🏭 Intel และ SoftBank ร่วมมือพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้นเพื่อลดการใช้พลังงานในศูนย์ข้อมูล AI
Intel และ SoftBank ได้ร่วมมือกันเพื่อพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้น ซึ่งเป็นทางเลือกใหม่แทน HBM (High-Bandwidth Memory) โดยมีเป้าหมายเพื่อลดการใช้พลังงานในศูนย์ข้อมูล AI
โครงการนี้ดำเนินการโดย Saimemory ซึ่งเป็นบริษัทที่ก่อตั้งขึ้นเพื่อพัฒนา ต้นแบบ DRAM แบบซ้อนชั้น โดยใช้เทคโนโลยีของ Intel และสิทธิบัตรจากมหาวิทยาลัยในญี่ปุ่น เช่น University of Tokyo
HBM เป็นหน่วยความจำที่ใช้กันอย่างแพร่หลายใน AI GPUs แต่มีข้อเสียคือ ต้นทุนสูง, ผลิตยาก และใช้พลังงานมาก ดังนั้น Intel และ SoftBank จึงพยายามพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้น ที่สามารถลดการใช้พลังงานลง ครึ่งหนึ่งเมื่อเทียบกับ HBM
✅ ข้อมูลจากข่าว
- Intel และ SoftBank ร่วมมือกันพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้นเพื่อใช้แทน HBM
- โครงการดำเนินการโดย Saimemory ซึ่งใช้เทคโนโลยีของ Intel และสิทธิบัตรจากมหาวิทยาลัยญี่ปุ่น
- HBM มีข้อเสียเรื่องต้นทุนสูงและใช้พลังงานมาก ทำให้ต้องหาทางเลือกใหม่
- DRAM แบบซ้อนชั้นสามารถลดการใช้พลังงานลงครึ่งหนึ่งเมื่อเทียบกับ HBM
- SoftBank ต้องการสิทธิ์ในการจัดหาชิปเหล่านี้เป็นลำดับแรก หากโครงการประสบความสำเร็จ
‼️ คำเตือนที่ควรพิจารณา
- โครงการนี้ยังอยู่ในขั้นตอนต้นแบบ และต้องรอการประเมินความเป็นไปได้ในการผลิตจำนวนมากภายในปี 2027
- HBM ยังคงเป็นมาตรฐานหลักในอุตสาหกรรม AI และต้องติดตามว่า DRAM แบบซ้อนชั้นจะสามารถแข่งขันได้หรือไม่
- ตลาดหน่วยความจำมีการแข่งขันสูง โดยปัจจุบันมีเพียง Samsung, SK hynix และ Micron ที่ผลิต HBM
- ญี่ปุ่นพยายามกลับเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำหลังจากสูญเสียส่วนแบ่งไปในช่วง 20 ปีที่ผ่านมา
หาก DRAM แบบซ้อนชั้นสามารถลดการใช้พลังงานได้จริง อาจช่วยให้ศูนย์ข้อมูล AI มีประสิทธิภาพมากขึ้น และลดต้นทุนด้านพลังงาน อย่างไรก็ตาม ต้องติดตามว่าผู้ผลิตรายอื่นจะตอบสนองต่อเทคโนโลยีใหม่นี้อย่างไร
https://www.tomshardware.com/news/live/chip-news
Intel และ SoftBank ได้ร่วมมือกันเพื่อพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้น ซึ่งเป็นทางเลือกใหม่แทน HBM (High-Bandwidth Memory) โดยมีเป้าหมายเพื่อลดการใช้พลังงานในศูนย์ข้อมูล AI
โครงการนี้ดำเนินการโดย Saimemory ซึ่งเป็นบริษัทที่ก่อตั้งขึ้นเพื่อพัฒนา ต้นแบบ DRAM แบบซ้อนชั้น โดยใช้เทคโนโลยีของ Intel และสิทธิบัตรจากมหาวิทยาลัยในญี่ปุ่น เช่น University of Tokyo
HBM เป็นหน่วยความจำที่ใช้กันอย่างแพร่หลายใน AI GPUs แต่มีข้อเสียคือ ต้นทุนสูง, ผลิตยาก และใช้พลังงานมาก ดังนั้น Intel และ SoftBank จึงพยายามพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้น ที่สามารถลดการใช้พลังงานลง ครึ่งหนึ่งเมื่อเทียบกับ HBM
✅ ข้อมูลจากข่าว
- Intel และ SoftBank ร่วมมือกันพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้นเพื่อใช้แทน HBM
- โครงการดำเนินการโดย Saimemory ซึ่งใช้เทคโนโลยีของ Intel และสิทธิบัตรจากมหาวิทยาลัยญี่ปุ่น
- HBM มีข้อเสียเรื่องต้นทุนสูงและใช้พลังงานมาก ทำให้ต้องหาทางเลือกใหม่
