จีนกับความพยายาม Reverse Engineering เครื่อง EUV Lithography
รายงานจาก Reuters และ Tom’s Hardware ระบุว่า จีนได้ตั้งห้องแล็บลับในเซินเจิ้นเพื่อสร้างเครื่อง EUV Lithography ซึ่งเป็นเทคโนโลยีการผลิตชิปที่ล้ำหน้าที่สุดในโลก โดยอ้างว่าใช้วิธี Reverse Engineering จากเครื่องของ ASML บริษัทเนเธอร์แลนด์ที่เป็นผู้ผลิตรายเดียวในโลกที่สามารถทำเครื่อง EUV ได้สำเร็จ ปัจจุบันเครื่องต้นแบบของจีนสามารถสร้างแสง EUV ที่ความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตรได้ แต่ยังไม่สามารถใช้ผลิตชิปเชิงพาณิชย์ได้
เครื่องดังกล่าวใช้วิธี Laser-Produced Plasma (LPP) เช่นเดียวกับ ASML โดยยิงเลเซอร์ไปที่หยดดีบุกขนาดไมครอนเพื่อสร้างพลาสมาที่ปล่อยแสง EUV อย่างไรก็ตาม ปัญหาหลักอยู่ที่ระบบออปติกที่ซับซ้อนมาก เช่น กระจกสะท้อนที่เคลือบด้วยชั้น Mo/Si และระบบ Projection Optics ที่ต้องการความแม่นยำระดับนาโนเมตร ซึ่งจีนยังไม่สามารถทำได้สมบูรณ์
รัฐบาลจีนตั้งเป้าว่าจะมีต้นแบบที่สามารถผลิตชิปได้ภายในปี 2028 แต่ผู้เชี่ยวชาญมองว่าความเป็นจริงอาจต้องรอถึงปี 2030 หรือหลังจากนั้น เนื่องจากการสร้างเครื่อง EUV ต้องอาศัยการบูรณาการมากกว่า 100,000 ชิ้นส่วน และความร่วมมือจากผู้เชี่ยวชาญหลายสาขา ซึ่งปัจจุบันจีนยังต้องพึ่งพาอดีตวิศวกรจาก ASML และนักวิจัยมหาวิทยาลัยที่เพิ่งจบใหม่
หากจีนสามารถพัฒนาเครื่อง EUV ได้สำเร็จ จะเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เพราะปัจจุบันจีนถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยีนี้จากมาตรการควบคุมการส่งออกของสหรัฐและพันธมิตร แต่ในทางกลับกัน หากยังไม่สามารถแก้ปัญหาด้านออปติกและระบบกลไกได้ ความพยายามนี้อาจกลายเป็นเพียงการทดลองที่ไม่สามารถใช้จริงในเชิงพาณิชย์
สรุปสาระสำคัญและคำเตือน
การสร้างเครื่อง EUV ในจีน
ห้องแล็บลับในเซินเจิ้นสร้างเครื่องต้นแบบที่สามารถผลิตแสง EUV ได้แล้ว
เทคนิคที่ใช้
ใช้วิธี Laser-Produced Plasma (LPP) เช่นเดียวกับ ASML
เป้าหมายรัฐบาลจีน
ต้องการให้มีต้นแบบที่ผลิตชิปได้ภายในปี 2028 แต่ผู้เชี่ยวชาญคาดว่าอาจช้ากว่านั้น
ความท้าทายด้านเทคนิค
ระบบออปติกและกลไกที่ซับซ้อนยังไม่สามารถทำงานได้สมบูรณ์
คำเตือนด้านความเป็นจริง
การสร้างเครื่อง EUV ต้องใช้มากกว่า 100,000 ชิ้นส่วนและความแม่นยำระดับนาโนเมตร ซึ่งจีนยังไม่สามารถทำได้
แม้จะมีความก้าวหน้า แต่ยังไม่สามารถผลิตชิปเชิงพาณิชย์ได้ในระยะสั้น
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-may-have-reverse-engineered-euv-lithography-tool-in-covert-lab-report-claims-employees-given-fake-ids-to-avoid-secret-project-being-detected-prototypes-expected-in-2028
