“Samsung เปิดตัว HBM4E ความเร็วทะลุ 3.25 TB/s” — ก้าวกระโดดครั้งใหญ่ของหน่วยความจำเพื่อ AI ยุคใหม่
Samsung ประกาศความก้าวหน้าครั้งสำคัญในงาน Open Compute Project (OCP) Global Summit โดยเปิดตัวหน่วยความจำ HBM4E ที่สามารถทำความเร็วได้ถึง 13 Gbps ต่อ stack และให้แบนด์วิดธ์รวมสูงสุด 3.25 TB/s ซึ่งเร็วกว่า HBM3E ถึง 2.5 เท่า
HBM4E ไม่เพียงแค่เร็วขึ้น แต่ยังมีประสิทธิภาพด้านพลังงานที่ดีกว่าเดิมถึงสองเท่า และใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 4nm ที่ Samsung สามารถควบคุมได้เองผ่านแผนก foundry ทำให้สามารถกำหนดราคาที่แข่งขันได้เพื่อดึงดูดลูกค้าอย่าง NVIDIA และ AMD
นอกจากนี้ Samsung ยังพัฒนา HBM4 ที่มีความเร็ว pin speed สูงถึง 11 Gbps ซึ่งเหนือกว่ามาตรฐาน JEDEC และตอบสนองต่อความต้องการของ NVIDIA ที่ต้องการหน่วยความจำความเร็วสูงสำหรับสถาปัตยกรรม Rubin
Samsung วางแผนเริ่มผลิต HBM4 และ HBM4E ในช่วงต้นปี 2026 ซึ่งจะเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญในอุตสาหกรรม AI และการประมวลผลประสิทธิภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อคู่แข่งอย่าง SK hynix และ Micron กำลังเผชิญการแข่งขันที่รุนแรงขึ้นเรื่อย ๆ
ข้อมูลในข่าว
Samsung เปิดตัว HBM4E ที่มีแบนด์วิดธ์สูงสุด 3.25 TB/s
ความเร็ว pin speed สูงสุด 13 Gbps ต่อ stack
เร็วกว่า HBM3E ถึง 2.5 เท่า
ประสิทธิภาพด้านพลังงานดีกว่าเดิมถึงสองเท่า
ใช้เทคโนโลยีการผลิต 4nm ที่ Samsung ควบคุมเอง
ตอบสนองต่อความต้องการของ NVIDIA สำหรับสถาปัตยกรรม Rubin
HBM4 มีความเร็ว pin speed สูงถึง 11 Gbps
เริ่มผลิต HBM4 และ HBM4E ในช่วงต้นปี 2026
Samsung ตั้งเป้าเป็นผู้นำตลาด HBM โดยใช้กลยุทธ์ด้านราคาและเทคโนโลยี
คู่แข่งอย่าง SK hynix และ Micron เผชิญการแข่งขันที่รุนแรง
https://wccftech.com/samsung-hbm4e-set-to-deliver-a-significant-bandwidth/
Samsung ประกาศความก้าวหน้าครั้งสำคัญในงาน Open Compute Project (OCP) Global Summit โดยเปิดตัวหน่วยความจำ HBM4E ที่สามารถทำความเร็วได้ถึง 13 Gbps ต่อ stack และให้แบนด์วิดธ์รวมสูงสุด 3.25 TB/s ซึ่งเร็วกว่า HBM3E ถึง 2.5 เท่า
HBM4E ไม่เพียงแค่เร็วขึ้น แต่ยังมีประสิทธิภาพด้านพลังงานที่ดีกว่าเดิมถึงสองเท่า และใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 4nm ที่ Samsung สามารถควบคุมได้เองผ่านแผนก foundry ทำให้สามารถกำหนดราคาที่แข่งขันได้เพื่อดึงดูดลูกค้าอย่าง NVIDIA และ AMD
นอกจากนี้ Samsung ยังพัฒนา HBM4 ที่มีความเร็ว pin speed สูงถึง 11 Gbps ซึ่งเหนือกว่ามาตรฐาน JEDEC และตอบสนองต่อความต้องการของ NVIDIA ที่ต้องการหน่วยความจำความเร็วสูงสำหรับสถาปัตยกรรม Rubin
Samsung วางแผนเริ่มผลิต HBM4 และ HBM4E ในช่วงต้นปี 2026 ซึ่งจะเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญในอุตสาหกรรม AI และการประมวลผลประสิทธิภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อคู่แข่งอย่าง SK hynix และ Micron กำลังเผชิญการแข่งขันที่รุนแรงขึ้นเรื่อย ๆ
