“DRAM ยุคใหม่” จาก SK hynix พร้อมรองรับ AI และ HPC จนถึงปี 2031
SK hynix เปิดเผยแผนพัฒนา DRAM ในงาน SK AI Summit 2025 โดยเน้นการรองรับความต้องการของเซิร์ฟเวอร์ AI และระบบประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC) ที่เติบโตอย่างรวดเร็ว โดยมีการวางแผนเปิดตัวเทคโนโลยีใหม่หลายรุ่นในช่วงปี 2026–2031

DDR6, LPDDR6, GDDR8 และ 3D DRAM กำลังมา
DDR6: คาดว่าจะเปิดตัวในปี 2029–2030 โดยก่อนหน้านั้น DDR5 จะยังคงพัฒนาอย่างต่อเนื่อง เช่น MRDIMM Gen2 (2026–2027) และ CXL Gen2 (2027–2028)

LPDDR6: จะมาพร้อมฟีเจอร์สำหรับศูนย์ข้อมูล เช่น SOCAMM2 modules และ LPDDR6-PIM (Processing-in-Memory) ในปี 2028

GDDR8: SK hynix เรียกชื่อว่า “GDDR7-Next” ซึ่งน่าจะเป็น GDDR8 สำหรับงาน inference accelerator ที่ต้องการประสิทธิภาพสูงแต่ต้นทุนต่ำ

3D DRAM: คาดว่าจะเปิดตัวในปี 2030 โดยยังไม่มีรายละเอียดชัดเจน

HBM5 และ HBM5E — แรงสุดในสาย DRAM
SK hynix เตรียมเปิดตัว HBM4, HBM4E, HBM5 และ HBM5E ในช่วงปี 2025–2031 โดย HBM5 ที่คาดว่าจะใช้ใน GPU รุ่น Feynman ของ Nvidia จะเปิดตัวในปี 2029–2030

นอกจากนี้ยังมีแผนพัฒนา High-Bandwidth Flash (HBF) ที่รวมข้อดีของ HBM และ NAND แต่ต้องรอการพัฒนาสื่อใหม่และการตกลงร่วมกับผู้ผลิต NAND รายอื่น เช่น SanDisk

แผนพัฒนา DRAM ของ SK hynix ถึงปี 2031
เน้นรองรับ AI servers และ HPC
เปิดตัวเทคโนโลยีใหม่หลายรุ่นในช่วงปี 2026–2031

DDR6 และการพัฒนา DDR5 ต่อเนื่อง
DDR6 เปิดตัวปี 2029–2030
DDR5 จะพัฒนาเป็น MRDIMM Gen2 และ CXL Gen2

LPDDR6 สำหรับศูนย์ข้อมูล
SOCAMM2 modules เปิดตัวปลายทศวรรษ
LPDDR6-PIM สำหรับงานเฉพาะทางในปี 2028

GDDR8 และการใช้งานเฉพาะทาง
ใช้ใน inference accelerator เช่น Nvidia Rubin CPX
ประสิทธิภาพสูงแต่ต้นทุนต่ำกว่ากลุ่ม HBM

HBM4 ถึง HBM5E — DRAM ระดับสูงสุด
เปิดตัวเป็นช่วงๆ ทุก 1.5–2 ปี
HBM5 คาดว่าจะใช้ใน Nvidia Feynman ปี 2029–2030

3D DRAM และ HBF — เทคโนโลยีแห่งอนาคต
3D DRAM เปิดตัวปี 2030
HBF ต้องรอการพัฒนาสื่อใหม่และความร่วมมือกับผู้ผลิต NAND

ข้อจำกัดของเทคโนโลยีปัจจุบัน
DDR5 ยังไม่สามารถตอบโจทย์ AI ที่ต้องการแบนด์วิดธ์สูง
GDDR7 ยังขาดความจุที่เพียงพอสำหรับงาน inference ขนาดใหญ่

ความท้าทายในการพัฒนา HBF
ต้องสร้างสื่อใหม่ทั้งหมด
ต้องตกลงร่วมกับผู้ผลิต NAND รายอื่น เช่น SanDisk

