Soft X-Ray Lithography āļāļąāļāļāļ§āļēāļĄāļŦāļ§āļąāļāđāļŦāļĄāđāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ — āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV āļāļģāļĨāļąāļāļāđāļēāļāļēāļĒ EUV āļĢāļļāđāļ Hyper-NA
āđāļāđāļĨāļāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļĨāđāļāļĨāļāđāļĢāļ·āđāļāļĒ āđ āļāļąāļāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļēāļāļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Johns Hopkins āđāļāđāđāļāļīāļāļāļąāļ§āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļāļēāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĄāļāļāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āļāļąāđāļāļāļ·āļ “Beyond EUV” āļŦāļĢāļ·āļ B-EUV āļāļķāđāļāđāļāđāđāļŠāļāđāļĨāđāļāļāļĢāđāđāļāļāđāļ§āļ Soft X-ray āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļāļŠāļąāđāļāđāļāļĩāļĒāļ 6.5–6.7 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ āđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāđāļāđāļāļāļīāļĨāļīāļāļāļāļāļĩāđāļĨāļ°āđāļāļĩāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļĩāđāļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļāļāļĩāđ EUV āđāļāļ Hyper-NA āļāļĩāđāđāļāđāļāļĒāļđāđāđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ āļāļķāđāļāđāļĄāđāļāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļ 2 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđ āđāļāđāļāđāļāđāļāļāđāļāđāļĢāļ°āļāļāļāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāļāļąāļāļāđāļāļāđāļĨāļ°āļĄāļĩāļĢāļēāļāļēāļŠāļđāļāļāļķāļāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāđāļāļĒāļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđ
āļāļĩāļĄāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāļēāļāļēāļĢāļĒāđ Michael Tsapatsis āđāļāđāļāđāļāļāļāļ§āđāļēāđāļĨāļŦāļ°āļāļĒāđāļēāļ “āļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩ” āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļŠāļ Soft X-ray āđāļĨāļ°āļāļĨāđāļāļĒāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļāļāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āļāļļāđāļāļāļāļīāļāļīāļĢāļīāļĒāļēāđāļāļĄāļĩāđāļāļŠāļēāļĢāļāļīāļāļāļĢāļĩāļĒāđāļāļĩāđāđāļĢāļĩāļĒāļāļ§āđāļē “āļāļīāļĄāļīāļāļēāđāļāļĨ” āļāļķāđāļāđāļāđāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāļāļāļīāļāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāđāļāđāļāļāļīāļĨāļīāļāļāļāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĄāđāļāļĒāļģ
āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļāļāļāļīāļāđāļŦāļĄāđāļāļ·āđāļāļ§āđāļē “Chemical Liquid Deposition” (CLD) āļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļ·āļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļŠāļĄāđāļģāđāļŠāļĄāļ āļāļķāđāļāļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļāļŠāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļāļāđāļŦāļĄāđāđāļāđāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļāļēāļāļāļģāđāļāđāļāđāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļāļ·āđāļāļāļāļāđāļŦāļāļ·āļāļāļēāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ
āđāļĄāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV āļāļ°āļĒāļąāļāļāļĒāļđāđāđāļāļāļąāđāļāļāļāļĨāļāļ āđāļĨāļ°āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļĄāļ·āļāļāļĩāđāļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļāļēāļāļāļĢāļīāļ āđāļāđāļāļēāļĢāļāđāļāļāļāļāļĩāđāļāļ·āļāđāļāđāļāļāđāļēāļ§āļŠāļģāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļąāļāļŦāļēāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđ āļāļķāđāļāđāļāđāļāļŦāļāļķāđāļāđāļāļāļļāļāļŠāļĢāļĢāļāđāļŦāļāđāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļāļēāļāđāļĨāđāļāđāļāļāļāļēāļāļ
āļāļąāļāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļēāļ Johns Hopkins āļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV
āđāļāđāđāļŠāļ Soft X-ray āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļ 6.5–6.7 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ
āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļĨāđāļāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāđāļāļāļēāļāļāļĪāļĐāļāļĩ
āļāđāļāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļāļāļāļŠāļāļāļāļāđāļāđāļŠāļ Soft X-ray
āđāļāđāđāļĨāļŦāļ°āļāļĒāđāļēāļāļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāļŠāļēāļĢāļāļīāļāļāļĢāļĩāļĒāđāļāļīāļĄāļīāļāļēāđāļāļĨ
āļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩāļāļĨāđāļāļĒāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āļāļļāđāļāļāļāļīāļāļīāļĢāļīāļĒāļēāđāļāļĄāļĩāļāļĩāđāļāļģāđāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒ
āļāļąāļāļāļēāđāļāļāļāļīāļ Chemical Liquid Deposition (CLD)
