“Intel 18A āļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāļĨāļļāļĒāļœāļĨāļīāļ•āļˆāļĢāļīāļ‡! āļšāļĢāļĢāļĨāļļāļŠāļ–āļīāļ•āļīāđƒāļŦāļĄāđˆāļ”āđ‰āļēāļ™āļ„āļ§āļēāļĄāđāļĄāđˆāļ™āļĒāļģ āđ€āļ•āļĢāļĩāļĒāļĄāļ—āđ‰āļēāļŠāļ™ TSMC āđāļĨāļ° Samsung āđƒāļ™āļŠāļ™āļēāļĄ 2nm”

āđƒāļ™āļ‡āļēāļ™ Intel Tech Tour āļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ” Intel āđ„āļ”āđ‰āļ›āļĢāļ°āļāļēāļĻāļ„āļ§āļēāļĄāļŠāļģāđ€āļĢāđ‡āļˆāļ„āļĢāļąāđ‰āļ‡āļŠāļģāļ„āļąāļāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āļŠāļīāļ›āļĢāļļāđˆāļ™āđƒāļŦāļĄāđˆ “18A” (1.8 āļ™āļēāđ‚āļ™āđ€āļĄāļ•āļĢ) āļ‹āļķāđˆāļ‡āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļĨāļ” “defect density” āļŦāļĢāļ·āļ­āļ„āļ§āļēāļĄāļŦāļ™āļēāđāļ™āđˆāļ™āļ‚āļ­āļ‡āļ‚āđ‰āļ­āļšāļāļžāļĢāđˆāļ­āļ‡āđƒāļ™āđ€āļ§āđ€āļŸāļ­āļĢāđŒāļĨāļ‡āļŠāļđāđˆāļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ•āđˆāļģāļ—āļĩāđˆāļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļ›āļĢāļ°āļ§āļąāļ•āļīāļĻāļēāļŠāļ•āļĢāđŒāļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ— āļ–āļ·āļ­āđ€āļ›āđ‡āļ™āļŠāļąāļāļāļēāļ“āļŠāļąāļ”āđ€āļˆāļ™āļ§āđˆāļē Intel āļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāđ€āļ‚āđ‰āļēāļŠāļđāđˆāļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āđƒāļ™āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ›āļĢāļīāļĄāļēāļ“āļĄāļēāļ (volume production) āļ āļēāļĒāđƒāļ™āđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļ›āļĩ 2025

Defect density āļ„āļ·āļ­āļˆāļģāļ™āļ§āļ™āļ‚āđ‰āļ­āļšāļāļžāļĢāđˆāļ­āļ‡āļ•āđˆāļ­āļžāļ·āđ‰āļ™āļ—āļĩāđˆāļ‚āļ­āļ‡āđ€āļ§āđ€āļŸāļ­āļĢāđŒ āļ‹āļķāđˆāļ‡āļĄāļĩāļœāļĨāđ‚āļ”āļĒāļ•āļĢāļ‡āļ•āđˆāļ­ “yield rate” āļŦāļĢāļ·āļ­āļ­āļąāļ•āļĢāļēāļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āļŠāļīāļ›āļ—āļĩāđˆāđƒāļŠāđ‰āļ‡āļēāļ™āđ„āļ”āđ‰āļˆāļĢāļīāļ‡ āļŦāļēāļ defect āļŠāļđāļ‡ āļĒāļīāđˆāļ‡āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰āļ•āđ‰āļ™āļ—āļļāļ™āļ•āđˆāļ­āļŠāļīāļ›āđ€āļžāļīāđˆāļĄāļ‚āļķāđ‰āļ™ āđāļĨāļ°āļĨāļ”āļ„āļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āđƒāļ™āļāļēāļĢāđāļ‚āđˆāļ‡āļ‚āļąāļ™ āđ‚āļ”āļĒāđ€āļ‰āļžāļēāļ°āđƒāļ™āļĒāļļāļ„āļ—āļĩāđˆāļŠāļīāļ›āļĄāļĩāļ‚āļ™āļēāļ”āđƒāļŦāļāđˆāđāļĨāļ°āļ‹āļąāļšāļ‹āđ‰āļ­āļ™āļĄāļēāļāļ‚āļķāđ‰āļ™ āđ€āļŠāđˆāļ™ āļŠāļīāļ›āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļš AI āđāļĨāļ° HPC (High Performance Computing)

