🏭 "SMIC ก้าวสู่ยุค 5 นาโนเมตรด้วย DUV" รายงานจาก TechInsights ยืนยันว่า Huawei Kirin 9030 SoC ถูกผลิตด้วยกระบวนการ N+3 ของ SMIC ซึ่งเป็นโหนด 5 นาโนเมตรที่ใช้เทคนิค deep ultraviolet lithography (DUV) แทน EUV ที่จีนไม่สามารถเข้าถึงได้เพราะข้อจำกัดการส่งออก เทคโนโลยีนี้ถือเป็นการพัฒนาเหนือกว่าโหนด N+2 (7 นาโนเมตร) ที่เคยใช้ในชิป AI และโครงสร้างพื้นฐานของ Huawei ⚙️ เทคนิคการผลิตและข้อจำกัด แม้ SMIC สามารถใช้ DUV แบบหลายรอบ เช่น self-aligned quadruple patterning (SAQP) เพื่อให้ได้ความละเอียดใกล้ 35 นาโนเมตรต่อการพิมพ์ แต่ ยังมีปัญหาด้าน yield ที่สูงมาก ทำให้ต้นทุนการผลิตสูงและบางส่วนต้องลดเกรดชิปลง การใช้ DUV แทน EUV จึงเป็นการบรรลุผลทางเทคนิค แต่ยังไม่สามารถแข่งขันด้านประสิทธิภาพและต้นทุนกับผู้ผลิตรายใหญ่ที่ใช้ EUV ได้ 🌍 ความหมายต่ออุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์จีน ความสำเร็จนี้สะท้อนว่า จีนสามารถเดินหน้าผลิตชิปขั้นสูงได้แม้ถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยีตะวันตก ถือเป็นสัญญาณของการพึ่งพาตนเองในห่วงโซ่อุปทานเซมิคอนดักเตอร์ และอาจช่วยให้ Huawei และบริษัทจีนอื่น ๆ ลดการพึ่งพาต่างประเทศในด้าน AI และอุปกรณ์สื่อสาร ⚠️ ความท้าทายและอนาคต แม้เป็นความก้าวหน้าที่น่าทึ่ง แต่ผู้เชี่ยวชาญเตือนว่า การใช้ DUV ในระดับ 5 นาโนเมตรเป็นการลงทุนที่เสี่ยงทางเศรษฐกิจ เพราะ yield ต่ำและต้นทุนสูง หากไม่สามารถพัฒนาเครื่อง EUV ในประเทศได้ จีนอาจยังคงตามหลังผู้ผลิตรายใหญ่อย่าง TSMC และ Samsung ในเชิงประสิทธิภาพและความคุ้มค่า 📌 สรุปประเด็นสำคัญ ✅ SMIC ผลิตชิป 5 นาโนเมตร (N+3) โดยใช้ DUV ➡️ Huawei Kirin 9030 SoC เป็นตัวอย่างที่ยืนยัน ✅ เทคนิค SAQP และการพิมพ์หลายรอบช่วยให้บรรลุความละเอียด ➡️ ได้ใกล้เคียง 35 นาโนเมตรต่อการพิมพ์ ✅ ความสำเร็จสะท้อนการพึ่งพาตนเองของจีนในอุตสาหกรรมชิป ➡️ ลดการพึ่งพาต่างประเทศในเทคโนโลยีขั้นสูง ‼️ Yield ต่ำทำให้ต้นทุนการผลิตสูง ⛔ ชิปบางส่วนต้องลดเกรดลง ‼️ การใช้ DUV แทน EUV เป็นข้อจำกัดเชิงเทคนิค ⛔ จีนยังตามหลัง TSMC และ Samsung ในด้านประสิทธิภาพ https://www.techpowerup.com/344000/chinese-smic-achieves-5-nm-production-on-n-3-node-without-euv-tools