“Intel 18A āļāļĢāđāļāļĄāļĨāļļāļĒāļāļĨāļīāļāļāļĢāļīāļ! āļāļĢāļĢāļĨāļļāļŠāļāļīāļāļīāđāļŦāļĄāđāļāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģ āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāđāļēāļāļ TSMC āđāļĨāļ° Samsung āđāļāļŠāļāļēāļĄ 2nm”
 
āđāļāļāļēāļ Intel Tech Tour āļĨāđāļēāļŠāļļāļ Intel āđāļāđāļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāļāļĢāļąāđāļāļŠāļģāļāļąāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđ “18A” (1.8 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ) āļāļķāđāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ “defect density” āļŦāļĢāļ·āļāļāļ§āļēāļĄāļŦāļāļēāđāļāđāļāļāļāļāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāđāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđāļĨāļāļŠāļđāđāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļĢāļ°āļ§āļąāļāļīāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ āļāļ·āļāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāļāļąāļāđāļāļāļ§āđāļē Intel āļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļ (volume production) āļ āļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļāļĩ 2025
 
Defect density āļāļ·āļāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāļāđāļāļāļ·āđāļāļāļĩāđāļāļāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđ āļāļķāđāļāļĄāļĩāļāļĨāđāļāļĒāļāļĢāļāļāđāļ “yield rate” āļŦāļĢāļ·āļāļāļąāļāļĢāļēāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļ āļŦāļēāļ defect āļŠāļđāļ āļĒāļīāđāļāļāļģāđāļŦāđāļāđāļāļāļļāļāļāđāļāļāļīāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļāļąāļ āđāļāļĒāđāļāļāļēāļ°āđāļāļĒāļļāļāļāļĩāđāļāļīāļāļĄāļĩāļāļāļēāļāđāļŦāļāđāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāđāļāļāļĄāļēāļāļāļķāđāļ āđāļāđāļ āļāļīāļāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ AI āđāļĨāļ° HPC (High Performance Computing)
 
āļāđāļāļāļŦāļāđāļēāļāļĩāđ āļĄāļĩāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļ§āđāļē yield āļāļāļ 18A āļāđāļģāđāļāļĩāļĒāļ 10% āđāļāđāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ Intel āļĒāļ·āļāļĒāļąāļāļ§āđāļēāļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āđāļĄāđāđāļāđāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĢāļīāļ āđāļĨāļ°āļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļāđāļāļĢāļąāļāļāļĢāļļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ defect āđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļąāļĒāļŠāļģāļāļąāļ āļāļģāđāļŦāđāļĄāļąāđāļāđāļāļ§āđāļēāļāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļ 18A āđāļāđāđāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļāļ āļēāļĒāđāļāļŠāļīāđāļāļāļĩāļāļĩāđ
 
āđāļĄāđ defect density āļāļ°āđāļāđāļāđāļāļĩāļĒāļāļŦāļāļķāđāļāđāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāļāļāļąāļĒāļāļĩāđāļāļģāļŦāļāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ āđāļāđāļ āļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģāļāļāļāļŦāļāđāļēāļāļēāļ (mask error), āļāļ§āļēāļĄāļĨāļ·āđāļāđāļŦāļĨāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļāļąāļāļĢāļēāļāļ§āļēāļĄāļĨāđāļĄāđāļŦāļĨāļ§āļāļāļāļāļēāļĢāļēāļĄāļīāđāļāļāļĢāđ āđāļāđāļāļēāļĢāļāļĩāđ Intel āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ defect āđāļāđāļĄāļēāļāļāļāļēāļāļāļĩāđ āļāļģāđāļŦāđ 18A āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļđāđāđāļāđāļāļāļĩāđāļāđāļēāļāļĨāļąāļ§āļāļāļ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2 āļāļķāđāļāđāļāđāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļąāļ 2nm āđāļāđāļāļāļąāļ
 
āļāđāļāļĄāļđāļĨāļŠāļģāļāļąāļāļāļēāļāļāđāļēāļ§
Intel āļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļ§āđāļē 18A āļĄāļĩ defect density āļāđāļģāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļĢāļ°āļ§āļąāļāļīāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ
āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļāļĩ 2025
Defect density āļāđāļģāļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļ yield rate āļŠāļđāļāļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļāđāļāļāļļāļāļāđāļāļāļīāļāļĨāļāļĨāļ
18A āļāļđāļāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļīāļāļāļāļēāļāđāļŦāļāđ āđāļāđāļ āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ HPC āđāļĨāļ° AI
Intel āļāļāļīāđāļŠāļāļāđāļēāļ§āļĨāļ·āļāļ§āđāļē yield āļāđāļģāđāļāļĩāļĒāļ 10% āđāļāļĒāļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļēāļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āđāļĄāđāđāļāđāļāļāļĢāļīāļ
18A āļĄāļĩāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāđāļāđāļāļāļąāļāļāļąāļ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2
Defect density āđāļāđāļāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļŠāļģāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĢāđāļāļĄāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ
 
āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
18A āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ RibbonFET (GAA) āđāļĨāļ° PowerVia (backside power delivery)
TSMC N2 āļĄāļĩ yield āļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 65% āđāļĨāļ°āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ nanosheet GAA
Samsung SF2 āļĄāļĩ yield āļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 40% āđāļĨāļ°āļĒāļąāļāđāļĄāđāļāļĢāđāļāļĄāļāļĨāļīāļāļāļģāļāļ§āļāļĄāļēāļāļāļāļāļķāļāļāļĩ 2026
Intel āļ§āļēāļāđāļāļāđāļāđ 18A āļāļąāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļ Panther Lake (Core Ultra 300)
āļāļĨāļēāļāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļāļāļ 18A āļāļ·āļ HPC, AI, āđāļĨāļ°āļĨāļđāļāļāđāļē Foundry āļ āļēāļĒāļāļāļ āđāļāđāļ Qualcomm
 
https://wccftech.com/intel-18a-node-achieves-record-low-defect-density/
  āđāļāļāļēāļ Intel Tech Tour āļĨāđāļēāļŠāļļāļ Intel āđāļāđāļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāļāļĢāļąāđāļāļŠāļģāļāļąāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđ “18A” (1.8 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ) āļāļķāđāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ “defect density” āļŦāļĢāļ·āļāļāļ§āļēāļĄāļŦāļāļēāđāļāđāļāļāļāļāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāđāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđāļĨāļāļŠāļđāđāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļĢāļ°āļ§āļąāļāļīāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ āļāļ·āļāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāļāļąāļāđāļāļāļ§āđāļē Intel āļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļ (volume production) āļ āļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļāļĩ 2025
Defect density āļāļ·āļāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāļāđāļāļāļ·āđāļāļāļĩāđāļāļāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđ āļāļķāđāļāļĄāļĩāļāļĨāđāļāļĒāļāļĢāļāļāđāļ “yield rate” āļŦāļĢāļ·āļāļāļąāļāļĢāļēāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļ āļŦāļēāļ defect āļŠāļđāļ āļĒāļīāđāļāļāļģāđāļŦāđāļāđāļāļāļļāļāļāđāļāļāļīāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļāļąāļ āđāļāļĒāđāļāļāļēāļ°āđāļāļĒāļļāļāļāļĩāđāļāļīāļāļĄāļĩāļāļāļēāļāđāļŦāļāđāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāđāļāļāļĄāļēāļāļāļķāđāļ āđāļāđāļ āļāļīāļāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ AI āđāļĨāļ° HPC (High Performance Computing)
āļāđāļāļāļŦāļāđāļēāļāļĩāđ āļĄāļĩāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļ§āđāļē yield āļāļāļ 18A āļāđāļģāđāļāļĩāļĒāļ 10% āđāļāđāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ Intel āļĒāļ·āļāļĒāļąāļāļ§āđāļēāļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āđāļĄāđāđāļāđāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĢāļīāļ āđāļĨāļ°āļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļāđāļāļĢāļąāļāļāļĢāļļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ defect āđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļąāļĒāļŠāļģāļāļąāļ āļāļģāđāļŦāđāļĄāļąāđāļāđāļāļ§āđāļēāļāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļ 18A āđāļāđāđāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļāļ āļēāļĒāđāļāļŠāļīāđāļāļāļĩāļāļĩāđ
āđāļĄāđ defect density āļāļ°āđāļāđāļāđāļāļĩāļĒāļāļŦāļāļķāđāļāđāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāļāļāļąāļĒāļāļĩāđāļāļģāļŦāļāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ āđāļāđāļ āļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģāļāļāļāļŦāļāđāļēāļāļēāļ (mask error), āļāļ§āļēāļĄāļĨāļ·āđāļāđāļŦāļĨāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļāļąāļāļĢāļēāļāļ§āļēāļĄāļĨāđāļĄāđāļŦāļĨāļ§āļāļāļāļāļēāļĢāļēāļĄāļīāđāļāļāļĢāđ āđāļāđāļāļēāļĢāļāļĩāđ Intel āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ defect āđāļāđāļĄāļēāļāļāļāļēāļāļāļĩāđ āļāļģāđāļŦāđ 18A āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļđāđāđāļāđāļāļāļĩāđāļāđāļēāļāļĨāļąāļ§āļāļāļ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2 āļāļķāđāļāđāļāđāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļąāļ 2nm āđāļāđāļāļāļąāļ
