“Stanford โชว์นวัตกรรม ‘ผ้าห่มเพชร’ ลดความร้อนทรานซิสเตอร์ได้ถึง 70°C – อนาคตของชิปยุค 1nm ใกล้เข้ามาแล้ว!”
ทีมวิจัยจากมหาวิทยาลัย Stanford ได้พัฒนาเทคนิคใหม่ในการจัดการความร้อนของทรานซิสเตอร์ ด้วยการใช้ “เพชร” เป็นวัสดุห่อหุ้มชิปโดยตรง ซึ่งสามารถลดอุณหภูมิได้ถึง 70°C ในการทดสอบจริง และถึง 90% ในการจำลองการทำงาน ถือเป็นก้าวกระโดดครั้งใหญ่ในสงครามกับความร้อนของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
เทคนิคนี้เรียกว่า “Diamond Blanket” โดยใช้เพชรแบบ polycrystalline ที่มีเม็ดใหญ่พิเศษ เติบโตโดยตรงบนพื้นผิวของทรานซิสเตอร์ที่อุณหภูมิ 400°C ซึ่งถือว่าต่ำพอที่จะไม่ทำลายชิ้นส่วน CMOS ภายในชิป ต่างจากวิธีเดิมที่ต้องใช้ความร้อนสูงถึง 1,000°C
ความลับของความสำเร็จอยู่ที่การเติมออกซิเจนในระดับสูงระหว่างการเติบโตของเพชร ซึ่งช่วยกำจัดคาร์บอนที่ไม่ใช่เพชรออกไป ทำให้ได้ผลึกเพชรที่นำความร้อนได้ดีมาก โดยเพชรชนิดนี้นำความร้อนได้มากกว่าทองแดงถึง 6 เท่า!
เทคนิคนี้ไม่ใช่แค่แนวคิด เพราะ DARPA หน่วยงานวิจัยของกระทรวงกลาโหมสหรัฐฯ ได้ว่าจ้าง Raytheon ให้พัฒนาเทคโนโลยีนี้ตั้งแต่ปี 2024 และตอนนี้ Stanford ก็เตรียมนำไปใช้ร่วมกับบริษัทใหญ่อย่าง TSMC, Micron และ Samsung เพื่อผลักดันสู่การผลิตจริงภายในปี 2027
นวัตกรรม Diamond Blanket จาก Stanford
ใช้เพชรห่อหุ้มทรานซิสเตอร์โดยตรงเพื่อลดความร้อน
ลดอุณหภูมิได้ถึง 70°C ในการทดสอบจริง และ 90% ในการจำลอง
ใช้เพชรแบบ polycrystalline เม็ดใหญ่พิเศษ
เติบโตที่อุณหภูมิ 400°C ซึ่งปลอดภัยต่อ CMOS
เติมออกซิเจนเพื่อกำจัดคาร์บอนที่ไม่ใช่เพชร
เพชรนำความร้อนได้มากกว่าทองแดงถึง 6 เท่า
เหมาะกับชิปแบบ 3D ที่มีปัญหาความร้อนสะสมภายใน
การสนับสนุนและแผนการนำไปใช้
DARPA เคยว่าจ้าง Raytheon พัฒนาเทคโนโลยีนี้ในปี 2024
Stanford เตรียมร่วมมือกับ TSMC, Micron และ Samsung
คาดว่าจะเริ่มใช้งานจริงในอุตสาหกรรมภายในปี 2027
อาจเป็นทางออกก่อนเข้าสู่ยุคหลังซิลิคอน
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/diamond-blanket-transistor-cooling-method-sees-incredible-success-in-testing-growing-micrometer-scale-diamond-layer-directly-on-transistors-drops-temps-by-70-c
ทีมวิจัยจากมหาวิทยาลัย Stanford ได้พัฒนาเทคนิคใหม่ในการจัดการความร้อนของทรานซิสเตอร์ ด้วยการใช้ “เพชร” เป็นวัสดุห่อหุ้มชิปโดยตรง ซึ่งสามารถลดอุณหภูมิได้ถึง 70°C ในการทดสอบจริง และถึง 90% ในการจำลองการทำงาน ถือเป็นก้าวกระโดดครั้งใหญ่ในสงครามกับความร้อนของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
เทคนิคนี้เรียกว่า “Diamond Blanket” โดยใช้เพชรแบบ polycrystalline ที่มีเม็ดใหญ่พิเศษ เติบโตโดยตรงบนพื้นผิวของทรานซิสเตอร์ที่อุณหภูมิ 400°C ซึ่งถือว่าต่ำพอที่จะไม่ทำลายชิ้นส่วน CMOS ภายในชิป ต่างจากวิธีเดิมที่ต้องใช้ความร้อนสูงถึง 1,000°C
ความลับของความสำเร็จอยู่ที่การเติมออกซิเจนในระดับสูงระหว่างการเติบโตของเพชร ซึ่งช่วยกำจัดคาร์บอนที่ไม่ใช่เพชรออกไป ทำให้ได้ผลึกเพชรที่นำความร้อนได้ดีมาก โดยเพชรชนิดนี้นำความร้อนได้มากกว่าทองแดงถึง 6 เท่า!
