำสูง เพราะส่งผลต่ออายุการใช้งานของหน้ากากและคุณภาพเวเฟอร์
ประเทศอื่นยังตามหลังในด้าน MOR และสารเคมี EUV
แม้จะพัฒนาเทคโนโลยี i-line/KrF ได้ดี แต่ยังไม่สามารถแข่งขันในระดับ EUV ได้
https://www.techpowerup.com/342676/japan-ramps-up-photoresist-and-mor-capacity-for-2-nm-euv-lithography
ญี่ปุ่นกำลังเดินหน้าเต็มกำลังเพื่อรองรับยุคใหม่ของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับ 2 นาโนเมตร ด้วยการลงทุนขยายโรงงานผลิตวัสดุโฟโตเรซิส (Photoresist) และโลหะออกไซด์เรซิส (MOR) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของกระบวนการลิธอกราฟีแบบ EUV (Extreme Ultraviolet Lithography)
บริษัทชั้นนำอย่าง Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Adeka และ JSR ต่างทุ่มงบประมาณหลายหมื่นล้านเยนเพื่อเพิ่มกำลังการผลิตและพัฒนาคุณภาพของวัสดุที่ใช้ในกระบวนการนี้ โดยเฉพาะ MOR ซึ่งมีคุณสมบัติเด่นในการดูดซับแสง EUV ได้ดีขึ้น ช่วยให้การถ่ายโอนลวดลายบนเวเฟอร์มีความแม่นยำและทนต่อการกัดกร่อนมากขึ้น
นอกจากนี้ยังมีการลงทุนในสารเคมีความบริสุทธิ์สูง เช่น ตัวทำละลาย น้ำยาทำความสะอาด และสารลดแรงตึงผิว ซึ่งมีบทบาทสำคัญในการควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยในกระบวนการ EUV ที่ละเอียดอ่อน
จุดที่น่าสนใจเพิ่มเติม:
MOR เป็นวัสดุที่มีส่วนผสมของโลหะ ซึ่งช่วยเพิ่มการดูดซับแสง EUV ได้มากกว่าวัสดุอินทรีย์ทั่วไป
ญี่ปุ่นครองส่วนแบ่งตลาดโฟโตเรซิสระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก
การผลิต EUV ต้องการความแม่นยำสูงมาก เพราะแม้แต่การปนเปื้อนเล็กน้อยก็อาจทำให้เวเฟอร์เสียหาย
ญี่ปุ่นลงทุนขยายกำลังผลิตวัสดุสำหรับ EUV
TOK ลงทุน ¥20 พันล้านในโรงงานใหม่ที่เกาหลีใต้ และอีก ¥12 พันล้านในโรงงานสารเคมีบริสุทธิ์
Adeka ลงทุน ¥3.2 พันล้านเพื่อผลิต MOR ที่โรงงานอิบารากิ เริ่มผลิตปี 2028
JSR เตรียมเปิดโรงงาน MOR ในเกาหลีใต้ภายในปี 2026
วัสดุ MOR มีบทบาทสำคัญในเทคโนโลยี EUV
เพิ่มการดูดซับแสง EUV ลดปริมาณแสงที่ต้องใช้
ช่วยให้ลวดลายมีความคมชัดและทนต่อการกัดกร่อน
สารเคมีบริสุทธิ์มีความสำคัญต่อกระบวนการ EUV
ใช้ควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยที่อาจส่งผลต่อคุณภาพเวเฟอร์
ญี่ปุ่นมีความได้เปรียบในตลาดโฟโตเรซิส
ครองส่วนแบ่งตลาดระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก
ความท้าทายของเทคโนโลยี EUV
ความไวของเรซิสต่อแสง EUV อาจลดความละเอียดของลวดลาย
การควบคุมการปนเปื้อนต้องแม่นยำสูง เพราะส่งผลต่ออายุการใช้งานของหน้ากากและคุณภาพเวเฟอร์
ประเทศอื่นยังตามหลังในด้าน MOR และสารเคมี EUV
แม้จะพัฒนาเทคโนโลยี i-line/KrF ได้ดี แต่ยังไม่สามารถแข่งขันในระดับ EUV ได้
https://www.techpowerup.com/342676/japan-ramps-up-photoresist-and-mor-capacity-for-2-nm-euv-lithography