āļāđāļāļĄāļđāļĨāļŠāļģāļāļąāļāļāļēāļāļāđāļēāļ§
Intel āļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļ§āđāļē 18A āļĄāļĩ defect density āļāđāļģāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļĢāļ°āļ§āļąāļāļīāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ
āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļāļĩ 2025
Defect density āļāđāļģāļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļ yield rate āļŠāļđāļāļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļāđāļāļāļļāļāļāđāļāļāļīāļāļĨāļāļĨāļ
18A āļāļđāļāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļīāļāļāļāļēāļāđāļŦāļāđ āđāļāđāļ āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ HPC āđāļĨāļ° AI
Intel āļāļāļīāđāļŠāļāļāđāļēāļ§āļĨāļ·āļāļ§āđāļē yield āļāđāļģāđāļāļĩāļĒāļ 10% āđāļāļĒāļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļēāļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āđāļĄāđāđāļāđāļāļāļĢāļīāļ
18A āļĄāļĩāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāđāļāđāļāļāļąāļāļāļąāļ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2
Defect density āđāļāđāļāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļŠāļģāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĢāđāļāļĄāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ
āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
18A āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ RibbonFET (GAA) āđāļĨāļ° PowerVia (backside power delivery)
TSMC N2 āļĄāļĩ yield āļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 65% āđāļĨāļ°āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ nanosheet GAA
Samsung SF2 āļĄāļĩ yield āļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 40% āđāļĨāļ°āļĒāļąāļāđāļĄāđāļāļĢāđāļāļĄāļāļĨāļīāļāļāļģāļāļ§āļāļĄāļēāļāļāļāļāļķāļāļāļĩ 2026
Intel āļ§āļēāļāđāļāļāđāļāđ 18A āļāļąāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļ Panther Lake (Core Ultra 300)
āļāļĨāļēāļāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļāļāļ 18A āļāļ·āļ HPC, AI, āđāļĨāļ°āļĨāļđāļāļāđāļē Foundry āļ āļēāļĒāļāļāļ āđāļāđāļ Qualcomm
https://wccftech.com/intel-18a-node-achieves-record-low-defect-density/
ðŽ “Intel 18A āļāļĢāđāļāļĄāļĨāļļāļĒāļāļĨāļīāļāļāļĢāļīāļ! āļāļĢāļĢāļĨāļļāļŠāļāļīāļāļīāđāļŦāļĄāđāļāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģ āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāđāļēāļāļ TSMC āđāļĨāļ° Samsung āđāļāļŠāļāļēāļĄ 2nm”
āđāļāļāļēāļ Intel Tech Tour āļĨāđāļēāļŠāļļāļ Intel āđāļāđāļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāļāļĢāļąāđāļāļŠāļģāļāļąāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđ “18A” (1.8 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ) āļāļķāđāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ “defect density” āļŦāļĢāļ·āļāļāļ§āļēāļĄāļŦāļāļēāđāļāđāļāļāļāļāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāđāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđāļĨāļāļŠāļđāđāļĢāļ°āļāļąāļāļāđāļģāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļĢāļ°āļ§āļąāļāļīāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ āļāļ·āļāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāļāļąāļāđāļāļāļ§āđāļē Intel āļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļ (volume production) āļ āļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļāļĩ 2025
Defect density āļāļ·āļāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāļāđāļāļāļ·āđāļāļāļĩāđāļāļāļāđāļ§āđāļāļāļĢāđ āļāļķāđāļāļĄāļĩāļāļĨāđāļāļĒāļāļĢāļāļāđāļ “yield rate” āļŦāļĢāļ·āļāļāļąāļāļĢāļēāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļīāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļ āļŦāļēāļ defect āļŠāļđāļ āļĒāļīāđāļāļāļģāđāļŦāđāļāđāļāļāļļāļāļāđāļāļāļīāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļāļąāļ āđāļāļĒāđāļāļāļēāļ°āđāļāļĒāļļāļāļāļĩāđāļāļīāļāļĄāļĩāļāļāļēāļāđāļŦāļāđāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāđāļāļāļĄāļēāļāļāļķāđāļ āđāļāđāļ āļāļīāļāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ AI āđāļĨāļ° HPC (High Performance Computing)
