SK hynix ได้เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำ HBM4 เป็นครั้งแรกในงาน TSMC's North America Technology Symposium โดยเทคโนโลยีนี้มีความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลสูงถึง 48 GB และมีแบนด์วิดท์ที่น่าทึ่งถึง 2.0 TB/s พร้อมความเร็ว I/O ที่ 8.0 Gbps ซึ่งถือว่าเป็นก้าวสำคัญในตลาดหน่วยความจำ HBM (High Bandwidth Memory)
SK hynix ยังได้แสดงเทคโนโลยี HBM3E ที่มีความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลสูงสุด 16 ชั้น และแบนด์วิดท์ 1.2 TB/s ซึ่งจะถูกนำไปใช้ใน AI clusters ของ NVIDIA เช่น GB300 "Blackwell Ultra" นอกจากนี้ยังมีการเปิดตัวหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ เช่น RDIMMs และ MRDIMMs ที่มีความเร็วสูงสุดถึง 12.8 Gbps และความจุสูงสุด 256 GB
เทคโนโลยี HBM4 ของ SK hynix ได้รับการพัฒนาโดยใช้เทคนิค Advanced MR-MUF และ TSV ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการเชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำ และคาดว่าจะเริ่มการผลิตในเชิงพาณิชย์ในช่วงครึ่งหลังของปี 2025
✅ การเปิดตัว HBM4
- ความจุสูงสุด 48 GB และแบนด์วิดท์ 2.0 TB/s
- ความเร็ว I/O สูงถึง 8.0 Gbps
✅ การพัฒนา HBM3E
- ความจุสูงสุด 16 ชั้น และแบนด์วิดท์ 1.2 TB/s
- ใช้ใน AI clusters ของ NVIDIA เช่น GB300 "Blackwell Ultra"
✅ การพัฒนาเทคโนโลยีเซิร์ฟเวอร์
- RDIMMs และ MRDIMMs มีความเร็วสูงสุด 12.8 Gbps
- ความจุสูงสุด 256 GB
✅ เป้าหมายของ SK hynix
- เป็นผู้นำในตลาด HBM และ DRAM ผ่านการพัฒนาเทคโนโลยีใหม่
https://wccftech.com/sk-hynix-showcases-world-first-hbm4-technology-to-the-public/
SK hynix ยังได้แสดงเทคโนโลยี HBM3E ที่มีความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลสูงสุด 16 ชั้น และแบนด์วิดท์ 1.2 TB/s ซึ่งจะถูกนำไปใช้ใน AI clusters ของ NVIDIA เช่น GB300 "Blackwell Ultra" นอกจากนี้ยังมีการเปิดตัวหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ เช่น RDIMMs และ MRDIMMs ที่มีความเร็วสูงสุดถึง 12.8 Gbps และความจุสูงสุด 256 GB
เทคโนโลยี HBM4 ของ SK hynix ได้รับการพัฒนาโดยใช้เทคนิค Advanced MR-MUF และ TSV ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการเชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำ และคาดว่าจะเริ่มการผลิตในเชิงพาณิชย์ในช่วงครึ่งหลังของปี 2025
✅ การเปิดตัว HBM4
- ความจุสูงสุด 48 GB และแบนด์วิดท์ 2.0 TB/s
- ความเร็ว I/O สูงถึง 8.0 Gbps
✅ การพัฒนา HBM3E
- ความจุสูงสุด 16 ชั้น และแบนด์วิดท์ 1.2 TB/s
- ใช้ใน AI clusters ของ NVIDIA เช่น GB300 "Blackwell Ultra"
✅ การพัฒนาเทคโนโลยีเซิร์ฟเวอร์
- RDIMMs และ MRDIMMs มีความเร็วสูงสุด 12.8 Gbps
- ความจุสูงสุด 256 GB
✅ เป้าหมายของ SK hynix
- เป็นผู้นำในตลาด HBM และ DRAM ผ่านการพัฒนาเทคโนโลยีใหม่
https://wccftech.com/sk-hynix-showcases-world-first-hbm4-technology-to-the-public/
SK hynix ได้เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำ HBM4 เป็นครั้งแรกในงาน TSMC's North America Technology Symposium โดยเทคโนโลยีนี้มีความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลสูงถึง 48 GB และมีแบนด์วิดท์ที่น่าทึ่งถึง 2.0 TB/s พร้อมความเร็ว I/O ที่ 8.0 Gbps ซึ่งถือว่าเป็นก้าวสำคัญในตลาดหน่วยความจำ HBM (High Bandwidth Memory)
SK hynix ยังได้แสดงเทคโนโลยี HBM3E ที่มีความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลสูงสุด 16 ชั้น และแบนด์วิดท์ 1.2 TB/s ซึ่งจะถูกนำไปใช้ใน AI clusters ของ NVIDIA เช่น GB300 "Blackwell Ultra" นอกจากนี้ยังมีการเปิดตัวหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ เช่น RDIMMs และ MRDIMMs ที่มีความเร็วสูงสุดถึง 12.8 Gbps และความจุสูงสุด 256 GB
เทคโนโลยี HBM4 ของ SK hynix ได้รับการพัฒนาโดยใช้เทคนิค Advanced MR-MUF และ TSV ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการเชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำ และคาดว่าจะเริ่มการผลิตในเชิงพาณิชย์ในช่วงครึ่งหลังของปี 2025
✅ การเปิดตัว HBM4
- ความจุสูงสุด 48 GB และแบนด์วิดท์ 2.0 TB/s
- ความเร็ว I/O สูงถึง 8.0 Gbps
✅ การพัฒนา HBM3E
- ความจุสูงสุด 16 ชั้น และแบนด์วิดท์ 1.2 TB/s
- ใช้ใน AI clusters ของ NVIDIA เช่น GB300 "Blackwell Ultra"
✅ การพัฒนาเทคโนโลยีเซิร์ฟเวอร์
- RDIMMs และ MRDIMMs มีความเร็วสูงสุด 12.8 Gbps
- ความจุสูงสุด 256 GB
✅ เป้าหมายของ SK hynix
- เป็นผู้นำในตลาด HBM และ DRAM ผ่านการพัฒนาเทคโนโลยีใหม่
https://wccftech.com/sk-hynix-showcases-world-first-hbm4-technology-to-the-public/
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
49 มุมมอง
0 รีวิว