TSMC āļāļģāļĨāļąāļāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļļāļāļāļĢāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ āļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļ 1.4 nm āļāļĩāđāđāļĢāļāļāļēāļ P2 Baoshan āđāļāļĒāđāļāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļāļēāļĢāļāđāļāļĒāļāļāļāļēāļ 2 nm āļāļĩāđāļāļģāļĨāļąāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđ Mass Production āđāļāļāļĩ 2025 āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāđāļ§āđāļē āđāļĢāļāļāļēāļ P3 āđāļĨāļ° P4 āļāļ°āđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027 āđāļĨāļ° P1 āļāļēāļāđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļāļŠāļāļāđāļāđāđāļāļāļĩ 2027 āļāļāļ°āļāļĩāđ Intel āđāļĨāļ° Samsung āļāļģāļĨāļąāļāđāļĢāđāļāļāļąāļāļāļē 14A āđāļĨāļ° SF2/SF3P āđāļāļ·āđāļāļāđāļāļāļĢāļāļąāļ N2 āđāļĨāļ° 1.4 nm āļāļāļ TSMC
P2 Baoshan āļāļ°āđāļāđāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāļĨāļēāļāļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļāļāđāļāļāļāļĒāļēāļĒāđāļāļĒāļąāļ P3 āđāļĨāļ° P4
- TSMC āļ§āļēāļāđāļāļāđāļāđ āđāļĢāļāļāļēāļ Fab 20 āđāļ Baoshan āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1.4 nm
- āđāļŦāļĨāđāļāļāđāļēāļ§āļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē āđāļĢāļāļāļēāļ P3 āđāļĨāļ° P4 āļāļēāļāđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027
TSMC āđāļĢāđāļāļāļąāļāļāļē 2 nm āļāļĢāđāļāļĄāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļĒāļēāļĒāđāļāļŠāļđāđ 1.4 nm
- āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ 2 nm (N2) āļāļģāļĨāļąāļāļāļ°āđāļāđāļēāļŠāļđāđ Mass Production āđāļāļāļĢāļķāđāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĩ 2025
- āļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļ 1.4 nm āļāļ°āđāļāđāļāļāļēāļĢāļāđāļāļĒāļāļāļāļēāļ N2 āđāļĨāļ°āļāļĒāļēāļĒāđāļāļĒāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļ·āđāļ āđ āđāļāļāļāļēāļāļ
āđāļĢāļāļāļēāļ Fab 25 āļāļēāļāļĄāļĩāļŠāđāļ§āļāļĢāđāļ§āļĄāđāļāļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļ 1.4 nm āļāđāļ§āļĒ
- āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē Fab 25 āđāļ Central Taiwan Science Park āļāļēāļāđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāđāļāļĢāļāļāļēāļĢāļāļĩāđ
- āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāđāļ§āđāļē 4 āđāļĢāļāļāļēāļāļāļ°āļāļģāļāļēāļāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāļāļīāļ 1.4 nm
āđāļŦāļĨāđāļāļāđāļēāļ§āļāļēāļāļ§āđāļē "P1" āļāļ°āđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļāļŠāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027
- āļāļēāļĄāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļāļ TrendForce āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ Risk Trial Production āļāļāļ P1 āļāļ°āđāļĢāļīāđāļĄāđāļāļāļĩ 2027
- āļāļēāļāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāđāļāļāļĩāļāļąāļāđāļ āđāļāļ·āđāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāđāļāļāļĩ 2028
āļāļēāļĢāđāļāđāļāļāļąāļāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđāđāļāđāļĄāļāđāļāļāļķāđāļ
- Intel āđāļĨāļ° Samsung āļāļģāļĨāļąāļāļāļąāļāļāļē 14A āđāļĨāļ° SF2/SF3P āđāļāļ·āđāļāļāđāļāļāļĢāļāļąāļ N2 āđāļĨāļ° 1.4 nm āļāļāļ TSMC
- āļāļąāļāļ§āļīāđāļāļĢāļēāļ°āļŦāđāļāļēāļ TechInsights āļāļēāļāļ§āđāļē N2 āļāļāļ TSMC āļāļ°āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļŦāļāļēāđāļāđāļāļāļĢāļēāļāļāļīāļŠāđāļāļāļĢāđāļŠāļđāļāļāļ§āđāļēāļāļđāđāđāļāđāļ
