“รัสเซียเปิดแผนสร้างเครื่อง EUV Lithography แบบใหม่ถึงปี 2037 — หวังล้ม ASML ด้วยเทคโนโลยี 11.2nm ที่ไม่เหมือนใคร”
สถาบันฟิสิกส์โครงสร้างจุลภาคแห่ง Russian Academy of Sciences ได้เปิดเผยแผนการพัฒนาเครื่อง EUV Lithography แบบใหม่ที่ใช้ความยาวคลื่น 11.2 นาโนเมตร ซึ่งแตกต่างจากมาตรฐานอุตสาหกรรมที่ใช้ 13.5 นาโนเมตรของ ASML โดยแผนนี้ครอบคลุมตั้งแต่ปี 2026 ถึง 2037 และแบ่งออกเป็น 3 ระยะหลัก ตั้งเป้าสร้างเครื่องผลิตชิปที่มีความละเอียดสูงแต่ต้นทุนต่ำ เพื่อใช้ในโรงงานขนาดเล็กและตลาดที่ถูกกีดกันจากระบบของ ASML
สิ่งที่โดดเด่นคือ รัสเซียเลือกใช้เลเซอร์แบบ solid-state ร่วมกับพลาสมาจากแก๊สซีนอน แทนการใช้หยดดีบุกแบบ ASML ซึ่งช่วยลดเศษซากที่ทำลาย photomask และลดความซับซ้อนของระบบ โดยใช้กระจกสะท้อนแสงที่ทำจากรูทีเนียมและเบริลเลียม ซึ่งสามารถสะท้อนแสงที่ความยาวคลื่น 11.2nm ได้ดี
แผนพัฒนาแบ่งเป็น 3 ระยะ:
ปี 2026–2028: เครื่องรุ่นแรก รองรับการผลิตที่ระดับ 40nm ใช้กระจก 2 ชิ้น ความแม่นยำ 10nm throughput 5 แผ่นต่อชั่วโมง
ปี 2029–2032: เครื่องรุ่นสอง รองรับ 28nm (อาจถึง 14nm) ใช้กระจก 4 ชิ้น ความแม่นยำ 5nm throughput 50 แผ่นต่อชั่วโมง
ปี 2033–2036: เครื่องรุ่นสาม รองรับต่ำกว่า 10nm ใช้กระจก 6 ชิ้น ความแม่นยำ 2nm throughput 100 แผ่นต่อชั่วโมง
แม้แผนนี้จะดูทะเยอทะยาน แต่ยังไม่มีการพิสูจน์ว่าเทคโนโลยีนี้จะสามารถใช้งานเชิงพาณิชย์ได้จริง และยังต้องสร้าง ecosystem ใหม่ทั้งหมด เช่น กระจกเฉพาะ, เครื่องขัด, photoresist, และซอฟต์แวร์ออกแบบชิปที่รองรับความยาวคลื่น 11.2nm
ข้อมูลสำคัญจากข่าว
รัสเซียเปิดแผนพัฒนาเครื่อง EUV Lithography ความยาวคลื่น 11.2nm ถึงปี 2037
ใช้เลเซอร์ solid-state และพลาสมาจากแก๊สซีนอน แทนหยดดีบุกแบบ ASML
ใช้กระจกสะท้อนแสงจากรูทีเนียมและเบริลเลียม (Ru/Be)
เครื่องรุ่นแรก (2026–2028) รองรับ 40nm ความแม่นยำ 10nm throughput 5 แผ่น/ชม.
เครื่องรุ่นสอง (2029–2032) รองรับ 28nm ความแม่นยำ 5nm throughput 50 แผ่น/ชม.
เครื่องรุ่นสาม (2033–2036) รองรับต่ำกว่า 10nm ความแม่นยำ 2nm throughput 100 แผ่น/ชม.
