“Samsung ได้รับการรับรอง HBM3E จาก Nvidia — หุ้นพุ่ง 5% พร้อมเร่งเครื่องสู่สนาม HBM4 แข่งกับ SK hynix และ Micron”
หลังจากรอคอยมานานกว่า 18 เดือน Samsung ก็ได้รับการรับรองจาก Nvidia สำหรับชิปหน่วยความจำ HBM3E แบบ 12 ชั้น ซึ่งจะถูกนำไปใช้ในการ์ดเร่ง AI รุ่นสูงอย่าง DGX B300 ของ Nvidia และ MI350 ของ AMD ข่าวนี้ส่งผลให้หุ้นของ Samsung พุ่งขึ้นทันที 5% สะท้อนความมั่นใจของนักลงทุนว่าบริษัทสามารถกลับเข้าสู่การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำความเร็วสูงได้อีกครั้ง
ก่อนหน้านี้ SK hynix และ Micron ได้รับการรับรองและเริ่มส่งมอบ HBM3E ให้ Nvidia ไปแล้ว ทำให้ Samsungกลายเป็นผู้ผลิตรายที่สามที่เข้าร่วมในห่วงโซ่อุปทานนี้ โดยแม้จะยังไม่สามารถส่งมอบในปริมาณมากจนถึงปี 2026 แต่การผ่านการรับรองถือเป็นก้าวสำคัญที่ช่วยให้ Samsung กลับมาอยู่ในเกม
HBM3E เป็นหน่วยความจำที่มีความเร็วสูงสุดในตลาดปัจจุบัน โดยมีแบนด์วิดธ์ถึง 1.2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยี 12-layer DRAM ซึ่งเหนือกว่ารุ่นก่อนหน้าอย่าง HBM3 ที่มีเพียง 8 ชั้น
ขณะเดียวกัน Samsung ก็เร่งพัฒนา HBM4 ซึ่งเป็นหน่วยความจำรุ่นถัดไปที่มีแบนด์วิดธ์สูงถึง 2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 3–4 นาโนเมตร ทำให้สามารถเพิ่มความจุเป็น 64 GB ต่อชิป พร้อมลดการใช้พลังงานลงถึง 30%
แม้ SK hynix จะประกาศเสร็จสิ้นการพัฒนา HBM4 ไปก่อนแล้ว แต่ Samsung ก็อยู่ระหว่างการส่งตัวอย่างให้ Nvidia และตั้งเป้าเริ่มผลิตจำนวนมากในครึ่งแรกของปี 2026 โดยมีเป้าหมายชัดเจนในการแซงคู่แข่งทั้งด้านประสิทธิภาพและปริมาณการผลิต
ความคืบหน้าของ Samsung ในตลาด HBM
Samsung ได้รับการรับรองจาก Nvidia สำหรับชิป HBM3E แบบ 12 ชั้น
หุ้น Samsung พุ่งขึ้นกว่า 5% หลังข่าวการรับรองเผยแพร่
ชิป HBM3E จะถูกใช้ใน Nvidia DGX B300 และ AMD MI350
Samsung เป็นผู้ผลิตรายที่สามที่ได้รับการรับรอง ต่อจาก SK hynix และ Micron
คุณสมบัติของ HBM3E และ HBM4
HBM3E มีแบนด์วิดธ์ 1.2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยี 12-layer DRAM
HBM4 จะมีแบนด์วิดธ์สูงถึง 2 TB/s และความจุ 64 GB ต่อชิป
ใช้กระบวนการผลิตระดับ 3–4 นาโนเมตร ลดการใช้พลังงานลง 20–30%
Samsung ตั้งเป้าเริ่มผลิต HBM4 จำนวนมากในครึ่งแรกของปี 2026
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
Nvidia กำหนดมาตรฐาน HBM4 ที่สูงขึ้น เช่น 10–11 Gbps ต่อ pin
Samsung แสดงความสามารถถึง 11 Gbps ซึ่งเหนือกว่า SK hynix ที่ทำได้ 10 Gbps
Micron ยังประสบปัญหาในการผ่านมาตรฐาน HBM4 ของ Nvidia2
ตลาด HBM คาดว่าจะเติบโต 30% ต่อปีจนถึงปี 2030 ตามการคาดการณ์ของ SK hynix
https://www.tomshardware.com/tech-industry/samsung-earns-nvidias-certification-for-its-hbm3-memory-stock-jumps-5-percent-as-company-finally-catches-up-to-sk-hynix-and-micron-in-hbm3e-production
