Intel Foundry ได้เปิดเผยนวัตกรรมใหม่ ๆ เช่น การใช้รูทีเนียมแบบลบเพื่อปรับปรุงการเชื่อมต่อภายในชิป และการใช้เทคโนโลยี Selective Layer Transfer (SLT) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการประกอบชิปต่อชิป นอกจากนี้ยังมีการพัฒนาเทคโนโลยี RibbonFET CMOS และการพัฒนาโมดูล Gate Oxide สำหรับทรานซิสเตอร์ GAA 2D FETs ที่มีการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงาน
https://wccf.tech/1fmmc
https://wccf.tech/1fmmc
Intel Foundry ได้เปิดเผยนวัตกรรมใหม่ ๆ เช่น การใช้รูทีเนียมแบบลบเพื่อปรับปรุงการเชื่อมต่อภายในชิป และการใช้เทคโนโลยี Selective Layer Transfer (SLT) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการประกอบชิปต่อชิป นอกจากนี้ยังมีการพัฒนาเทคโนโลยี RibbonFET CMOS และการพัฒนาโมดูล Gate Oxide สำหรับทรานซิสเตอร์ GAA 2D FETs ที่มีการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงาน
https://wccf.tech/1fmmc
0 Comments
0 Shares
121 Views
0 Reviews