āļāđˆāļ­āļ™āļŦāļ™āđ‰āļēāļ™āļĩāđ‰ āļĄāļĩāļĢāļēāļĒāļ‡āļēāļ™āļ§āđˆāļē yield āļ‚āļ­āļ‡ 18A āļ•āđˆāļģāđ€āļžāļĩāļĒāļ‡ 10% āđāļ•āđˆāļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™ Intel āļĒāļ·āļ™āļĒāļąāļ™āļ§āđˆāļēāļ•āļąāļ§āđ€āļĨāļ‚āļ”āļąāļ‡āļāļĨāđˆāļēāļ§āđ„āļĄāđˆāđ€āļ›āđ‡āļ™āļ„āļ§āļēāļĄāļˆāļĢāļīāļ‡ āđāļĨāļ°āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āđ„āļ”āđ‰āļ›āļĢāļąāļšāļ›āļĢāļļāļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļˆāļ™āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļĨāļ” defect āđ„āļ”āđ‰āļ­āļĒāđˆāļēāļ‡āļĄāļĩāļ™āļąāļĒāļŠāļģāļ„āļąāļ āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰āļĄāļąāđˆāļ™āđƒāļˆāļ§āđˆāļēāļˆāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļœāļĨāļīāļ•āļŠāļīāļ› 18A āđ„āļ”āđ‰āđƒāļ™āļ›āļĢāļīāļĄāļēāļ“āļĄāļēāļāļ āļēāļĒāđƒāļ™āļŠāļīāđ‰āļ™āļ›āļĩāļ™āļĩāđ‰

āđāļĄāđ‰ defect density āļˆāļ°āđ€āļ›āđ‡āļ™āđ€āļžāļĩāļĒāļ‡āļŦāļ™āļķāđˆāļ‡āđƒāļ™āļŦāļĨāļēāļĒāļ›āļąāļˆāļˆāļąāļĒāļ—āļĩāđˆāļāļģāļŦāļ™āļ”āļ„āļ§āļēāļĄāļŠāļģāđ€āļĢāđ‡āļˆāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ• āđ€āļŠāđˆāļ™ āļ„āļ§āļēāļĄāđāļĄāđˆāļ™āļĒāļģāļ‚āļ­āļ‡āļŦāļ™āđ‰āļēāļāļēāļ (mask error), āļ„āļ§āļēāļĄāļĨāļ·āđˆāļ™āđ„āļŦāļĨāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļ­āļąāļ•āļĢāļēāļ„āļ§āļēāļĄāļĨāđ‰āļĄāđ€āļŦāļĨāļ§āļ‚āļ­āļ‡āļžāļēāļĢāļēāļĄāļīāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒ āđāļ•āđˆāļāļēāļĢāļ—āļĩāđˆ Intel āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļĨāļ” defect āđ„āļ”āđ‰āļĄāļēāļāļ‚āļ™āļēāļ”āļ™āļĩāđ‰ āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰ 18A āļāļĨāļēāļĒāđ€āļ›āđ‡āļ™āļ„āļđāđˆāđāļ‚āđˆāļ‡āļ—āļĩāđˆāļ™āđˆāļēāļāļĨāļąāļ§āļ‚āļ­āļ‡ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2 āļ‹āļķāđˆāļ‡āđ€āļ›āđ‡āļ™āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļĢāļ°āļ”āļąāļš 2nm āđ€āļŠāđˆāļ™āļāļąāļ™

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļŠāļģāļ„āļąāļāļˆāļēāļāļ‚āđˆāļēāļ§
Intel āļ›āļĢāļ°āļāļēāļĻāļ§āđˆāļē 18A āļĄāļĩ defect density āļ•āđˆāļģāļ—āļĩāđˆāļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļ›āļĢāļ°āļ§āļąāļ•āļīāļĻāļēāļŠāļ•āļĢāđŒāļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—