ระบบนี้ไม่ใช้ immersion fluid และ multi-patterning เหมือน DUV
ตั้งเป้าให้เครื่องมีต้นทุนต่ำกว่า ASML Twinscan NXE และ EXE
เหมาะกับโรงงานขนาดเล็กและตลาดที่ไม่สามารถเข้าถึงระบบของ ASML
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
ASML เป็นผู้ผลิตเครื่อง EUV รายเดียวในโลกที่ใช้ความยาวคลื่น 13.5nm
การใช้ความยาวคลื่น 11.2nm อาจเพิ่มความละเอียดได้ถึง 20%
การใช้แก๊สซีนอนช่วยลดการปนเปื้อนและยืดอายุ photomask และ pellicle
เครื่องรุ่นต้นแบบของรัสเซียตั้งเป้าผลิต 60 แผ่นขนาด 200mm ต่อชั่วโมง และ 300mm ในอนาคต2
การสร้าง ecosystem ใหม่ต้องใช้เวลาอย่างน้อย 10 ปี และยังไม่มี timeline ที่ชัดเจน
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/russia-outlines-euv-litho-chipmaking-tool-roadmap-through-2037-country-eyes-replacing-duv-with-euv-but-plans-appear-unrealistic
สถาบันฟิสิกส์โครงสร้างจุลภาคแห่ง Russian Academy of Sciences ได้เปิดเผยแผนการพัฒนาเครื่อง EUV Lithography แบบใหม่ที่ใช้ความยาวคลื่น 11.2 นาโนเมตร ซึ่งแตกต่างจากมาตรฐานอุตสาหกรรมที่ใช้ 13.5 นาโนเมตรของ ASML โดยแผนนี้ครอบคลุมตั้งแต่ปี 2026 ถึง 2037 และแบ่งออกเป็น 3 ระยะหลัก ตั้งเป้าสร้างเครื่องผลิตชิปที่มีความละเอียดสูงแต่ต้นทุนต่ำ เพื่อใช้ในโรงงานขนาดเล็กและตลาดที่ถูกกีดกันจากระบบของ ASML
สิ่งที่โดดเด่นคือ รัสเซียเลือกใช้เลเซอร์แบบ solid-state ร่วมกับพลาสมาจากแก๊สซีนอน แทนการใช้หยดดีบุกแบบ ASML ซึ่งช่วยลดเศษซากที่ทำลาย photomask และลดความซับซ้อนของระบบ โดยใช้กระจกสะท้อนแสงที่ทำจากรูทีเนียมและเบริลเลียม ซึ่งสามารถสะท้อนแสงที่ความยาวคลื่น 11.2nm ได้ดี
แผนพัฒนาแบ่งเป็น 3 ระยะ:
ปี 2026–2028: เครื่องรุ่นแรก รองรับการผลิตที่ระดับ 40nm ใช้กระจก 2 ชิ้น ความแม่นยำ 10nm throughput 5 แผ่นต่อชั่วโมง
ปี 2029–2032: เครื่องรุ่นสอง รองรับ 28nm (อาจถึง 14nm) ใช้กระจก 4 ชิ้น ความแม่นยำ 5nm throughput 50 แผ่นต่อชั่วโมง
ปี 2033–2036: เครื่องรุ่นสาม รองรับต่ำกว่า 10nm ใช้กระจก 6 ชิ้น ความแม่นยำ 2nm throughput 100 แผ่นต่อชั่วโมง
แม้แผนนี้จะดูทะเยอทะยาน แต่ยังไม่มีการพิสูจน์ว่าเทคโนโลยีนี้จะสามารถใช้งานเชิงพาณิชย์ได้จริง และยังต้องสร้าง ecosystem ใหม่ทั้งหมด เช่น กระจกเฉพาะ, เครื่องขัด, photoresist, และซอฟต์แวร์ออกแบบชิปที่รองรับความยาวคลื่น 11.2nm
ข้อมูลสำคัญจากข่าว
รัสเซียเปิดแผนพัฒนาเครื่อง EUV Lithography ความยาวคลื่น 11.2nm ถึงปี 2037
ใช้เลเซอร์ solid-state และพลาสมาจากแก๊สซีนอน แทนหยดดีบุกแบบ ASML
ใช้กระจกสะท้อนแสงจากรูทีเนียมและเบริลเลียม (Ru/Be)
เครื่องรุ่นแรก (2026–2028) รองรับ 40nm ความแม่นยำ 10nm throughput 5 แผ่น/ชม.
เครื่องรุ่นสอง (2029–2032) รองรับ 28nm ความแม่นยำ 5nm throughput 50 แผ่น/ชม.
เครื่องรุ่นสาม (2033–2036) รองรับต่ำกว่า 10nm ความแม่นยำ 2nm throughput 100 แผ่น/ชม.
ระบบนี้ไม่ใช้ immersion fluid และ multi-patterning เหมือน DUV
ตั้งเป้าให้เครื่องมีต้นทุนต่ำกว่า ASML Twinscan NXE และ EXE
เหมาะกับโรงงานขนาดเล็กและตลาดที่ไม่สามารถเข้าถึงระบบของ ASML
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
ASML เป็นผู้ผลิตเครื่อง EUV รายเดียวในโลกที่ใช้ความยาวคลื่น 13.5nm
การใช้ความยาวคลื่น 11.2nm อาจเพิ่มความละเอียดได้ถึง 20%
การใช้แก๊สซีนอนช่วยลดการปนเปื้อนและยืดอายุ photomask และ pellicle
เครื่องรุ่นต้นแบบของรัสเซียตั้งเป้าผลิต 60 แผ่นขนาด 200mm ต่อชั่วโมง และ 300mm ในอนาคต2