หลังจากรอคอยมานานกว่า 18 เดือน Samsung ก็ได้รับการรับรองจาก Nvidia สำหรับชิปหน่วยความจำ HBM3E แบบ 12 ชั้น ซึ่งจะถูกนำไปใช้ในการ์ดเร่ง AI รุ่นสูงอย่าง DGX B300 ของ Nvidia และ MI350 ของ AMD ข่าวนี้ส่งผลให้หุ้นของ Samsung พุ่งขึ้นทันที 5% สะท้อนความมั่นใจของนักลงทุนว่าบริษัทสามารถกลับเข้าสู่การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำความเร็วสูงได้อีกครั้ง
ก่อนหน้านี้ SK hynix และ Micron ได้รับการรับรองและเริ่มส่งมอบ HBM3E ให้ Nvidia ไปแล้ว ทำให้ Samsungกลายเป็นผู้ผลิตรายที่สามที่เข้าร่วมในห่วงโซ่อุปทานนี้ โดยแม้จะยังไม่สามารถส่งมอบในปริมาณมากจนถึงปี 2026 แต่การผ่านการรับรองถือเป็นก้าวสำคัญที่ช่วยให้ Samsung กลับมาอยู่ในเกม
HBM3E เป็นหน่วยความจำที่มีความเร็วสูงสุดในตลาดปัจจุบัน โดยมีแบนด์วิดธ์ถึง 1.2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยี 12-layer DRAM ซึ่งเหนือกว่ารุ่นก่อนหน้าอย่าง HBM3 ที่มีเพียง 8 ชั้น
ขณะเดียวกัน Samsung ก็เร่งพัฒนา HBM4 ซึ่งเป็นหน่วยความจำรุ่นถัดไปที่มีแบนด์วิดธ์สูงถึง 2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 3–4 นาโนเมตร ทำให้สามารถเพิ่มความจุเป็น 64 GB ต่อชิป พร้อมลดการใช้พลังงานลงถึง 30%
แม้ SK hynix จะประกาศเสร็จสิ้นการพัฒนา HBM4 ไปก่อนแล้ว แต่ Samsung ก็อยู่ระหว่างการส่งตัวอย่างให้ Nvidia และตั้งเป้าเริ่มผลิตจำนวนมากในครึ่งแรกของปี 2026 โดยมีเป้าหมายชัดเจนในการแซงคู่แข่งทั้งด้านประสิทธิภาพและปริมาณการผลิต
ความคืบหน้าของ Samsung ในตลาด HBM
Samsung ได้รับการรับรองจาก Nvidia สำหรับชิป HBM3E แบบ 12 ชั้น
หุ้น Samsung พุ่งขึ้นกว่า 5% หลังข่าวการรับรองเผยแพร่
ชิป HBM3E จะถูกใช้ใน Nvidia DGX B300 และ AMD MI350
Samsung เป็นผู้ผลิตรายที่สามที่ได้รับการรับรอง ต่อจาก SK hynix และ Micron
คุณสมบัติของ HBM3E และ HBM4
HBM3E มีแบนด์วิดธ์ 1.2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยี 12-layer DRAM
HBM4 จะมีแบนด์วิดธ์สูงถึง 2 TB/s และความจุ 64 GB ต่อชิป
ใช้กระบวนการผลิตระดับ 3–4 นาโนเมตร ลดการใช้พลังงานลง 20–30%
Samsung ตั้งเป้าเริ่มผลิต HBM4 จำนวนมากในครึ่งแรกของปี 2026
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
Nvidia กำหนดมาตรฐาน HBM4 ที่สูงขึ้น เช่น 10–11 Gbps ต่อ pin
Samsung แสดงความสามารถถึง 11 Gbps ซึ่งเหนือกว่า SK hynix ที่ทำได้ 10 Gbps
Micron ยังประสบปัญหาในการผ่านมาตรฐาน HBM4 ของ Nvidia2
ตลาด HBM คาดว่าจะเติบโต 30% ต่อปีจนถึงปี 2030 ตามการคาดการณ์ของ SK hynix
https://www.tomshardware.com/tech-industry/samsung-earns-nvidias-certification-for-its-hbm3-memory-stock-jumps-5-percent-as-company-finally-catches-up-to-sk-hynix-and-micron-in-hbm3e-production