- DRAM แบบซ้อนชั้นสามารถลดการใช้พลังงานลงครึ่งหนึ่งเมื่อเทียบกับ HBM
- SoftBank ต้องการสิทธิ์ในการจัดหาชิปเหล่านี้เป็นลำดับแรก หากโครงการประสบความสำเร็จ
‼️ คำเตือนที่ควรพิจารณา
- โครงการนี้ยังอยู่ในขั้นตอนต้นแบบ และต้องรอการประเมินความเป็นไปได้ในการผลิตจำนวนมากภายในปี 2027
- HBM ยังคงเป็นมาตรฐานหลักในอุตสาหกรรม AI และต้องติดตามว่า DRAM แบบซ้อนชั้นจะสามารถแข่งขันได้หรือไม่
- ตลาดหน่วยความจำมีการแข่งขันสูง โดยปัจจุบันมีเพียง Samsung, SK hynix และ Micron ที่ผลิต HBM
- ญี่ปุ่นพยายามกลับเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำหลังจากสูญเสียส่วนแบ่งไปในช่วง 20 ปีที่ผ่านมา
หาก DRAM แบบซ้อนชั้นสามารถลดการใช้พลังงานได้จริง อาจช่วยให้ศูนย์ข้อมูล AI มีประสิทธิภาพมากขึ้น และลดต้นทุนด้านพลังงาน อย่างไรก็ตาม ต้องติดตามว่าผู้ผลิตรายอื่นจะตอบสนองต่อเทคโนโลยีใหม่นี้อย่างไร
https://www.tomshardware.com/news/live/chip-news
🏭 Intel และ SoftBank ร่วมมือพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้นเพื่อลดการใช้พลังงานในศูนย์ข้อมูล AI
Intel และ SoftBank ได้ร่วมมือกันเพื่อพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้น ซึ่งเป็นทางเลือกใหม่แทน HBM (High-Bandwidth Memory) โดยมีเป้าหมายเพื่อลดการใช้พลังงานในศูนย์ข้อมูล AI
โครงการนี้ดำเนินการโดย Saimemory ซึ่งเป็นบริษัทที่ก่อตั้งขึ้นเพื่อพัฒนา ต้นแบบ DRAM แบบซ้อนชั้น โดยใช้เทคโนโลยีของ Intel และสิทธิบัตรจากมหาวิทยาลัยในญี่ปุ่น เช่น University of Tokyo
HBM เป็นหน่วยความจำที่ใช้กันอย่างแพร่หลายใน AI GPUs แต่มีข้อเสียคือ ต้นทุนสูง, ผลิตยาก และใช้พลังงานมาก ดังนั้น Intel และ SoftBank จึงพยายามพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้น ที่สามารถลดการใช้พลังงานลง ครึ่งหนึ่งเมื่อเทียบกับ HBM
✅ ข้อมูลจากข่าว
- Intel และ SoftBank ร่วมมือกันพัฒนา DRAM แบบซ้อนชั้นเพื่อใช้แทน HBM
- โครงการดำเนินการโดย Saimemory ซึ่งใช้เทคโนโลยีของ Intel และสิทธิบัตรจากมหาวิทยาลัยญี่ปุ่น
- HBM มีข้อเสียเรื่องต้นทุนสูงและใช้พลังงานมาก ทำให้ต้องหาทางเลือกใหม่
- DRAM แบบซ้อนชั้นสามารถลดการใช้พลังงานลงครึ่งหนึ่งเมื่อเทียบกับ HBM
- SoftBank ต้องการสิทธิ์ในการจัดหาชิปเหล่านี้เป็นลำดับแรก หากโครงการประสบความสำเร็จ
‼️ คำเตือนที่ควรพิจารณา
- โครงการนี้ยังอยู่ในขั้นตอนต้นแบบ และต้องรอการประเมินความเป็นไปได้ในการผลิตจำนวนมากภายในปี 2027
- HBM ยังคงเป็นมาตรฐานหลักในอุตสาหกรรม AI และต้องติดตามว่า DRAM แบบซ้อนชั้นจะสามารถแข่งขันได้หรือไม่
- ตลาดหน่วยความจำมีการแข่งขันสูง โดยปัจจุบันมีเพียง Samsung, SK hynix และ Micron ที่ผลิต HBM
- ญี่ปุ่นพยายามกลับเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำหลังจากสูญเสียส่วนแบ่งไปในช่วง 20 ปีที่ผ่านมา
หาก DRAM แบบซ้อนชั้นสามารถลดการใช้พลังงานได้จริง อาจช่วยให้ศูนย์ข้อมูล AI มีประสิทธิภาพมากขึ้น และลดต้นทุนด้านพลังงาน อย่างไรก็ตาม ต้องติดตามว่าผู้ผลิตรายอื่นจะตอบสนองต่อเทคโนโลยีใหม่นี้อย่างไร
https://www.tomshardware.com/news/live/chip-news
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
30 มุมมอง
0 รีวิว