āđ€āļ•āļĢāļĩāļĒāļĄāđ€āļ‚āđ‰āļēāļŠāļđāđˆāļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ›āļĢāļīāļĄāļēāļ“āļĄāļēāļāđƒāļ™āđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļ›āļĩ 2025
Defect density āļ•āđˆāļģāļŦāļĄāļēāļĒāļ–āļķāļ‡ yield rate āļŠāļđāļ‡āļ‚āļķāđ‰āļ™ āđāļĨāļ°āļ•āđ‰āļ™āļ—āļļāļ™āļ•āđˆāļ­āļŠāļīāļ›āļĨāļ”āļĨāļ‡
18A āļ–āļđāļāļ­āļ­āļāđāļšāļšāļĄāļēāđ€āļžāļ·āđˆāļ­āļĢāļ­āļ‡āļĢāļąāļšāļŠāļīāļ›āļ‚āļ™āļēāļ”āđƒāļŦāļāđˆ āđ€āļŠāđˆāļ™ āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļš HPC āđāļĨāļ° AI
Intel āļ›āļāļīāđ€āļŠāļ˜āļ‚āđˆāļēāļ§āļĨāļ·āļ­āļ§āđˆāļē yield āļ•āđˆāļģāđ€āļžāļĩāļĒāļ‡ 10% āđ‚āļ”āļĒāļĢāļ°āļšāļļāļ§āđˆāļēāļ•āļąāļ§āđ€āļĨāļ‚āļ”āļąāļ‡āļāļĨāđˆāļēāļ§āđ„āļĄāđˆāđ€āļ›āđ‡āļ™āļˆāļĢāļīāļ‡
18A āļĄāļĩāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāđāļ‚āđˆāļ‡āļ‚āļąāļ™āļāļąāļš TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2
Defect density āđ€āļ›āđ‡āļ™āļ•āļąāļ§āļŠāļĩāđ‰āļ§āļąāļ”āļŠāļģāļ„āļąāļāđƒāļ™āļāļēāļĢāļ›āļĢāļ°āđ€āļĄāļīāļ™āļ„āļ§āļēāļĄāļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāđ€āļŠāļĢāļīāļĄāļˆāļēāļāļ āļēāļĒāļ™āļ­āļ
18A āđƒāļŠāđ‰āđ€āļ—āļ„āđ‚āļ™āđ‚āļĨāļĒāļĩ RibbonFET (GAA) āđāļĨāļ° PowerVia (backside power delivery)
TSMC N2 āļĄāļĩ yield āļ›āļĢāļ°āļĄāļēāļ“ 65% āđāļĨāļ°āđƒāļŠāđ‰āđ€āļ—āļ„āđ‚āļ™āđ‚āļĨāļĒāļĩ nanosheet GAA
Samsung SF2 āļĄāļĩ yield āļ›āļĢāļ°āļĄāļēāļ“ 40% āđāļĨāļ°āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāļœāļĨāļīāļ•āļˆāļģāļ™āļ§āļ™āļĄāļēāļāļˆāļ™āļ–āļķāļ‡āļ›āļĩ 2026
Intel āļ§āļēāļ‡āđāļœāļ™āđƒāļŠāđ‰ 18A āļāļąāļšāļŠāļīāļ›āļĢāļļāđˆāļ™ Panther Lake (Core Ultra 300)
āļ•āļĨāļēāļ”āđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāļ‚āļ­āļ‡ 18A āļ„āļ·āļ­ HPC, AI, āđāļĨāļ°āļĨāļđāļāļ„āđ‰āļē Foundry āļ āļēāļĒāļ™āļ­āļ āđ€āļŠāđˆāļ™ Qualcomm

https://wccftech.com/intel-18a-node-achieves-record-low-defect-density/