āļāđāļāļāļŦāļāđāļēāļāļĩāđ āļĄāļĩāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļ§āđāļē yield āļāļāļ 18A āļāđāļģāđāļāļĩāļĒāļ 10% āđāļāđāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ Intel āļĒāļ·āļāļĒāļąāļāļ§āđāļēāļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āđāļĄāđāđāļāđāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĢāļīāļ āđāļĨāļ°āļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļāđāļāļĢāļąāļāļāļĢāļļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ defect āđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļąāļĒāļŠāļģāļāļąāļ āļāļģāđāļŦāđāļĄāļąāđāļāđāļāļ§āđāļēāļāļ°āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĨāļīāļāļāļīāļ 18A āđāļāđāđāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļāļ āļēāļĒāđāļāļŠāļīāđāļāļāļĩāļāļĩāđ
āđāļĄāđ defect density āļāļ°āđāļāđāļāđāļāļĩāļĒāļāļŦāļāļķāđāļāđāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāļāļāļąāļĒāļāļĩāđāļāļģāļŦāļāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ āđāļāđāļ āļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģāļāļāļāļŦāļāđāļēāļāļēāļ (mask error), āļāļ§āļēāļĄāļĨāļ·āđāļāđāļŦāļĨāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļāļąāļāļĢāļēāļāļ§āļēāļĄāļĨāđāļĄāđāļŦāļĨāļ§āļāļāļāļāļēāļĢāļēāļĄāļīāđāļāļāļĢāđ āđāļāđāļāļēāļĢāļāļĩāđ Intel āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļĨāļ defect āđāļāđāļĄāļēāļāļāļāļēāļāļāļĩāđ āļāļģāđāļŦāđ 18A āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļđāđāđāļāđāļāļāļĩāđāļāđāļēāļāļĨāļąāļ§āļāļāļ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2 āļāļķāđāļāđāļāđāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļąāļ 2nm āđāļāđāļāļāļąāļ
â
 āļāđāļāļĄāļđāļĨāļŠāļģāļāļąāļāļāļēāļāļāđāļēāļ§
âĄïļ Intel āļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļ§āđāļē 18A āļĄāļĩ defect density āļāđāļģāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļĢāļ°āļ§āļąāļāļīāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ 
âĄïļ āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĢāļīāļĄāļēāļāļĄāļēāļāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠ 4 āļāļĩ 2025 
âĄïļ Defect density āļāđāļģāļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļ yield rate āļŠāļđāļāļāļķāđāļ āđāļĨāļ°āļāđāļāļāļļāļāļāđāļāļāļīāļāļĨāļāļĨāļ 
âĄïļ 18A āļāļđāļāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļīāļāļāļāļēāļāđāļŦāļāđ āđāļāđāļ āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ HPC āđāļĨāļ° AI 
âĄïļ Intel āļāļāļīāđāļŠāļāļāđāļēāļ§āļĨāļ·āļāļ§āđāļē yield āļāđāļģāđāļāļĩāļĒāļ 10% āđāļāļĒāļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļēāļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āđāļĄāđāđāļāđāļāļāļĢāļīāļ 
âĄïļ 18A āļĄāļĩāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāđāļāđāļāļāļąāļāļāļąāļ TSMC N2 āđāļĨāļ° Samsung SF2 
âĄïļ Defect density āđāļāđāļāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļŠāļģāļāļąāļāđāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĢāđāļāļĄāļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ
â
 āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
âĄïļ 18A āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ RibbonFET (GAA) āđāļĨāļ° PowerVia (backside power delivery) 
âĄïļ TSMC N2 āļĄāļĩ yield āļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 65% āđāļĨāļ°āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ nanosheet GAA 
âĄïļ Samsung SF2 āļĄāļĩ yield āļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 40% āđāļĨāļ°āļĒāļąāļāđāļĄāđāļāļĢāđāļāļĄāļāļĨāļīāļāļāļģāļāļ§āļāļĄāļēāļāļāļāļāļķāļāļāļĩ 2026 
âĄïļ Intel āļ§āļēāļāđāļāļāđāļāđ 18A āļāļąāļāļāļīāļāļĢāļļāđāļ Panther Lake (Core Ultra 300) 
âĄïļ āļāļĨāļēāļāđāļāđāļēāļŦāļĄāļēāļĒāļāļāļ 18A āļāļ·āļ HPC, AI, āđāļĨāļ°āļĨāļđāļāļāđāļē Foundry āļ āļēāļĒāļāļāļ āđāļāđāļ Qualcomm
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