🧪 ญี่ปุ่นเร่งขยายกำลังผลิตวัสดุโฟโตเรซิสและ MOR รองรับเทคโนโลยีลิธอกราฟี EUV ขนาด 2 นาโนเมตร
ญี่ปุ่นกำลังเดินหน้าเต็มกำลังเพื่อรองรับยุคใหม่ของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับ 2 นาโนเมตร ด้วยการลงทุนขยายโรงงานผลิตวัสดุโฟโตเรซิส (Photoresist) และโลหะออกไซด์เรซิส (MOR) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของกระบวนการลิธอกราฟีแบบ EUV (Extreme Ultraviolet Lithography)
บริษัทชั้นนำอย่าง Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Adeka และ JSR ต่างทุ่มงบประมาณหลายหมื่นล้านเยนเพื่อเพิ่มกำลังการผลิตและพัฒนาคุณภาพของวัสดุที่ใช้ในกระบวนการนี้ โดยเฉพาะ MOR ซึ่งมีคุณสมบัติเด่นในการดูดซับแสง EUV ได้ดีขึ้น ช่วยให้การถ่ายโอนลวดลายบนเวเฟอร์มีความแม่นยำและทนต่อการกัดกร่อนมากขึ้น
นอกจากนี้ยังมีการลงทุนในสารเคมีความบริสุทธิ์สูง เช่น ตัวทำละลาย น้ำยาทำความสะอาด และสารลดแรงตึงผิว ซึ่งมีบทบาทสำคัญในการควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยในกระบวนการ EUV ที่ละเอียดอ่อน
📌 จุดที่น่าสนใจเพิ่มเติม:
💠 MOR เป็นวัสดุที่มีส่วนผสมของโลหะ ซึ่งช่วยเพิ่มการดูดซับแสง EUV ได้มากกว่าวัสดุอินทรีย์ทั่วไป
💠 ญี่ปุ่นครองส่วนแบ่งตลาดโฟโตเรซิสระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก
💠 การผลิต EUV ต้องการความแม่นยำสูงมาก เพราะแม้แต่การปนเปื้อนเล็กน้อยก็อาจทำให้เวเฟอร์เสียหาย
✅ ญี่ปุ่นลงทุนขยายกำลังผลิตวัสดุสำหรับ EUV
➡️ TOK ลงทุน ¥20 พันล้านในโรงงานใหม่ที่เกาหลีใต้ และอีก ¥12 พันล้านในโรงงานสารเคมีบริสุทธิ์
➡️ Adeka ลงทุน ¥3.2 พันล้านเพื่อผลิต MOR ที่โรงงานอิบารากิ เริ่มผลิตปี 2028
➡️ JSR เตรียมเปิดโรงงาน MOR ในเกาหลีใต้ภายในปี 2026
✅ วัสดุ MOR มีบทบาทสำคัญในเทคโนโลยี EUV
➡️ เพิ่มการดูดซับแสง EUV ลดปริมาณแสงที่ต้องใช้
➡️ ช่วยให้ลวดลายมีความคมชัดและทนต่อการกัดกร่อน
✅ สารเคมีบริสุทธิ์มีความสำคัญต่อกระบวนการ EUV
➡️ ใช้ควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยที่อาจส่งผลต่อคุณภาพเวเฟอร์
✅ ญี่ปุ่นมีความได้เปรียบในตลาดโฟโตเรซิส
➡️ ครองส่วนแบ่งตลาดระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก
‼️ ความท้าทายของเทคโนโลยี EUV
⛔ ความไวของเรซิสต่อแสง EUV อาจลดความละเอียดของลวดลาย
⛔ การควบคุมการปนเปื้อนต้องแม่นยำสูง เพราะส่งผลต่ออายุการใช้งานของหน้ากากและคุณภาพเวเฟอร์
‼️ ประเทศอื่นยังตามหลังในด้าน MOR และสารเคมี EUV
⛔ แม้จะพัฒนาเทคโนโลยี i-line/KrF ได้ดี แต่ยังไม่สามารถแข่งขันในระดับ EUV ได้
https://www.techpowerup.com/342676/japan-ramps-up-photoresist-and-mor-capacity-for-2-nm-euv-lithography
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
43 มุมมอง
0 รีวิว