āđāļāļĨāļ·āļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĄāđāļāļĒāļģ
āļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļāļŠāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļŦāļĄāđāđāļāđāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āđāļĨāļ°āļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļ
B-EUV āļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļāļāļĩāđ Hyper-NA EUV
āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāļāļąāļāļāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļāļāļīāļ
āļāļēāļāļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļāļāļēāļāļ
āļāļģāđāļāļ·āļāļāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļąāļāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV
āđāļŦāļĨāđāļāļāļģāđāļāļīāļāđāļŠāļ Soft X-ray āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
āļāļĢāļ°āļāļāļŠāļ°āļāđāļāļāđāļŠāļāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāđāļ§āļāļāļĨāļ·āđāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāđāļĄāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāđāļāđ
āļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāļāļąāđāļ§āđāļāđāļĄāđāļāļāļāļŠāļāļāļāļāđāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļāļāļāļŠāļđāļāļāļāļ Soft X-ray
āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāļĢāļ°āļāļ ecosystem āļāļĩāđāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļ B-EUV āļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/beyond-euv-chipmaking-tech-pushes-soft-x-ray-lithography-closer-to-challenging-hyper-na-euv-b-euv-uses-new-resist-chemistry-to-make-smaller-chips
āđāļāđāļĨāļāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļĨāđāļāļĨāļāđāļĢāļ·āđāļāļĒ āđ āļāļąāļāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļēāļāļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Johns Hopkins āđāļāđāđāļāļīāļāļāļąāļ§āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļāļēāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĄāļāļāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āļāļąāđāļāļāļ·āļ “Beyond EUV” āļŦāļĢāļ·āļ B-EUV āļāļķāđāļāđāļāđāđāļŠāļāđāļĨāđāļāļāļĢāđāđāļāļāđāļ§āļ Soft X-ray āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļāļŠāļąāđāļāđāļāļĩāļĒāļ 6.5–6.7 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ āđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāđāļāđāļāļāļīāļĨāļīāļāļāļāļāļĩāđāļĨāļ°āđāļāļĩāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļĩāđāļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļāļāļĩāđ EUV āđāļāļ Hyper-NA āļāļĩāđāđāļāđāļāļĒāļđāđāđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ āļāļķāđāļāđāļĄāđāļāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļ 2 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđ āđāļāđāļāđāļāđāļāļāđāļāđāļĢāļ°āļāļāļāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāļāļąāļāļāđāļāļāđāļĨāļ°āļĄāļĩāļĢāļēāļāļēāļŠāļđāļāļāļķāļāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāđāļāļĒāļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđ
āļāļĩāļĄāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāļēāļāļēāļĢāļĒāđ Michael Tsapatsis āđāļāđāļāđāļāļāļāļ§āđāļēāđāļĨāļŦāļ°āļāļĒāđāļēāļ “āļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩ” āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļŠāļ Soft X-ray āđāļĨāļ°āļāļĨāđāļāļĒāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļāļāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āļāļļāđāļāļāļāļīāļāļīāļĢāļīāļĒāļēāđāļāļĄāļĩāđāļāļŠāļēāļĢāļāļīāļāļāļĢāļĩāļĒāđāļāļĩāđāđāļĢāļĩāļĒāļāļ§āđāļē “āļāļīāļĄāļīāļāļēāđāļāļĨ” āļāļķāđāļāđāļāđāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāļāļāļīāļāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāđāļāđāļāļāļīāļĨāļīāļāļāļāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĄāđāļāļĒāļģ
āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļāļāļāļīāļāđāļŦāļĄāđāļāļ·āđāļāļ§āđāļē “Chemical Liquid Deposition” (CLD) āļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļ·āļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļŠāļĄāđāļģāđāļŠāļĄāļ āļāļķāđāļāļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļāļŠāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļāļāđāļŦāļĄāđāđāļāđāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļāļēāļāļāļģāđāļāđāļāđāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļāļ·āđāļāļāļāļāđāļŦāļāļ·āļāļāļēāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ
āđāļĄāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV āļāļ°āļĒāļąāļāļāļĒāļđāđāđāļāļāļąāđāļāļāļāļĨāļāļ āđāļĨāļ°āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļĄāļ·āļāļāļĩāđāļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļāļēāļāļāļĢāļīāļ āđāļāđāļāļēāļĢāļāđāļāļāļāļāļĩāđāļāļ·āļāđāļāđāļāļāđāļēāļ§āļŠāļģāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļąāļāļŦāļēāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđ āļāļķāđāļāđāļāđāļāļŦāļāļķāđāļāđāļāļāļļāļāļŠāļĢāļĢāļāđāļŦāļāđāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļāļēāļāđāļĨāđāļāđāļāļāļāļēāļāļ
āļāļąāļāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļēāļ Johns Hopkins āļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV
āđāļāđāđāļŠāļ Soft X-ray āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļ 6.5–6.7 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ
āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļĨāđāļāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāđāļāļāļēāļāļāļĪāļĐāļāļĩ
āļāđāļāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļāļāļāļŠāļāļāļāļāđāļāđāļŠāļ Soft X-ray
āđāļāđāđāļĨāļŦāļ°āļāļĒāđāļēāļāļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāļŠāļēāļĢāļāļīāļāļāļĢāļĩāļĒāđāļāļīāļĄāļīāļāļēāđāļāļĨ
āļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩāļāļĨāđāļāļĒāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āļāļļāđāļāļāļāļīāļāļīāļĢāļīāļĒāļēāđāļāļĄāļĩāļāļĩāđāļāļģāđāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒ
āļāļąāļāļāļēāđāļāļāļāļīāļ Chemical Liquid Deposition (CLD)
āđāļāļĨāļ·āļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĄāđāļāļĒāļģ
āļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļāļŠāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļŦāļĄāđāđāļāđāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āđāļĨāļ°āļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļ
B-EUV āļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļāļāļĩāđ Hyper-NA EUV
āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāļāļąāļāļāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļāļāļīāļ
āļāļēāļāļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļāļāļēāļāļ
āļāļģāđāļāļ·āļāļāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļąāļāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV
āđāļŦāļĨāđāļāļāļģāđāļāļīāļāđāļŠāļ Soft X-ray āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
āļāļĢāļ°āļāļāļŠāļ°āļāđāļāļāđāļŠāļāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāđāļ§āļāļāļĨāļ·āđāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāđāļĄāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāđāļāđ
āļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāļāļąāđāļ§āđāļāđāļĄāđāļāļāļāļŠāļāļāļāļāđāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļāļāļāļŠāļđāļāļāļāļ Soft X-ray
āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāļĢāļ°āļāļ ecosystem āļāļĩāđāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļ B-EUV āļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļ
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/beyond-euv-chipmaking-tech-pushes-soft-x-ray-lithography-closer-to-challenging-hyper-na-euv-b-euv-uses-new-resist-chemistry-to-make-smaller-chips
ð° Soft X-Ray Lithography āļāļąāļāļāļ§āļēāļĄāļŦāļ§āļąāļāđāļŦāļĄāđāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ — āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV āļāļģāļĨāļąāļāļāđāļēāļāļēāļĒ EUV āļĢāļļāđāļ Hyper-NA
āđāļāđāļĨāļāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļĨāđāļāļĨāļāđāļĢāļ·āđāļāļĒ āđ āļāļąāļāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļēāļāļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒ Johns Hopkins āđāļāđāđāļāļīāļāļāļąāļ§āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļāļēāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĄāļāļāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ āļāļąāđāļāļāļ·āļ “Beyond EUV” āļŦāļĢāļ·āļ B-EUV āļāļķāđāļāđāļāđāđāļŠāļāđāļĨāđāļāļāļĢāđāđāļāļāđāļ§āļ Soft X-ray āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļāļŠāļąāđāļāđāļāļĩāļĒāļ 6.5–6.7 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ āđāļāļ·āđāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāđāļāđāļāļāļīāļĨāļīāļāļāļāļāļĩāđāļĨāļ°āđāļāļĩāļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļĩāđāļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļāļāļĩāđ EUV āđāļāļ Hyper-NA āļāļĩāđāđāļāđāļāļĒāļđāđāđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ āļāļķāđāļāđāļĄāđāļāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļ 2 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđ āđāļāđāļāđāļāđāļāļāđāļāđāļĢāļ°āļāļāļāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāļāļąāļāļāđāļāļāđāļĨāļ°āļĄāļĩāļĢāļēāļāļēāļŠāļđāļāļāļķāļāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāđāļāļĒāļĨāđāļēāļāļāļāļĨāļĨāļēāļĢāđ
āļāļĩāļĄāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļāļāļĻāļēāļŠāļāļĢāļēāļāļēāļĢāļĒāđ Michael Tsapatsis āđāļāđāļāđāļāļāļāļ§āđāļēāđāļĨāļŦāļ°āļāļĒāđāļēāļ “āļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩ” āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļđāļāļāļąāļāđāļŠāļ Soft X-ray āđāļĨāļ°āļāļĨāđāļāļĒāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļāļāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āļāļļāđāļāļāļāļīāļāļīāļĢāļīāļĒāļēāđāļāļĄāļĩāđāļāļŠāļēāļĢāļāļīāļāļāļĢāļĩāļĒāđāļāļĩāđāđāļĢāļĩāļĒāļāļ§āđāļē “āļāļīāļĄāļīāļāļēāđāļāļĨ” āļāļķāđāļāđāļāđāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāļāļāļīāļāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāđāļāđāļāļāļīāļĨāļīāļāļāļāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĄāđāļāļĒāļģ
āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļāļāļāļīāļāđāļŦāļĄāđāļāļ·āđāļāļ§āđāļē “Chemical Liquid Deposition” (CLD) āļāļĩāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļ·āļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļŠāļĄāđāļģāđāļŠāļĄāļ āļāļķāđāļāļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļāļŠāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļāļāđāļŦāļĄāđāđāļāđāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļāļēāļāļāļģāđāļāđāļāđāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļāļ·āđāļāļāļāļāđāļŦāļāļ·āļāļāļēāļāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđ
āđāļĄāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV āļāļ°āļĒāļąāļāļāļĒāļđāđāđāļāļāļąāđāļāļāļāļĨāļāļ āđāļĨāļ°āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļĄāļ·āļāļāļĩāđāļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļāļēāļāļāļĢāļīāļ āđāļāđāļāļēāļĢāļāđāļāļāļāļāļĩāđāļāļ·āļāđāļāđāļāļāđāļēāļ§āļŠāļģāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļąāļāļŦāļēāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđ āļāļķāđāļāđāļāđāļāļŦāļāļķāđāļāđāļāļāļļāļāļŠāļĢāļĢāļāđāļŦāļāđāļāļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļāļēāļāđāļĨāđāļāđāļāļāļāļēāļāļ
â
āļāļąāļāļ§āļīāļāļąāļĒāļāļēāļ Johns Hopkins āļāļąāļāļāļēāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV
âĄïļ āđāļāđāđāļŠāļ Soft X-ray āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāļĒāļēāļ§āļāļĨāļ·āđāļ 6.5–6.7 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ
âĄïļ āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļĨāđāļāļāļ§āđāļē 5 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāđāļāļāļēāļāļāļĪāļĐāļāļĩ
â
āļāđāļāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļŦāļĄāđāļāļĩāđāļāļāļāļŠāļāļāļāļāđāļāđāļŠāļ Soft X-ray
âĄïļ āđāļāđāđāļĨāļŦāļ°āļāļĒāđāļēāļāļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāļŠāļēāļĢāļāļīāļāļāļĢāļĩāļĒāđāļāļīāļĄāļīāļāļēāđāļāļĨ
âĄïļ āļŠāļąāļāļāļ°āļŠāļĩāļāļĨāđāļāļĒāļāļīāđāļĨāđāļāļāļĢāļāļāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āļāļļāđāļāļāļāļīāļāļīāļĢāļīāļĒāļēāđāļāļĄāļĩāļāļĩāđāļāļģāđāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāļŠāļĢāđāļēāļāļĨāļ§āļāļĨāļēāļĒ
â
āļāļąāļāļāļēāđāļāļāļāļīāļ Chemical Liquid Deposition (CLD)
âĄïļ āđāļāļĨāļ·āļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĄāđāļāļĒāļģ
âĄïļ āļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļāļŠāļāļāļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāđāļŦāļĄāđāđāļāđāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āđāļĨāļ°āļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļ
â
B-EUV āļĄāļĩāļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļāļāļĩāđ Hyper-NA EUV
âĄïļ āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāļāļąāļāļāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļāļāļīāļ
âĄïļ āļāļēāļāļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļāļāļēāļāļ
âžïļ āļāļģāđāļāļ·āļāļāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļąāļāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāļāļāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ B-EUV
â āđāļŦāļĨāđāļāļāļģāđāļāļīāļāđāļŠāļ Soft X-ray āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
â āļāļĢāļ°āļāļāļŠāļ°āļāđāļāļāđāļŠāļāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāđāļ§āļāļāļĨāļ·āđāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāđāļĄāđāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāđāļāđ
â āļ§āļąāļŠāļāļļāđāļĢāļāļīāļŠāļāđāļāļąāđāļ§āđāļāđāļĄāđāļāļāļāļŠāļāļāļāļāđāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāļāļāļāļŠāļđāļāļāļāļ Soft X-ray
â āļĒāļąāļāđāļĄāđāļĄāļĩāļĢāļ°āļāļ ecosystem āļāļĩāđāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļ B-EUV āļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļĄāļĢāļđāļāđāļāļ
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