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/sk-hynix-reveals-dram-development-roadmap-through-2031-ddr6-gddr8-lpddr6-and-3d-dram-incoming
🧠💾 “DRAM ยุคใหม่” จาก SK hynix พร้อมรองรับ AI และ HPC จนถึงปี 2031 SK hynix เปิดเผยแผนพัฒนา DRAM ในงาน SK AI Summit 2025 โดยเน้นการรองรับความต้องการของเซิร์ฟเวอร์ AI และระบบประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC) ที่เติบโตอย่างรวดเร็ว โดยมีการวางแผนเปิดตัวเทคโนโลยีใหม่หลายรุ่นในช่วงปี 2026–2031 🚀 DDR6, LPDDR6, GDDR8 และ 3D DRAM กำลังมา 🎗️ DDR6: คาดว่าจะเปิดตัวในปี 2029–2030 โดยก่อนหน้านั้น DDR5 จะยังคงพัฒนาอย่างต่อเนื่อง เช่น MRDIMM Gen2 (2026–2027) และ CXL Gen2 (2027–2028) 🎗️ LPDDR6: จะมาพร้อมฟีเจอร์สำหรับศูนย์ข้อมูล เช่น SOCAMM2 modules และ LPDDR6-PIM (Processing-in-Memory) ในปี 2028 🎗️ GDDR8: SK hynix เรียกชื่อว่า “GDDR7-Next” ซึ่งน่าจะเป็น GDDR8 สำหรับงาน inference accelerator ที่ต้องการประสิทธิภาพสูงแต่ต้นทุนต่ำ 🎗️ 3D DRAM: คาดว่าจะเปิดตัวในปี 2030 โดยยังไม่มีรายละเอียดชัดเจน 🧊 HBM5 และ HBM5E — แรงสุดในสาย DRAM SK hynix เตรียมเปิดตัว HBM4, HBM4E, HBM5 และ HBM5E ในช่วงปี 2025–2031 โดย HBM5 ที่คาดว่าจะใช้ใน GPU รุ่น Feynman ของ Nvidia จะเปิดตัวในปี 2029–2030 นอกจากนี้ยังมีแผนพัฒนา High-Bandwidth Flash (HBF) ที่รวมข้อดีของ HBM และ NAND แต่ต้องรอการพัฒนาสื่อใหม่และการตกลงร่วมกับผู้ผลิต NAND รายอื่น เช่น SanDisk ✅ แผนพัฒนา DRAM ของ SK hynix ถึงปี 2031 ➡️ เน้นรองรับ AI servers และ HPC ➡️ เปิดตัวเทคโนโลยีใหม่หลายรุ่นในช่วงปี 2026–2031 ✅ DDR6 และการพัฒนา DDR5 ต่อเนื่อง ➡️ DDR6 เปิดตัวปี 2029–2030 ➡️ DDR5 จะพัฒนาเป็น MRDIMM Gen2 และ CXL Gen2 ✅ LPDDR6 สำหรับศูนย์ข้อมูล ➡️ SOCAMM2 modules เปิดตัวปลายทศวรรษ ➡️ LPDDR6-PIM สำหรับงานเฉพาะทางในปี 2028 ✅ GDDR8 และการใช้งานเฉพาะทาง ➡️ ใช้ใน inference accelerator เช่น Nvidia Rubin CPX ➡️ ประสิทธิภาพสูงแต่ต้นทุนต่ำกว่ากลุ่ม HBM ✅ HBM4 ถึง HBM5E — DRAM ระดับสูงสุด ➡️ เปิดตัวเป็นช่วงๆ ทุก 1.5–2 ปี ➡️ HBM5 คาดว่าจะใช้ใน Nvidia Feynman ปี 2029–2030 ✅ 3D DRAM และ HBF — เทคโนโลยีแห่งอนาคต ➡️ 3D DRAM เปิดตัวปี 2030 ➡️ HBF ต้องรอการพัฒนาสื่อใหม่และความร่วมมือกับผู้ผลิต NAND ‼️ ข้อจำกัดของเทคโนโลยีปัจจุบัน ⛔ DDR5 ยังไม่สามารถตอบโจทย์ AI ที่ต้องการแบนด์วิดธ์สูง ⛔ GDDR7 ยังขาดความจุที่เพียงพอสำหรับงาน inference ขนาดใหญ่ ‼️ ความท้าทายในการพัฒนา HBF ⛔ ต้องสร้างสื่อใหม่ทั้งหมด ⛔ ต้องตกลงร่วมกับผู้ผลิต NAND รายอื่น เช่น SanDisk https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/sk-hynix-reveals-dram-development-roadmap-through-2031-ddr6-gddr8-lpddr6-and-3d-dram-incoming
0 Comments 0 Shares 34 Views 0 Reviews