🔎 “Intel 18A āļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāļĨāļļāļĒāļœāļĨāļīāļ•āļˆāļĢāļīāļ‡! āļšāļĢāļĢāļĨāļļāļŠāļ–āļīāļ•āļīāđƒāļŦāļĄāđˆāļ”āđ‰āļēāļ™āļ„āļ§āļēāļĄāđāļĄāđˆāļ™āļĒāļģ āđ€āļ•āļĢāļĩāļĒāļĄāļ—āđ‰āļēāļŠāļ™ TSMC āđāļĨāļ° Samsung āđƒāļ™āļŠāļ™āļēāļĄ 2nm” āđƒāļ™āļ‡āļēāļ™ Intel Tech Tour āļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ” Intel āđ„āļ”āđ‰āļ›āļĢāļ°āļāļēāļĻāļ„āļ§āļēāļĄāļŠāļģāđ€āļĢāđ‡āļˆāļ„āļĢāļąāđ‰āļ‡āļŠāļģāļ„āļąāļāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āļŠāļīāļ›āļĢāļļāđˆāļ™āđƒāļŦāļĄāđˆ “18A” (1.8 āļ™āļēāđ‚āļ™āđ€āļĄāļ•āļĢ) āļ‹āļķāđˆāļ‡āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļĨāļ” “defect density” āļŦāļĢāļ·āļ­āļ„āļ§āļēāļĄāļŦāļ™āļēāđāļ™āđˆāļ™āļ‚āļ­āļ‡āļ‚āđ‰āļ­āļšāļāļžāļĢāđˆāļ­āļ‡āđƒāļ™āđ€āļ§āđ€āļŸāļ­āļĢāđŒāļĨāļ‡āļŠāļđāđˆāļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ•āđˆāļģāļ—āļĩāđˆāļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļ›āļĢāļ°āļ§āļąāļ•āļīāļĻāļēāļŠāļ•āļĢāđŒāļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ— āļ–āļ·āļ­āđ€āļ›āđ‡āļ™āļŠāļąāļāļāļēāļ“āļŠāļąāļ”āđ€āļˆāļ™āļ§āđˆāļē Intel āļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāđ€āļ‚āđ‰āļēāļŠāļđāđˆāļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āđƒāļ™āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ›āļĢāļīāļĄāļēāļ“āļĄāļēāļ (volume production) āļ āļēāļĒāđƒāļ™āđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļ›āļĩ 2025 Defect density āļ„āļ·āļ­āļˆāļģāļ™āļ§āļ™āļ‚āđ‰āļ­āļšāļāļžāļĢāđˆāļ­āļ‡āļ•āđˆāļ­āļžāļ·āđ‰āļ™āļ—āļĩāđˆāļ‚āļ­āļ‡āđ€āļ§āđ€āļŸāļ­āļĢāđŒ āļ‹āļķāđˆāļ‡āļĄāļĩāļœāļĨāđ‚āļ”āļĒāļ•āļĢāļ‡āļ•āđˆāļ­ “yield rate” āļŦāļĢāļ·āļ­āļ­āļąāļ•āļĢāļēāļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āļŠāļīāļ›āļ—āļĩāđˆāđƒāļŠāđ‰āļ‡āļēāļ™āđ„āļ”āđ‰āļˆāļĢāļīāļ‡ āļŦāļēāļ defect āļŠāļđāļ‡ āļĒāļīāđˆāļ‡āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰āļ•āđ‰āļ™āļ—āļļāļ™āļ•āđˆāļ­āļŠāļīāļ›āđ€āļžāļīāđˆāļĄāļ‚āļķāđ‰āļ™ āđāļĨāļ°āļĨāļ”āļ„āļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āđƒāļ™āļāļēāļĢāđāļ‚āđˆāļ‡āļ‚āļąāļ™ āđ‚āļ”āļĒāđ€āļ‰āļžāļēāļ°āđƒāļ™āļĒāļļāļ„āļ—āļĩāđˆāļŠāļīāļ›āļĄāļĩāļ‚āļ™āļēāļ”āđƒāļŦāļāđˆāđāļĨāļ°āļ‹āļąāļšāļ‹āđ‰āļ­āļ™āļĄāļēāļāļ‚āļķāđ‰āļ™ āđ€āļŠāđˆāļ™ āļŠāļīāļ›āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļš AI āđāļĨāļ° HPC (High Performance Computing) āļāđˆāļ­āļ™āļŦāļ™āđ‰āļēāļ™āļĩāđ‰ āļĄāļĩāļĢāļēāļĒāļ‡āļēāļ™āļ§āđˆāļē yield āļ‚āļ­āļ‡ 18A āļ•āđˆāļģāđ€āļžāļĩāļĒāļ‡ 10% āđāļ•āđˆāļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™ Intel