- āļāļąāļāļĢāļē High-Density (HD) Cell Density āļāļāļ N2 āļŠāļđāļāļāļķāļ 313 MTr/mm² āļāļāļ°āļāļĩāđ Intel 18A āļĄāļĩ 238 MTr/mm² āđāļĨāļ° Samsung SF2/SF3P āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 231 MTr/mm²
https://www.techpowerup.com/334931/tsmc-reportedly-preparing-new-equipment-for-1-4-nm-trial-run-at-p2-baoshan-plant
P2 Baoshan āļāļ°āđāļāđāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāļĨāļēāļāļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļāļāđāļāļāļāļĒāļēāļĒāđāļāļĒāļąāļ P3 āđāļĨāļ° P4
- TSMC āļ§āļēāļāđāļāļāđāļāđ āđāļĢāļāļāļēāļ Fab 20 āđāļ Baoshan āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1.4 nm
- āđāļŦāļĨāđāļāļāđāļēāļ§āļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē āđāļĢāļāļāļēāļ P3 āđāļĨāļ° P4 āļāļēāļāđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027
TSMC āđāļĢāđāļāļāļąāļāļāļē 2 nm āļāļĢāđāļāļĄāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļĒāļēāļĒāđāļāļŠāļđāđ 1.4 nm
- āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ 2 nm (N2) āļāļģāļĨāļąāļāļāļ°āđāļāđāļēāļŠāļđāđ Mass Production āđāļāļāļĢāļķāđāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĩ 2025
- āļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļ 1.4 nm āļāļ°āđāļāđāļāļāļēāļĢāļāđāļāļĒāļāļāļāļēāļ N2 āđāļĨāļ°āļāļĒāļēāļĒāđāļāļĒāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļ·āđāļ āđ āđāļāļāļāļēāļāļ
āđāļĢāļāļāļēāļ Fab 25 āļāļēāļāļĄāļĩāļŠāđāļ§āļāļĢāđāļ§āļĄāđāļāļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļ 1.4 nm āļāđāļ§āļĒ
- āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē Fab 25 āđāļ Central Taiwan Science Park āļāļēāļāđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāđāļāļĢāļāļāļēāļĢāļāļĩāđ
- āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāđāļ§āđāļē 4 āđāļĢāļāļāļēāļāļāļ°āļāļģāļāļēāļāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāļāļīāļ 1.4 nm
āđāļŦāļĨāđāļāļāđāļēāļ§āļāļēāļāļ§āđāļē "P1" āļāļ°āđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļāļŠāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027
- āļāļēāļĄāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļāļ TrendForce āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ Risk Trial Production āļāļāļ P1 āļāļ°āđāļĢāļīāđāļĄāđāļāļāļĩ 2027
- āļāļēāļāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāđāļāļāļĩāļāļąāļāđāļ āđāļāļ·āđāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāđāļāļāļĩ 2028
āļāļēāļĢāđāļāđāļāļāļąāļāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđāđāļāđāļĄāļāđāļāļāļķāđāļ
- Intel āđāļĨāļ° Samsung āļāļģāļĨāļąāļāļāļąāļāļāļē 14A āđāļĨāļ° SF2/SF3P āđāļāļ·āđāļāļāđāļāļāļĢāļāļąāļ N2 āđāļĨāļ° 1.4 nm āļāļāļ TSMC
- āļāļąāļāļ§āļīāđāļāļĢāļēāļ°āļŦāđāļāļēāļ TechInsights āļāļēāļāļ§āđāļē N2 āļāļāļ TSMC āļāļ°āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļŦāļāļēāđāļāđāļāļāļĢāļēāļāļāļīāļŠāđāļāļāļĢāđāļŠāļđāļāļāļ§āđāļēāļāļđāđāđāļāđāļ
- āļāļąāļāļĢāļē High-Density (HD) Cell Density āļāļāļ N2 āļŠāļđāļāļāļķāļ 313 MTr/mm² āļāļāļ°āļāļĩāđ Intel 18A āļĄāļĩ 238 MTr/mm² āđāļĨāļ° Samsung SF2/SF3P āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 231 MTr/mm²
https://www.techpowerup.com/334931/tsmc-reportedly-preparing-new-equipment-for-1-4-nm-trial-run-at-p2-baoshan-plant
TSMC āļāļģāļĨāļąāļāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļļāļāļāļĢāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ āļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļ 1.4 nm āļāļĩāđāđāļĢāļāļāļēāļ P2 Baoshan āđāļāļĒāđāļāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļāļēāļĢāļāđāļāļĒāļāļāļāļēāļ 2 nm āļāļĩāđāļāļģāļĨāļąāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđ Mass Production āđāļāļāļĩ 2025 āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāđāļ§āđāļē āđāļĢāļāļāļēāļ P3 āđāļĨāļ° P4 āļāļ°āđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027 āđāļĨāļ° P1 āļāļēāļāđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļāļŠāļāļāđāļāđāđāļāļāļĩ 2027 āļāļāļ°āļāļĩāđ Intel āđāļĨāļ° Samsung āļāļģāļĨāļąāļāđāļĢāđāļāļāļąāļāļāļē 14A āđāļĨāļ° SF2/SF3P āđāļāļ·āđāļāļāđāļāļāļĢāļāļąāļ N2 āđāļĨāļ° 1.4 nm āļāļāļ TSMC
â
P2 Baoshan āļāļ°āđāļāđāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāļĨāļēāļāļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļāļāđāļāļāļāļĒāļēāļĒāđāļāļĒāļąāļ P3 āđāļĨāļ° P4
- TSMC āļ§āļēāļāđāļāļāđāļāđ āđāļĢāļāļāļēāļ Fab 20 āđāļ Baoshan āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1.4 nm
- āđāļŦāļĨāđāļāļāđāļēāļ§āļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē āđāļĢāļāļāļēāļ P3 āđāļĨāļ° P4 āļāļēāļāđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027
â
TSMC āđāļĢāđāļāļāļąāļāļāļē 2 nm āļāļĢāđāļāļĄāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļĒāļēāļĒāđāļāļŠāļđāđ 1.4 nm
- āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ 2 nm (N2) āļāļģāļĨāļąāļāļāļ°āđāļāđāļēāļŠāļđāđ Mass Production āđāļāļāļĢāļķāđāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĩ 2025
- āļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļ 1.4 nm āļāļ°āđāļāđāļāļāļēāļĢāļāđāļāļĒāļāļāļāļēāļ N2 āđāļĨāļ°āļāļĒāļēāļĒāđāļāļĒāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļ·āđāļ āđ āđāļāļāļāļēāļāļ
â
āđāļĢāļāļāļēāļ Fab 25 āļāļēāļāļĄāļĩāļŠāđāļ§āļāļĢāđāļ§āļĄāđāļāļāļēāļĢāļāļāļĨāļāļāļāļĨāļīāļ 1.4 nm āļāđāļ§āļĒ
- āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē Fab 25 āđāļ Central Taiwan Science Park āļāļēāļāđāļāđāļēāļĢāđāļ§āļĄāđāļāļĢāļāļāļēāļĢāļāļĩāđ
- āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāđāļ§āđāļē 4 āđāļĢāļāļāļēāļāļāļ°āļāļģāļāļēāļāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāļāļīāļ 1.4 nm
â
āđāļŦāļĨāđāļāļāđāļēāļ§āļāļēāļāļ§āđāļē "P1" āļāļ°āđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļāļŠāļāļāļ āļēāļĒāđāļāļāļĩ 2027
- āļāļēāļĄāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļāļ TrendForce āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ Risk Trial Production āļāļāļ P1 āļāļ°āđāļĢāļīāđāļĄāđāļāļāļĩ 2027
- āļāļēāļāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļāđāļāļāļĩāļāļąāļāđāļ āđāļāļ·āđāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāđāļāļāļĩ 2028
â
āļāļēāļĢāđāļāđāļāļāļąāļāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđāđāļāđāļĄāļāđāļāļāļķāđāļ
- Intel āđāļĨāļ° Samsung āļāļģāļĨāļąāļāļāļąāļāļāļē 14A āđāļĨāļ° SF2/SF3P āđāļāļ·āđāļāļāđāļāļāļĢāļāļąāļ N2 āđāļĨāļ° 1.4 nm āļāļāļ TSMC
- āļāļąāļāļ§āļīāđāļāļĢāļēāļ°āļŦāđāļāļēāļ TechInsights āļāļēāļāļ§āđāļē N2 āļāļāļ TSMC āļāļ°āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļŦāļāļēāđāļāđāļāļāļĢāļēāļāļāļīāļŠāđāļāļāļĢāđāļŠāļđāļāļāļ§āđāļēāļāļđāđāđāļāđāļ
- āļāļąāļāļĢāļē High-Density (HD) Cell Density āļāļāļ N2 āļŠāļđāļāļāļķāļ 313 MTr/mm² āļāļāļ°āļāļĩāđ Intel 18A āļĄāļĩ 238 MTr/mm² āđāļĨāļ° Samsung SF2/SF3P āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 231 MTr/mm²
https://www.techpowerup.com/334931/tsmc-reportedly-preparing-new-equipment-for-1-4-nm-trial-run-at-p2-baoshan-plant
0 Comments
0 Shares
328 Views
0 Reviews