รายงานจาก Reuters และ Tom’s Hardware ระบุว่า จีนได้ตั้งห้องแล็บลับในเซินเจิ้นเพื่อสร้างเครื่อง EUV Lithography ซึ่งเป็นเทคโนโลยีการผลิตชิปที่ล้ำหน้าที่สุดในโลก โดยอ้างว่าใช้วิธี Reverse Engineering จากเครื่องของ ASML บริษัทเนเธอร์แลนด์ที่เป็นผู้ผลิตรายเดียวในโลกที่สามารถทำเครื่อง EUV ได้สำเร็จ ปัจจุบันเครื่องต้นแบบของจีนสามารถสร้างแสง EUV ที่ความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตรได้ แต่ยังไม่สามารถใช้ผลิตชิปเชิงพาณิชย์ได้
เครื่องดังกล่าวใช้วิธี Laser-Produced Plasma (LPP) เช่นเดียวกับ ASML โดยยิงเลเซอร์ไปที่หยดดีบุกขนาดไมครอนเพื่อสร้างพลาสมาที่ปล่อยแสง EUV อย่างไรก็ตาม ปัญหาหลักอยู่ที่ระบบออปติกที่ซับซ้อนมาก เช่น กระจกสะท้อนที่เคลือบด้วยชั้น Mo/Si และระบบ Projection Optics ที่ต้องการความแม่นยำระดับนาโนเมตร ซึ่งจีนยังไม่สามารถทำได้สมบูรณ์
รัฐบาลจีนตั้งเป้าว่าจะมีต้นแบบที่สามารถผลิตชิปได้ภายในปี 2028 แต่ผู้เชี่ยวชาญมองว่าความเป็นจริงอาจต้องรอถึงปี 2030 หรือหลังจากนั้น เนื่องจากการสร้างเครื่อง EUV ต้องอาศัยการบูรณาการมากกว่า 100,000 ชิ้นส่วน และความร่วมมือจากผู้เชี่ยวชาญหลายสาขา ซึ่งปัจจุบันจีนยังต้องพึ่งพาอดีตวิศวกรจาก ASML และนักวิจัยมหาวิทยาลัยที่เพิ่งจบใหม่
หากจีนสามารถพัฒนาเครื่อง EUV ได้สำเร็จ จะเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เพราะปัจจุบันจีนถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยีนี้จากมาตรการควบคุมการส่งออกของสหรัฐและพันธมิตร แต่ในทางกลับกัน หากยังไม่สามารถแก้ปัญหาด้านออปติกและระบบกลไกได้ ความพยายามนี้อาจกลายเป็นเพียงการทดลองที่ไม่สามารถใช้จริงในเชิงพาณิชย์
สรุปสาระสำคัญและคำเตือน
การสร้างเครื่อง EUV ในจีน
ห้องแล็บลับในเซินเจิ้นสร้างเครื่องต้นแบบที่สามารถผลิตแสง EUV ได้แล้ว
เทคนิคที่ใช้
ใช้วิธี Laser-Produced Plasma (LPP) เช่นเดียวกับ ASML
เป้าหมายรัฐบาลจีน
ต้องการให้มีต้นแบบที่ผลิตชิปได้ภายในปี 2028 แต่ผู้เชี่ยวชาญคาดว่าอาจช้ากว่านั้น
ความท้าทายด้านเทคนิค
ระบบออปติกและกลไกที่ซับซ้อนยังไม่สามารถทำงานได้สมบูรณ์
คำเตือนด้านความเป็นจริง
การสร้างเครื่อง EUV ต้องใช้มากกว่า 100,000 ชิ้นส่วนและความแม่นยำระดับนาโนเมตร ซึ่งจีนยังไม่สามารถทำได้
แม้จะมีความก้าวหน้า แต่ยังไม่สามารถผลิตชิปเชิงพาณิชย์ได้ในระยะสั้น
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-may-have-reverse-engineered-euv-lithography-tool-in-covert-lab-report-claims-employees-given-fake-ids-to-avoid-secret-project-being-detected-prototypes-expected-in-2028
🔬 จีนกับความพยายาม Reverse Engineering เครื่อง EUV Lithography