āļĒāļ·āļ™āļĒāļąāļ™āļ§āđˆāļēāļ•āļąāļ§āđ€āļĨāļ‚āļ”āļąāļ‡āļāļĨāđˆāļēāļ§āđ„āļĄāđˆāđ€āļ›āđ‡āļ™āļ„āļ§āļēāļĄāļˆāļĢāļīāļ‡ āđāļĨāļ°āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āđ„āļ”āđ‰āļ›āļĢāļąāļšāļ›āļĢāļļāļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļˆāļ™āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļĨāļ” defect āđ„āļ”āđ‰āļ­āļĒāđˆāļēāļ‡āļĄāļĩāļ™āļąāļĒāļŠāļģāļ„āļąāļ āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰āļĄāļąāđˆāļ™āđƒāļˆāļ§āđˆāļēāļˆāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļœāļĨāļīāļ•āļŠāļīāļ› 18A āđ„āļ”āđ‰āđƒāļ™āļ›āļĢāļīāļĄāļēāļ“āļĄāļēāļāļ āļēāļĒāđƒāļ™āļŠāļīāđ‰āļ™āļ›āļĩāļ™āļĩāđ‰ āđāļĄāđ‰ defect density āļˆāļ°āđ€āļ›āđ‡āļ™āđ€āļžāļĩāļĒāļ‡āļŦāļ™āļķāđˆāļ‡āđƒāļ™āļŦāļĨāļēāļĒāļ›āļąāļˆāļˆāļąāļĒāļ—āļĩāđˆāļāļģāļŦāļ™āļ”āļ„āļ§āļēāļĄāļŠāļģāđ€āļĢāđ‡āļˆāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ• āđ€āļŠāđˆāļ™ āļ„āļ§āļēāļĄāđāļĄāđˆāļ™āļĒāļģāļ‚āļ­āļ‡āļŦāļ™āđ‰āļēāļāļēāļ (mask error), āļ„āļ§āļēāļĄāļĨāļ·āđˆāļ™āđ„āļŦāļĨāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļ­āļąāļ•āļĢāļēāļ„āļ§āļēāļĄāļĨāđ‰āļĄāđ€āļŦāļĨāļ§āļ‚āļ­āļ‡āļžāļēāļĢāļēāļĄāļīāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒ āđāļ•āđˆāļāļēāļĢāļ—āļĩāđˆ Intel āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļ–āļĨāļ” defect āđ„āļ”āđ‰āļĄāļēāļāļ‚āļ™āļēāļ”āļ™āļĩāđ‰ āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰ 18A āļāļĨāļēāļĒāđ€āļ›āđ‡āļ™āļ„āļđāđˆāđāļ‚āđˆāļ‡āļ—āļĩāđˆāļ™āđˆāļēāļāļĨāļąāļ§āļ‚āļ­āļ‡ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2 āļ‹āļķāđˆāļ‡āđ€āļ›āđ‡āļ™āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļĢāļ°āļ”āļąāļš 2nm āđ€āļŠāđˆāļ™āļāļąāļ™ âœ… āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļŠāļģāļ„āļąāļāļˆāļēāļāļ‚āđˆāļēāļ§ âžĄïļ Intel āļ›āļĢāļ°āļāļēāļĻāļ§āđˆāļē 18A āļĄāļĩ defect density āļ•āđˆāļģāļ—āļĩāđˆāļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļ›āļĢāļ°āļ§āļąāļ•āļīāļĻāļēāļŠāļ•āļĢāđŒāļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ— âžĄïļ āđ€āļ•āļĢāļĩāļĒāļĄāđ€āļ‚āđ‰āļēāļŠāļđāđˆāļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ•āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ›āļĢāļīāļĄāļēāļ“āļĄāļēāļāđƒāļ™āđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļ›āļĩ 