เทคนิคนี้ไม่ใช่แค่แนวคิด เพราะ DARPA หน่วยงานวิจัยของกระทรวงกลาโหมสหรัฐฯ ได้ว่าจ้าง Raytheon ให้พัฒนาเทคโนโลยีนี้ตั้งแต่ปี 2024 และตอนนี้ Stanford ก็เตรียมนำไปใช้ร่วมกับบริษัทใหญ่อย่าง TSMC, Micron และ Samsung เพื่อผลักดันสู่การผลิตจริงภายในปี 2027
นวัตกรรม Diamond Blanket จาก Stanford
ใช้เพชรห่อหุ้มทรานซิสเตอร์โดยตรงเพื่อลดความร้อน
ลดอุณหภูมิได้ถึง 70°C ในการทดสอบจริง และ 90% ในการจำลอง
ใช้เพชรแบบ polycrystalline เม็ดใหญ่พิเศษ
เติบโตที่อุณหภูมิ 400°C ซึ่งปลอดภัยต่อ CMOS
เติมออกซิเจนเพื่อกำจัดคาร์บอนที่ไม่ใช่เพชร
เพชรนำความร้อนได้มากกว่าทองแดงถึง 6 เท่า
เหมาะกับชิปแบบ 3D ที่มีปัญหาความร้อนสะสมภายใน
การสนับสนุนและแผนการนำไปใช้
DARPA เคยว่าจ้าง Raytheon พัฒนาเทคโนโลยีนี้ในปี 2024
Stanford เตรียมร่วมมือกับ TSMC, Micron และ Samsung
คาดว่าจะเริ่มใช้งานจริงในอุตสาหกรรมภายในปี 2027
อาจเป็นทางออกก่อนเข้าสู่ยุคหลังซิลิคอน
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/diamond-blanket-transistor-cooling-method-sees-incredible-success-in-testing-growing-micrometer-scale-diamond-layer-directly-on-transistors-drops-temps-by-70-c
💎 “Stanford โชว์นวัตกรรม ‘ผ้าห่มเพชร’ ลดความร้อนทรานซิสเตอร์ได้ถึง 70°C – อนาคตของชิปยุค 1nm ใกล้เข้ามาแล้ว!”
ทีมวิจัยจากมหาวิทยาลัย Stanford ได้พัฒนาเทคนิคใหม่ในการจัดการความร้อนของทรานซิสเตอร์ ด้วยการใช้ “เพชร” เป็นวัสดุห่อหุ้มชิปโดยตรง ซึ่งสามารถลดอุณหภูมิได้ถึง 70°C ในการทดสอบจริง และถึง 90% ในการจำลองการทำงาน ถือเป็นก้าวกระโดดครั้งใหญ่ในสงครามกับความร้อนของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
เทคนิคนี้เรียกว่า “Diamond Blanket” โดยใช้เพชรแบบ polycrystalline ที่มีเม็ดใหญ่พิเศษ เติบโตโดยตรงบนพื้นผิวของทรานซิสเตอร์ที่อุณหภูมิ 400°C ซึ่งถือว่าต่ำพอที่จะไม่ทำลายชิ้นส่วน CMOS ภายในชิป ต่างจากวิธีเดิมที่ต้องใช้ความร้อนสูงถึง 1,000°C
ความลับของความสำเร็จอยู่ที่การเติมออกซิเจนในระดับสูงระหว่างการเติบโตของเพชร ซึ่งช่วยกำจัดคาร์บอนที่ไม่ใช่เพชรออกไป ทำให้ได้ผลึกเพชรที่นำความร้อนได้ดีมาก โดยเพชรชนิดนี้นำความร้อนได้มากกว่าทองแดงถึง 6 เท่า!
เทคนิคนี้ไม่ใช่แค่แนวคิด เพราะ DARPA หน่วยงานวิจัยของกระทรวงกลาโหมสหรัฐฯ ได้ว่าจ้าง Raytheon ให้พัฒนาเทคโนโลยีนี้ตั้งแต่ปี 2024 และตอนนี้ Stanford ก็เตรียมนำไปใช้ร่วมกับบริษัทใหญ่อย่าง TSMC, Micron และ Samsung เพื่อผลักดันสู่การผลิตจริงภายในปี 2027
✅ นวัตกรรม Diamond Blanket จาก Stanford
➡️ ใช้เพชรห่อหุ้มทรานซิสเตอร์โดยตรงเพื่อลดความร้อน
➡️ ลดอุณหภูมิได้ถึง 70°C ในการทดสอบจริง และ 90% ในการจำลอง
➡️ ใช้เพชรแบบ polycrystalline เม็ดใหญ่พิเศษ
➡️ เติบโตที่อุณหภูมิ 400°C ซึ่งปลอดภัยต่อ CMOS
➡️ เติมออกซิเจนเพื่อกำจัดคาร์บอนที่ไม่ใช่เพชร
➡️ เพชรนำความร้อนได้มากกว่าทองแดงถึง 6 เท่า
➡️ เหมาะกับชิปแบบ 3D ที่มีปัญหาความร้อนสะสมภายใน
✅ การสนับสนุนและแผนการนำไปใช้
➡️ DARPA เคยว่าจ้าง Raytheon พัฒนาเทคโนโลยีนี้ในปี 2024
➡️ Stanford เตรียมร่วมมือกับ TSMC, Micron และ Samsung
➡️ คาดว่าจะเริ่มใช้งานจริงในอุตสาหกรรมภายในปี 2027
➡️ อาจเป็นทางออกก่อนเข้าสู่ยุคหลังซิลิคอน
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/diamond-blanket-transistor-cooling-method-sees-incredible-success-in-testing-growing-micrometer-scale-diamond-layer-directly-on-transistors-drops-temps-by-70-c
0 Comments
0 Shares
108 Views
0 Reviews
Thai