UltraRAM — āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļŦāđāļāļāļāļēāļāļāļāļĩāđāļāļēāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļĨāļāļāļīāļāļīāļāļąāļĨāđāļāļāļĨāļāļāļāļēāļĨ
āļĨāļāļāļāļīāļāļāļāļēāļāļēāļĢāļāļķāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļāļĩāđāđāļĢāđāļ§āđāļāđāļē DRAM āđāļāđāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļĒāļēāļ§āļāļēāļāļāļ§āđāļēāļāļąāļāļāļĩ āđāļĨāļ°āļāļāļāļēāļāļāļ§āđāļēāļāļēāļāļāđāđāļāļĨāļāļāļķāļ 4,000 āđāļāđāļē — āļāļąāđāļāļāļ·āļ UltraRAM āļāļĩāđāļāļģāļĨāļąāļāļāļ°āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļĢāļīāļ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļĩāđāđāļĢāļīāđāļĄāļāđāļāļāļēāļāļāļēāļāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļāļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Lancaster āđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāļĒāļāļĢāļīāļĐāļąāļ Quinas Technology āļāļķāđāļāļĢāđāļ§āļĄāļĄāļ·āļāļāļąāļ IQE plc āļāļđāđāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļēāļāļāđāļēāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļ epitaxy āļāđāļ§āļĒāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļāļĨāļāđāļŦāļĄāđāļāļĒāđāļēāļ gallium antimonide āđāļĨāļ° aluminum antimonide āļāļķāđāļāļāļ·āļāđāļāđāļāļāļĢāļąāđāļāđāļĢāļāļāļāļāđāļĨāļāļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļģāļĄāļēāđāļāđāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ
UltraRAM āđāļāđāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļĢ quantum resonant tunneling āđāļāļāļēāļĢāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āļāđāļāļĄāļđāļĨ āļāļķāđāļāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāđāļģāļĄāļēāļ (āļāđāļģāļāļ§āđāļē 1 femtojoule) āđāļĨāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āđāļāđāđāļāđāļ§āļĨāļēāđāļāļĩāļĒāļ 100 āļāļēāđāļāļ§āļīāļāļēāļāļĩ āļāļģāđāļŦāđāļĄāļąāļāđāļāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļāļĩāđāļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāļāļ°āļĢāļ§āļĄāļāđāļāļāļĩāļāļāļ DRAM āđāļĨāļ° NAND āđāļ§āđāđāļāļāļīāđāļāđāļāļĩāļĒāļ§
āļŦāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļāļāđāļāđāļāļāđāļāļāļĩ 2023 āļāļāļāļāļĩāđ UltraRAM āđāļāđāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļąāđāļāļāļāļāļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļĨāļīāļāđāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļ āđāļāļĒāļĄāļĩāđāļāļāļāļ°āļĢāđāļ§āļĄāļĄāļ·āļāļāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāđāļāļīāļāļāļĨāļĒāļļāļāļāđāđāļāļ·āđāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāļāļĢāļīāļ
āļŦāļēāļāļāļĢāļ°āļŠāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļ UltraRAM āļāļēāļāļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļ “āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļēāļāļĨ” āļāļĩāđāđāļāđāđāļāđāļāļąāđāļāđāļāļāļļāļāļāļĢāļāđ IoT āļŠāļĄāļēāļĢāđāļāđāļāļ āļāļāļĄāļāļīāļ§āđāļāļāļĢāđ āđāļāļāļāļāļķāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļĨāļ°āļĢāļ°āļāļ AI āļāļāļēāļāđāļŦāļāđ āđāļāļĒāđāļĄāđāļāđāļāļāđāļĒāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļ volatile āđāļĨāļ° non-volatile āļāļĩāļāļāđāļāđāļ
āļŠāļĢāļļāļāđāļāļ·āđāļāļŦāļēāđāļāđāļāļŦāļąāļ§āļāđāļ
UltraRAM āđāļāđāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļĢāļ§āļĄāļāđāļāļāļĩāļāļāļ DRAM āđāļĨāļ° NAND
āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āļĢāļ°āļāļąāļ DRAM, āļāļ§āļēāļĄāļāļāļāļēāļāļŠāļđāļāļāļ§āđāļē NAND 4,000 āđāļāđāļē āđāļĨāļ°āđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļāļēāļāļāļķāļ 1,000 āļāļĩ
āđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāđāļģāļĄāļēāļāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āļāđāļāļĄāļđāļĨ (<1 femtojoule) āđāļĨāļ°āļāļģāļāļēāļāđāļĢāđāļ§ (100 ns)