2025 ➡ïļ Defect density āļ•āđˆāļģāļŦāļĄāļēāļĒāļ–āļķāļ‡ yield rate āļŠāļđāļ‡āļ‚āļķāđ‰āļ™ āđāļĨāļ°āļ•āđ‰āļ™āļ—āļļāļ™āļ•āđˆāļ­āļŠāļīāļ›āļĨāļ”āļĨāļ‡ âžĄïļ 18A āļ–āļđāļāļ­āļ­āļāđāļšāļšāļĄāļēāđ€āļžāļ·āđˆāļ­āļĢāļ­āļ‡āļĢāļąāļšāļŠāļīāļ›āļ‚āļ™āļēāļ”āđƒāļŦāļāđˆ āđ€āļŠāđˆāļ™ āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļš HPC āđāļĨāļ° AI ➡ïļ Intel āļ›āļāļīāđ€āļŠāļ˜āļ‚āđˆāļēāļ§āļĨāļ·āļ­āļ§āđˆāļē yield āļ•āđˆāļģāđ€āļžāļĩāļĒāļ‡ 10% āđ‚āļ”āļĒāļĢāļ°āļšāļļāļ§āđˆāļēāļ•āļąāļ§āđ€āļĨāļ‚āļ”āļąāļ‡āļāļĨāđˆāļēāļ§āđ„āļĄāđˆāđ€āļ›āđ‡āļ™āļˆāļĢāļīāļ‡ âžĄïļ 18A āļĄāļĩāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāđāļ‚āđˆāļ‡āļ‚āļąāļ™āļāļąāļš TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2 ➡ïļ Defect density āđ€āļ›āđ‡āļ™āļ•āļąāļ§āļŠāļĩāđ‰āļ§āļąāļ”āļŠāļģāļ„āļąāļāđƒāļ™āļāļēāļĢāļ›āļĢāļ°āđ€āļĄāļīāļ™āļ„āļ§āļēāļĄāļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāļ‚āļ­āļ‡āļāļĢāļ°āļšāļ§āļ™āļāļēāļĢāļœāļĨāļīāļ• âœ… āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāđ€āļŠāļĢāļīāļĄāļˆāļēāļāļ āļēāļĒāļ™āļ­āļ âžĄïļ 18A āđƒāļŠāđ‰āđ€āļ—āļ„āđ‚āļ™āđ‚āļĨāļĒāļĩ RibbonFET (GAA) āđāļĨāļ° PowerVia (backside power delivery) ➡ïļ TSMC N2 āļĄāļĩ yield āļ›āļĢāļ°āļĄāļēāļ“ 65% āđāļĨāļ°āđƒāļŠāđ‰āđ€āļ—āļ„āđ‚āļ™āđ‚āļĨāļĒāļĩ nanosheet GAA ➡ïļ Samsung SF2 āļĄāļĩ yield āļ›āļĢāļ°āļĄāļēāļ“ 40% āđāļĨāļ°āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāļžāļĢāđ‰āļ­āļĄāļœāļĨāļīāļ•āļˆāļģāļ™āļ§āļ™āļĄāļēāļāļˆāļ™āļ–āļķāļ‡āļ›āļĩ 2026 ➡ïļ Intel āļ§āļēāļ‡āđāļœāļ™āđƒāļŠāđ‰ 18A āļāļąāļšāļŠāļīāļ›āļĢāļļāđˆāļ™ Panther Lake (Core Ultra 300) ➡ïļ āļ•āļĨāļēāļ”āđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāļ‚āļ­āļ‡ 18A āļ„āļ·āļ­ HPC, AI, āđāļĨāļ°āļĨāļđāļāļ„āđ‰āļē Foundry āļ āļēāļĒāļ™āļ­āļ āđ€āļŠāđˆāļ™ Qualcomm https://wccftech.com/intel-18a-node-achieves-record-low-defect-density/
WCCFTECH.COM
Intel’s 'Highly-Anticipated' 18A Node Achieves Record-Low Defect Density, Signaling Readiness for Internal & External Customers
Intel has revealed progress around the 18A chip at the Tech Tour, and the process is at an all-time low in defect density.
0 āļ„āļ§āļēāļĄāļ„āļīāļ”āđ€āļŦāđ‡āļ™ 0 āļāļēāļĢāđāļšāđˆāļ‡āļ›āļąāļ™ 59 āļĄāļļāļĄāļĄāļ­āļ‡ 0 āļĢāļĩāļ§āļīāļ§