ข้อมูลในข่าว
Samsung เปิดตัว HBM4E ที่มีแบนด์วิดธ์สูงสุด 3.25 TB/s
ความเร็ว pin speed สูงสุด 13 Gbps ต่อ stack
เร็วกว่า HBM3E ถึง 2.5 เท่า
ประสิทธิภาพด้านพลังงานดีกว่าเดิมถึงสองเท่า
ใช้เทคโนโลยีการผลิต 4nm ที่ Samsung ควบคุมเอง
ตอบสนองต่อความต้องการของ NVIDIA สำหรับสถาปัตยกรรม Rubin
HBM4 มีความเร็ว pin speed สูงถึง 11 Gbps
เริ่มผลิต HBM4 และ HBM4E ในช่วงต้นปี 2026
Samsung ตั้งเป้าเป็นผู้นำตลาด HBM โดยใช้กลยุทธ์ด้านราคาและเทคโนโลยี
คู่แข่งอย่าง SK hynix และ Micron เผชิญการแข่งขันที่รุนแรง
https://wccftech.com/samsung-hbm4e-set-to-deliver-a-significant-bandwidth/
🚀 “Samsung เปิดตัว HBM4E ความเร็วทะลุ 3.25 TB/s” — ก้าวกระโดดครั้งใหญ่ของหน่วยความจำเพื่อ AI ยุคใหม่
Samsung ประกาศความก้าวหน้าครั้งสำคัญในงาน Open Compute Project (OCP) Global Summit โดยเปิดตัวหน่วยความจำ HBM4E ที่สามารถทำความเร็วได้ถึง 13 Gbps ต่อ stack และให้แบนด์วิดธ์รวมสูงสุด 3.25 TB/s ซึ่งเร็วกว่า HBM3E ถึง 2.5 เท่า
HBM4E ไม่เพียงแค่เร็วขึ้น แต่ยังมีประสิทธิภาพด้านพลังงานที่ดีกว่าเดิมถึงสองเท่า และใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 4nm ที่ Samsung สามารถควบคุมได้เองผ่านแผนก foundry ทำให้สามารถกำหนดราคาที่แข่งขันได้เพื่อดึงดูดลูกค้าอย่าง NVIDIA และ AMD
นอกจากนี้ Samsung ยังพัฒนา HBM4 ที่มีความเร็ว pin speed สูงถึง 11 Gbps ซึ่งเหนือกว่ามาตรฐาน JEDEC และตอบสนองต่อความต้องการของ NVIDIA ที่ต้องการหน่วยความจำความเร็วสูงสำหรับสถาปัตยกรรม Rubin
Samsung วางแผนเริ่มผลิต HBM4 และ HBM4E ในช่วงต้นปี 2026 ซึ่งจะเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญในอุตสาหกรรม AI และการประมวลผลประสิทธิภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อคู่แข่งอย่าง SK hynix และ Micron กำลังเผชิญการแข่งขันที่รุนแรงขึ้นเรื่อย ๆ
✅ ข้อมูลในข่าว
➡️ Samsung เปิดตัว HBM4E ที่มีแบนด์วิดธ์สูงสุด 3.25 TB/s
➡️ ความเร็ว pin speed สูงสุด 13 Gbps ต่อ stack
➡️ เร็วกว่า HBM3E ถึง 2.5 เท่า
➡️ ประสิทธิภาพด้านพลังงานดีกว่าเดิมถึงสองเท่า
➡️ ใช้เทคโนโลยีการผลิต 4nm ที่ Samsung ควบคุมเอง
➡️ ตอบสนองต่อความต้องการของ NVIDIA สำหรับสถาปัตยกรรม Rubin
➡️ HBM4 มีความเร็ว pin speed สูงถึง 11 Gbps
➡️ เริ่มผลิต HBM4 และ HBM4E ในช่วงต้นปี 2026
➡️ Samsung ตั้งเป้าเป็นผู้นำตลาด HBM โดยใช้กลยุทธ์ด้านราคาและเทคโนโลยี
➡️ คู่แข่งอย่าง SK hynix และ Micron เผชิญการแข่งขันที่รุนแรง
https://wccftech.com/samsung-hbm4e-set-to-deliver-a-significant-bandwidth/
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
27 มุมมอง
0 รีวิว