āļāļąāļāļāļēāđāļāļĒ Quinas Technology āļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļ IQE plc āđāļĨāļ°āļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Lancaster
āđāļāđāļ§āļąāļŠāļāļļ gallium antimonide āđāļĨāļ° aluminum antimonide āđāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ epitaxy
āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ epitaxy āļāļĩāđāļāļąāļāļāļēāđāļāđāļāļđāļāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļĨāđāļ§
UltraRAM āđāļāđāļĢāļąāļāļĢāļēāļāļ§āļąāļĨāļāļēāļ WIPO āđāļĨāļ° Flash Memory Summit āđāļāļāļĩ 2025
āļĄāļĩāđāļāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāđāļāļīāļāļāļĨāļĒāļļāļāļāđ
āđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļāļ·āļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļ “āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļēāļāļĨ” āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļļāļāļāļļāļāļāļĢāļāđāļāļīāļāļīāļāļąāļĨ
āđāļāļĢāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāļŠāļāļāļāļĨāđāļāļāļāļąāļāļĒāļļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĨāļāļąāļāļāļĪāļĐāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļāļāļāļīāļāđāļāļĒāļāđāļēāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ
āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
DRAM āļāđāļāļāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļāļēāļĢāļĢāļĩāđāļāļĢāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļĨāļāļāđāļ§āļĨāļē āļāļāļ°āļāļĩāđ UltraRAM āđāļĄāđāļāđāļāļāļĢāļĩāđāļāļĢāļ
NAND āļĄāļĩāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļāļāļāļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĩāļĒāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāđāļģ
Quantum resonant tunneling āđāļāđāļāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāđāļāđāđāļ UltraRAM āļāļķāđāļāļĒāļąāļāđāļĄāđāđāļāļĒāļāļđāļāđāļāđāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļĄāļēāļāđāļāļ
āļŦāļēāļ UltraRAM āđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāđāļāđāļŠāļģāđāļĢāđāļ āļāļēāļāļĨāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļąāđāļ§āđāļĨāļāļāļĒāđāļēāļāļĄāļŦāļēāļĻāļēāļĨ
āļāļēāļĢāļĢāļ§āļĄāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļ volatile āđāļĨāļ° non-volatile āļāļ°āļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļāļąāļāļāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļĄāļāļīāļ§āđāļāļāļĢāđ
https://www.tomshardware.com/pc-components/ram/ultraram-scaled-for-volume-production-memory-that-promises-dram-like-speeds-4-000x-the-durability-of-nand-and-data-retention-for-up-to-a-thousand-years-is-now-ready-for-manufacturing
āļĨāļāļāļāļīāļāļāļāļēāļāļēāļĢāļāļķāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļāļĩāđāđāļĢāđāļ§āđāļāđāļē DRAM āđāļāđāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļĒāļēāļ§āļāļēāļāļāļ§āđāļēāļāļąāļāļāļĩ āđāļĨāļ°āļāļāļāļēāļāļāļ§āđāļēāļāļēāļāļāđāđāļāļĨāļāļāļķāļ 4,000 āđāļāđāļē — āļāļąāđāļāļāļ·āļ UltraRAM āļāļĩāđāļāļģāļĨāļąāļāļāļ°āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļĢāļīāļ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļĩāđāđāļĢāļīāđāļĄāļāđāļāļāļēāļāļāļēāļāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļāļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Lancaster āđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāļĒāļāļĢāļīāļĐāļąāļ Quinas Technology āļāļķāđāļāļĢāđāļ§āļĄāļĄāļ·āļāļāļąāļ IQE plc āļāļđāđāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļēāļāļāđāļēāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļ epitaxy āļāđāļ§āļĒāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļāļĨāļāđāļŦāļĄāđāļāļĒāđāļēāļ gallium antimonide āđāļĨāļ° aluminum antimonide āļāļķāđāļāļāļ·āļāđāļāđāļāļāļĢāļąāđāļāđāļĢāļāļāļāļāđāļĨāļāļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļģāļĄāļēāđāļāđāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ
UltraRAM āđāļāđāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļĢ quantum resonant tunneling āđāļāļāļēāļĢāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āļāđāļāļĄāļđāļĨ āļāļķāđāļāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāđāļģāļĄāļēāļ (āļāđāļģāļāļ§āđāļē 1 femtojoule) āđāļĨāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āđāļāđāđāļāđāļ§āļĨāļēāđāļāļĩāļĒāļ 100 āļāļēāđāļāļ§āļīāļāļēāļāļĩ āļāļģāđāļŦāđāļĄāļąāļāđāļāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļāļĩāđāļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāļāļ°āļĢāļ§āļĄāļāđāļāļāļĩāļāļāļ DRAM āđāļĨāļ° NAND āđāļ§āđāđāļāļāļīāđāļāđāļāļĩāļĒāļ§
āļŦāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļāļāđāļāđāļāļāđāļāļāļĩ 2023 āļāļāļāļāļĩāđ UltraRAM āđāļāđāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļąāđāļāļāļāļāļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļĨāļīāļāđāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļ āđāļāļĒāļĄāļĩāđāļāļāļāļ°āļĢāđāļ§āļĄāļĄāļ·āļāļāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāđāļāļīāļāļāļĨāļĒāļļāļāļāđāđāļāļ·āđāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāļāļĢāļīāļ
āļŦāļēāļāļāļĢāļ°āļŠāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļ UltraRAM āļāļēāļāļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļ “āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļēāļāļĨ” āļāļĩāđāđāļāđāđāļāđāļāļąāđāļāđāļāļāļļāļāļāļĢāļāđ IoT āļŠāļĄāļēāļĢāđāļāđāļāļ āļāļāļĄāļāļīāļ§āđāļāļāļĢāđ āđāļāļāļāļāļķāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļĨāļ°āļĢāļ°āļāļ AI āļāļāļēāļāđāļŦāļāđ āđāļāļĒāđāļĄāđāļāđāļāļāđāļĒāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļ volatile āđāļĨāļ° non-volatile āļāļĩāļāļāđāļāđāļ
āļŠāļĢāļļāļāđāļāļ·āđāļāļŦāļēāđāļāđāļāļŦāļąāļ§āļāđāļ
UltraRAM āđāļāđāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļĢāļ§āļĄāļāđāļāļāļĩāļāļāļ DRAM āđāļĨāļ° NAND
āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āļĢāļ°āļāļąāļ DRAM, āļāļ§āļēāļĄāļāļāļāļēāļāļŠāļđāļāļāļ§āđāļē NAND 4,000 āđāļāđāļē āđāļĨāļ°āđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļāļēāļāļāļķāļ 1,000 āļāļĩ
āđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāđāļģāļĄāļēāļāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āļāđāļāļĄāļđāļĨ (<1 femtojoule) āđāļĨāļ°āļāļģāļāļēāļāđāļĢāđāļ§ (100 ns)
āļāļąāļāļāļēāđāļāļĒ Quinas Technology āļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļ IQE plc āđāļĨāļ°āļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Lancaster
āđāļāđāļ§āļąāļŠāļāļļ gallium antimonide āđāļĨāļ° aluminum antimonide āđāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ epitaxy
āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ epitaxy āļāļĩāđāļāļąāļāļāļēāđāļāđāļāļđāļāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļĨāđāļ§
UltraRAM āđāļāđāļĢāļąāļāļĢāļēāļāļ§āļąāļĨāļāļēāļ WIPO āđāļĨāļ° Flash Memory Summit āđāļāļāļĩ 2025
āļĄāļĩāđāļāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāđāļāļīāļāļāļĨāļĒāļļāļāļāđ
āđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļāļ·āļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļ “āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļēāļāļĨ” āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļļāļāļāļļāļāļāļĢāļāđāļāļīāļāļīāļāļąāļĨ
āđāļāļĢāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāļŠāļāļāļāļĨāđāļāļāļāļąāļāļĒāļļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĨāļāļąāļāļāļĪāļĐāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļāļāļāļīāļāđāļāļĒāļāđāļēāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ
āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