การสร้าง ecosystem ใหม่ต้องใช้เวลาอย่างน้อย 10 ปี และยังไม่มี timeline ที่ชัดเจน
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/russia-outlines-euv-litho-chipmaking-tool-roadmap-through-2037-country-eyes-replacing-duv-with-euv-but-plans-appear-unrealistic
🔬 “รัสเซียเปิดแผนสร้างเครื่อง EUV Lithography แบบใหม่ถึงปี 2037 — หวังล้ม ASML ด้วยเทคโนโลยี 11.2nm ที่ไม่เหมือนใคร”
สถาบันฟิสิกส์โครงสร้างจุลภาคแห่ง Russian Academy of Sciences ได้เปิดเผยแผนการพัฒนาเครื่อง EUV Lithography แบบใหม่ที่ใช้ความยาวคลื่น 11.2 นาโนเมตร ซึ่งแตกต่างจากมาตรฐานอุตสาหกรรมที่ใช้ 13.5 นาโนเมตรของ ASML โดยแผนนี้ครอบคลุมตั้งแต่ปี 2026 ถึง 2037 และแบ่งออกเป็น 3 ระยะหลัก ตั้งเป้าสร้างเครื่องผลิตชิปที่มีความละเอียดสูงแต่ต้นทุนต่ำ เพื่อใช้ในโรงงานขนาดเล็กและตลาดที่ถูกกีดกันจากระบบของ ASML
สิ่งที่โดดเด่นคือ รัสเซียเลือกใช้เลเซอร์แบบ solid-state ร่วมกับพลาสมาจากแก๊สซีนอน แทนการใช้หยดดีบุกแบบ ASML ซึ่งช่วยลดเศษซากที่ทำลาย photomask และลดความซับซ้อนของระบบ โดยใช้กระจกสะท้อนแสงที่ทำจากรูทีเนียมและเบริลเลียม ซึ่งสามารถสะท้อนแสงที่ความยาวคลื่น 11.2nm ได้ดี
แผนพัฒนาแบ่งเป็น 3 ระยะ:
🗝️ ปี 2026–2028: เครื่องรุ่นแรก รองรับการผลิตที่ระดับ 40nm ใช้กระจก 2 ชิ้น ความแม่นยำ 10nm throughput 5 แผ่นต่อชั่วโมง
🗝️ ปี 2029–2032: เครื่องรุ่นสอง รองรับ 28nm (อาจถึง 14nm) ใช้กระจก 4 ชิ้น ความแม่นยำ 5nm throughput 50 แผ่นต่อชั่วโมง
🗝️ ปี 2033–2036: เครื่องรุ่นสาม รองรับต่ำกว่า 10nm ใช้กระจก 6 ชิ้น ความแม่นยำ 2nm throughput 100 แผ่นต่อชั่วโมง
แม้แผนนี้จะดูทะเยอทะยาน แต่ยังไม่มีการพิสูจน์ว่าเทคโนโลยีนี้จะสามารถใช้งานเชิงพาณิชย์ได้จริง และยังต้องสร้าง ecosystem ใหม่ทั้งหมด เช่น กระจกเฉพาะ, เครื่องขัด, photoresist, และซอฟต์แวร์ออกแบบชิปที่รองรับความยาวคลื่น 11.2nm
✅ ข้อมูลสำคัญจากข่าว
➡️ รัสเซียเปิดแผนพัฒนาเครื่อง EUV Lithography ความยาวคลื่น 11.2nm ถึงปี 2037
➡️ ใช้เลเซอร์ solid-state และพลาสมาจากแก๊สซีนอน แทนหยดดีบุกแบบ ASML
➡️ ใช้กระจกสะท้อนแสงจากรูทีเนียมและเบริลเลียม (Ru/Be)
➡️ เครื่องรุ่นแรก (2026–2028) รองรับ 40nm ความแม่นยำ 10nm throughput 5 แผ่น/ชม.
➡️ เครื่องรุ่นสอง (2029–2032) รองรับ 28nm ความแม่นยำ 5nm throughput 50 แผ่น/ชม.
➡️ เครื่องรุ่นสาม (2033–2036) รองรับต่ำกว่า 10nm ความแม่นยำ 2nm throughput 100 แผ่น/ชม.
➡️ ระบบนี้ไม่ใช้ immersion fluid และ multi-patterning เหมือน DUV
➡️ ตั้งเป้าให้เครื่องมีต้นทุนต่ำกว่า ASML Twinscan NXE และ EXE
➡️ เหมาะกับโรงงานขนาดเล็กและตลาดที่ไม่สามารถเข้าถึงระบบของ ASML
✅ ข้อมูลเสริมจากภายนอก
➡️ ASML เป็นผู้ผลิตเครื่อง EUV รายเดียวในโลกที่ใช้ความยาวคลื่น 13.5nm
➡️ การใช้ความยาวคลื่น 11.2nm อาจเพิ่มความละเอียดได้ถึง 20%
➡️ การใช้แก๊สซีนอนช่วยลดการปนเปื้อนและยืดอายุ photomask และ pellicle
➡️ เครื่องรุ่นต้นแบบของรัสเซียตั้งเป้าผลิต 60 แผ่นขนาด 200mm ต่อชั่วโมง และ 300mm ในอนาคต2
➡️ การสร้าง ecosystem ใหม่ต้องใช้เวลาอย่างน้อย 10 ปี และยังไม่มี timeline ที่ชัดเจน
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/russia-outlines-euv-litho-chipmaking-tool-roadmap-through-2037-country-eyes-replacing-duv-with-euv-but-plans-appear-unrealistic
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
150 มุมมอง
0 รีวิว