🚀 “Samsung ได้รับการรับรอง HBM3E จาก Nvidia — หุ้นพุ่ง 5% พร้อมเร่งเครื่องสู่สนาม HBM4 แข่งกับ SK hynix และ Micron”
หลังจากรอคอยมานานกว่า 18 เดือน Samsung ก็ได้รับการรับรองจาก Nvidia สำหรับชิปหน่วยความจำ HBM3E แบบ 12 ชั้น ซึ่งจะถูกนำไปใช้ในการ์ดเร่ง AI รุ่นสูงอย่าง DGX B300 ของ Nvidia และ MI350 ของ AMD ข่าวนี้ส่งผลให้หุ้นของ Samsung พุ่งขึ้นทันที 5% สะท้อนความมั่นใจของนักลงทุนว่าบริษัทสามารถกลับเข้าสู่การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำความเร็วสูงได้อีกครั้ง
ก่อนหน้านี้ SK hynix และ Micron ได้รับการรับรองและเริ่มส่งมอบ HBM3E ให้ Nvidia ไปแล้ว ทำให้ Samsungกลายเป็นผู้ผลิตรายที่สามที่เข้าร่วมในห่วงโซ่อุปทานนี้ โดยแม้จะยังไม่สามารถส่งมอบในปริมาณมากจนถึงปี 2026 แต่การผ่านการรับรองถือเป็นก้าวสำคัญที่ช่วยให้ Samsung กลับมาอยู่ในเกม
HBM3E เป็นหน่วยความจำที่มีความเร็วสูงสุดในตลาดปัจจุบัน โดยมีแบนด์วิดธ์ถึง 1.2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยี 12-layer DRAM ซึ่งเหนือกว่ารุ่นก่อนหน้าอย่าง HBM3 ที่มีเพียง 8 ชั้น
ขณะเดียวกัน Samsung ก็เร่งพัฒนา HBM4 ซึ่งเป็นหน่วยความจำรุ่นถัดไปที่มีแบนด์วิดธ์สูงถึง 2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 3–4 นาโนเมตร ทำให้สามารถเพิ่มความจุเป็น 64 GB ต่อชิป พร้อมลดการใช้พลังงานลงถึง 30%
แม้ SK hynix จะประกาศเสร็จสิ้นการพัฒนา HBM4 ไปก่อนแล้ว แต่ Samsung ก็อยู่ระหว่างการส่งตัวอย่างให้ Nvidia และตั้งเป้าเริ่มผลิตจำนวนมากในครึ่งแรกของปี 2026 โดยมีเป้าหมายชัดเจนในการแซงคู่แข่งทั้งด้านประสิทธิภาพและปริมาณการผลิต
✅ ความคืบหน้าของ Samsung ในตลาด HBM
➡️ Samsung ได้รับการรับรองจาก Nvidia สำหรับชิป HBM3E แบบ 12 ชั้น
➡️ หุ้น Samsung พุ่งขึ้นกว่า 5% หลังข่าวการรับรองเผยแพร่
➡️ ชิป HBM3E จะถูกใช้ใน Nvidia DGX B300 และ AMD MI350
➡️ Samsung เป็นผู้ผลิตรายที่สามที่ได้รับการรับรอง ต่อจาก SK hynix และ Micron
✅ คุณสมบัติของ HBM3E และ HBM4
➡️ HBM3E มีแบนด์วิดธ์ 1.2 TB/s ต่อ stack และใช้เทคโนโลยี 12-layer DRAM
➡️ HBM4 จะมีแบนด์วิดธ์สูงถึง 2 TB/s และความจุ 64 GB ต่อชิป
➡️ ใช้กระบวนการผลิตระดับ 3–4 นาโนเมตร ลดการใช้พลังงานลง 20–30%
➡️ Samsung ตั้งเป้าเริ่มผลิต HBM4 จำนวนมากในครึ่งแรกของปี 2026
✅ ข้อมูลเสริมจากภายนอก
➡️ Nvidia กำหนดมาตรฐาน HBM4 ที่สูงขึ้น เช่น 10–11 Gbps ต่อ pin
➡️ Samsung แสดงความสามารถถึง 11 Gbps ซึ่งเหนือกว่า SK hynix ที่ทำได้ 10 Gbps
➡️ Micron ยังประสบปัญหาในการผ่านมาตรฐาน HBM4 ของ Nvidia2
➡️ ตลาด HBM คาดว่าจะเติบโต 30% ต่อปีจนถึงปี 2030 ตามการคาดการณ์ของ SK hynix
https://www.tomshardware.com/tech-industry/samsung-earns-nvidias-certification-for-its-hbm3-memory-stock-jumps-5-percent-as-company-finally-catches-up-to-sk-hynix-and-micron-in-hbm3e-production
0 Comments
0 Shares
33 Views
0 Reviews