🧪 ญี่ปุ่นเร่งขยายกำลังผลิตวัสดุโฟโตเรซิสและ MOR รองรับเทคโนโลยีลิธอกราฟี EUV ขนาด 2 นาโนเมตร ญี่ปุ่นกำลังเดินหน้าเต็มกำลังเพื่อรองรับยุคใหม่ของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับ 2 นาโนเมตร ด้วยการลงทุนขยายโรงงานผลิตวัสดุโฟโตเรซิส (Photoresist) และโลหะออกไซด์เรซิส (MOR) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของกระบวนการลิธอกราฟีแบบ EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) บริษัทชั้นนำอย่าง Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Adeka และ JSR ต่างทุ่มงบประมาณหลายหมื่นล้านเยนเพื่อเพิ่มกำลังการผลิตและพัฒนาคุณภาพของวัสดุที่ใช้ในกระบวนการนี้ โดยเฉพาะ MOR ซึ่งมีคุณสมบัติเด่นในการดูดซับแสง EUV ได้ดีขึ้น ช่วยให้การถ่ายโอนลวดลายบนเวเฟอร์มีความแม่นยำและทนต่อการกัดกร่อนมากขึ้น นอกจากนี้ยังมีการลงทุนในสารเคมีความบริสุทธิ์สูง เช่น ตัวทำละลาย น้ำยาทำความสะอาด และสารลดแรงตึงผิว ซึ่งมีบทบาทสำคัญในการควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยในกระบวนการ EUV ที่ละเอียดอ่อน 📌 จุดที่น่าสนใจเพิ่มเติม: 💠 MOR เป็นวัสดุที่มีส่วนผสมของโลหะ ซึ่งช่วยเพิ่มการดูดซับแสง EUV ได้มากกว่าวัสดุอินทรีย์ทั่วไป 💠 ญี่ปุ่นครองส่วนแบ่งตลาดโฟโตเรซิสระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก 💠 การผลิต EUV ต้องการความแม่นยำสูงมาก เพราะแม้แต่การปนเปื้อนเล็กน้อยก็อาจทำให้เวเฟอร์เสียหาย ✅ ญี่ปุ่นลงทุนขยายกำลังผลิตวัสดุสำหรับ EUV ➡️ TOK ลงทุน ¥20 พันล้านในโรงงานใหม่ที่เกาหลีใต้ และอีก ¥12 พันล้านในโรงงานสารเคมีบริสุทธิ์ ➡️ Adeka ลงทุน ¥3.2 พันล้านเพื่อผลิต MOR ที่โรงงานอิบารากิ เริ่มผลิตปี 2028 ➡️ JSR เตรียมเปิดโรงงาน MOR ในเกาหลีใต้ภายในปี 2026 ✅ วัสดุ MOR มีบทบาทสำคัญในเทคโนโลยี EUV ➡️ เพิ่มการดูดซับแสง EUV ลดปริมาณแสงที่ต้องใช้ ➡️ ช่วยให้ลวดลายมีความคมชัดและทนต่อการกัดกร่อน ✅ สารเคมีบริสุทธิ์มีความสำคัญต่อกระบวนการ EUV ➡️ ใช้ควบคุมการปนเปื้อนและการระเหยที่อาจส่งผลต่อคุณภาพเวเฟอร์ ✅ ญี่ปุ่นมีความได้เปรียบในตลาดโฟโตเรซิส ➡️ ครองส่วนแบ่งตลาดระดับสูงถึง 91% ทั่วโลก ‼️ ความท้าทายของเทคโนโลยี EUV ⛔ ความไวของเรซิสต่อแสง EUV อาจลดความละเอียดของลวดลาย ⛔ การควบคุมการปนเปื้อนต้องแม่นยำสูง เพราะส่งผลต่ออายุการใช้งานของหน้ากากและคุณภาพเวเฟอร์ ‼️ ประเทศอื่นยังตามหลังในด้าน MOR และสารเคมี EUV ⛔ แม้จะพัฒนาเทคโนโลยี i-line/KrF ได้ดี แต่ยังไม่สามารถแข่งขันในระดับ EUV ได้ https://www.techpowerup.com/342676/japan-ramps-up-photoresist-and-mor-capacity-for-2-nm-euv-lithography