รายงานจาก Reuters และ Tom’s Hardware ระบุว่า จีนได้ตั้งห้องแล็บลับในเซินเจิ้นเพื่อสร้างเครื่อง EUV Lithography ซึ่งเป็นเทคโนโลยีการผลิตชิปที่ล้ำหน้าที่สุดในโลก โดยอ้างว่าใช้วิธี Reverse Engineering จากเครื่องของ ASML บริษัทเนเธอร์แลนด์ที่เป็นผู้ผลิตรายเดียวในโลกที่สามารถทำเครื่อง EUV ได้สำเร็จ ปัจจุบันเครื่องต้นแบบของจีนสามารถสร้างแสง EUV ที่ความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตรได้ แต่ยังไม่สามารถใช้ผลิตชิปเชิงพาณิชย์ได้
เครื่องดังกล่าวใช้วิธี Laser-Produced Plasma (LPP) เช่นเดียวกับ ASML โดยยิงเลเซอร์ไปที่หยดดีบุกขนาดไมครอนเพื่อสร้างพลาสมาที่ปล่อยแสง EUV อย่างไรก็ตาม ปัญหาหลักอยู่ที่ระบบออปติกที่ซับซ้อนมาก เช่น กระจกสะท้อนที่เคลือบด้วยชั้น Mo/Si และระบบ Projection Optics ที่ต้องการความแม่นยำระดับนาโนเมตร ซึ่งจีนยังไม่สามารถทำได้สมบูรณ์
รัฐบาลจีนตั้งเป้าว่าจะมีต้นแบบที่สามารถผลิตชิปได้ภายในปี 2028 แต่ผู้เชี่ยวชาญมองว่าความเป็นจริงอาจต้องรอถึงปี 2030 หรือหลังจากนั้น เนื่องจากการสร้างเครื่อง EUV ต้องอาศัยการบูรณาการมากกว่า 100,000 ชิ้นส่วน และความร่วมมือจากผู้เชี่ยวชาญหลายสาขา ซึ่งปัจจุบันจีนยังต้องพึ่งพาอดีตวิศวกรจาก ASML และนักวิจัยมหาวิทยาลัยที่เพิ่งจบใหม่
หากจีนสามารถพัฒนาเครื่อง EUV ได้สำเร็จ จะเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เพราะปัจจุบันจีนถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยีนี้จากมาตรการควบคุมการส่งออกของสหรัฐและพันธมิตร แต่ในทางกลับกัน หากยังไม่สามารถแก้ปัญหาด้านออปติกและระบบกลไกได้ ความพยายามนี้อาจกลายเป็นเพียงการทดลองที่ไม่สามารถใช้จริงในเชิงพาณิชย์
📌 สรุปสาระสำคัญและคำเตือน
✅ การสร้างเครื่อง EUV ในจีน
➡️ ห้องแล็บลับในเซินเจิ้นสร้างเครื่องต้นแบบที่สามารถผลิตแสง EUV ได้แล้ว
✅ เทคนิคที่ใช้
➡️ ใช้วิธี Laser-Produced Plasma (LPP) เช่นเดียวกับ ASML
✅ เป้าหมายรัฐบาลจีน
➡️ ต้องการให้มีต้นแบบที่ผลิตชิปได้ภายในปี 2028 แต่ผู้เชี่ยวชาญคาดว่าอาจช้ากว่านั้น
✅ ความท้าทายด้านเทคนิค
➡️ ระบบออปติกและกลไกที่ซับซ้อนยังไม่สามารถทำงานได้สมบูรณ์
‼️ คำเตือนด้านความเป็นจริง
⛔ การสร้างเครื่อง EUV ต้องใช้มากกว่า 100,000 ชิ้นส่วนและความแม่นยำระดับนาโนเมตร ซึ่งจีนยังไม่สามารถทำได้
⛔ แม้จะมีความก้าวหน้า แต่ยังไม่สามารถผลิตชิปเชิงพาณิชย์ได้ในระยะสั้น
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-may-have-reverse-engineered-euv-lithography-tool-in-covert-lab-report-claims-employees-given-fake-ids-to-avoid-secret-project-being-detected-prototypes-expected-in-2028
0 Comments
0 Shares
97 Views
0 Reviews