DRAM āļāđāļāļāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļāļēāļĢāļĢāļĩāđāļāļĢāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļĨāļāļāđāļ§āļĨāļē āļāļāļ°āļāļĩāđ UltraRAM āđāļĄāđāļāđāļāļāļĢāļĩāđāļāļĢāļ
NAND āļĄāļĩāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļāļāļāļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĩāļĒāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāđāļģ
Quantum resonant tunneling āđāļāđāļāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāđāļāđāđāļ UltraRAM āļāļķāđāļāļĒāļąāļāđāļĄāđāđāļāļĒāļāļđāļāđāļāđāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļĄāļēāļāđāļāļ
āļŦāļēāļ UltraRAM āđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāđāļāđāļŠāļģāđāļĢāđāļ āļāļēāļāļĨāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļąāđāļ§āđāļĨāļāļāļĒāđāļēāļāļĄāļŦāļēāļĻāļēāļĨ
āļāļēāļĢāļĢāļ§āļĄāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļ volatile āđāļĨāļ° non-volatile āļāļ°āļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļāļąāļāļāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļĄāļāļīāļ§āđāļāļāļĢāđ
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ðïļ UltraRAM — āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļŦāđāļāļāļāļēāļāļāļāļĩāđāļāļēāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļĨāļāļāļīāļāļīāļāļąāļĨāđāļāļāļĨāļāļāļāļēāļĨ
āļĨāļāļāļāļīāļāļāļāļēāļāļēāļĢāļāļķāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļāļĩāđāđāļĢāđāļ§āđāļāđāļē DRAM āđāļāđāđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļĒāļēāļ§āļāļēāļāļāļ§āđāļēāļāļąāļāļāļĩ āđāļĨāļ°āļāļāļāļēāļāļāļ§āđāļēāļāļēāļāļāđāđāļāļĨāļāļāļķāļ 4,000 āđāļāđāļē — āļāļąāđāļāļāļ·āļ UltraRAM āļāļĩāđāļāļģāļĨāļąāļāļāļ°āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļĢāļīāļ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļĩāđāđāļĢāļīāđāļĄāļāđāļāļāļēāļāļāļēāļāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļāļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Lancaster āđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāļĒāļāļĢāļīāļĐāļąāļ Quinas Technology āļāļķāđāļāļĢāđāļ§āļĄāļĄāļ·āļāļāļąāļ IQE plc āļāļđāđāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļēāļāļāđāļēāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļ epitaxy āļāđāļ§āļĒāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļāļĨāļāđāļŦāļĄāđāļāļĒāđāļēāļ gallium antimonide āđāļĨāļ° aluminum antimonide āļāļķāđāļāļāļ·āļāđāļāđāļāļāļĢāļąāđāļāđāļĢāļāļāļāļāđāļĨāļāļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļģāļĄāļēāđāļāđāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ
UltraRAM āđāļāđāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļĢ quantum resonant tunneling āđāļāļāļēāļĢāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āļāđāļāļĄāļđāļĨ āļāļķāđāļāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāđāļģāļĄāļēāļ (āļāđāļģāļāļ§āđāļē 1 femtojoule) āđāļĨāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āđāļāđāđāļāđāļ§āļĨāļēāđāļāļĩāļĒāļ 100 āļāļēāđāļāļ§āļīāļāļēāļāļĩ āļāļģāđāļŦāđāļĄāļąāļāđāļāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļāļĩāđāļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāļāļ°āļĢāļ§āļĄāļāđāļāļāļĩāļāļāļ DRAM āđāļĨāļ° NAND āđāļ§āđāđāļāļāļīāđāļāđāļāļĩāļĒāļ§
āļŦāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļāļāļāđāļāđāļāļāđāļāļāļĩ 2023 āļāļāļāļāļĩāđ UltraRAM āđāļāđāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļąāđāļāļāļāļāļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļĨāļīāļāđāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļ āđāļāļĒāļĄāļĩāđāļāļāļāļ°āļĢāđāļ§āļĄāļĄāļ·āļāļāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāđāļāļīāļāļāļĨāļĒāļļāļāļāđāđāļāļ·āđāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāļāļĢāļīāļ
āļŦāļēāļāļāļĢāļ°āļŠāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļ UltraRAM āļāļēāļāļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļ “āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļēāļāļĨ” āļāļĩāđāđāļāđāđāļāđāļāļąāđāļāđāļāļāļļāļāļāļĢāļāđ IoT āļŠāļĄāļēāļĢāđāļāđāļāļ āļāļāļĄāļāļīāļ§āđāļāļāļĢāđ āđāļāļāļāļāļķāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļĨāļ°āļĢāļ°āļāļ AI āļāļāļēāļāđāļŦāļāđ āđāļāļĒāđāļĄāđāļāđāļāļāđāļĒāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļ volatile āđāļĨāļ° non-volatile āļāļĩāļāļāđāļāđāļ
ð āļŠāļĢāļļāļāđāļāļ·āđāļāļŦāļēāđāļāđāļāļŦāļąāļ§āļāđāļ
âĄïļ UltraRAM āđāļāđāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļĢāļ§āļĄāļāđāļāļāļĩāļāļāļ DRAM āđāļĨāļ° NAND
âĄïļ āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āļĢāļ°āļāļąāļ DRAM, āļāļ§āļēāļĄāļāļāļāļēāļāļŠāļđāļāļāļ§āđāļē NAND 4,000 āđāļāđāļē āđāļĨāļ°āđāļāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļāļēāļāļāļķāļ 1,000 āļāļĩ
âĄïļ āđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāđāļģāļĄāļēāļāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĨāļąāļāļŠāļāļēāļāļ°āļāđāļāļĄāļđāļĨ (<1 femtojoule) āđāļĨāļ°āļāļģāļāļēāļāđāļĢāđāļ§ (100 ns)
âĄïļ āļāļąāļāļāļēāđāļāļĒ Quinas Technology āļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļ IQE plc āđāļĨāļ°āļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Lancaster
âĄïļ āđāļāđāļ§āļąāļŠāļāļļ gallium antimonide āđāļĨāļ° aluminum antimonide āđāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ epitaxy
âĄïļ āļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ epitaxy āļāļĩāđāļāļąāļāļāļēāđāļāđāļāļđāļāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļĨāđāļ§
âĄïļ UltraRAM āđāļāđāļĢāļąāļāļĢāļēāļāļ§āļąāļĨāļāļēāļ WIPO āđāļĨāļ° Flash Memory Summit āđāļāļāļĩ 2025
âĄïļ āļĄāļĩāđāļāļāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļĢāļāļāļēāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļĄāļīāļāļĢāđāļāļīāļāļāļĨāļĒāļļāļāļāđ
âĄïļ āđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļāļ·āļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļ “āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļēāļāļĨ” āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļļāļāļāļļāļāļāļĢāļāđāļāļīāļāļīāļāļąāļĨ
âĄïļ āđāļāļĢāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāļŠāļāļāļāļĨāđāļāļāļāļąāļāļĒāļļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĨāļāļąāļāļāļĪāļĐāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļāļāļāļīāļāđāļāļĒāļāđāļēāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ
â
āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
âĄïļ DRAM āļāđāļāļāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļāļēāļĢāļĢāļĩāđāļāļĢāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļĨāļāļāđāļ§āļĨāļē āļāļāļ°āļāļĩāđ UltraRAM āđāļĄāđāļāđāļāļāļĢāļĩāđāļāļĢāļ
âĄïļ NAND āļĄāļĩāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļāļāļāļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĩāļĒāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāđāļģ
âĄïļ Quantum resonant tunneling āđāļāđāļāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāđāļāđāđāļ UltraRAM āļāļķāđāļāļĒāļąāļāđāļĄāđāđāļāļĒāļāļđāļāđāļāđāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāļĄāļēāļāđāļāļ
âĄïļ āļŦāļēāļ UltraRAM āđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāđāļāđāļŠāļģāđāļĢāđāļ āļāļēāļāļĨāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļąāđāļ§āđāļĨāļāļāļĒāđāļēāļāļĄāļŦāļēāļĻāļēāļĨ
âĄïļ āļāļēāļĢāļĢāļ§āļĄāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāđāļāļ volatile āđāļĨāļ° non-volatile āļāļ°āļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļāļąāļāļāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļĄāļāļīāļ§āđāļāļāļĢāđ
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