⚙️ “Synopsys เปิดตัว LPDDR6 IP บนเทคโนโลยี TSMC N2P — แบนด์วิดท์พุ่งแตะ 86 GB/s” Synopsys ประกาศความสำเร็จในการ “bring-up” หรือเปิดใช้งานซิลิคอนจริงของ IP หน่วยความจำ LPDDR6 บนเทคโนโลยีการผลิตระดับ 2 นาโนเมตร N2P ของ TSMC ซึ่งถือเป็นก้าวสำคัญในการพัฒนา IP ที่พร้อมให้ลูกค้านำไปใช้งานจริง LPDDR6 IP ดังกล่าวประกอบด้วยสองส่วนหลัก: ตัวควบคุม (controller) และอินเทอร์เฟซ PHY โดยตัวควบคุมรองรับโปรโตคอล JEDEC, การควบคุมเวลา (timing control) และโหมดประหยัดพลังงาน ส่วน PHY ถูกสร้างขึ้นบนวงจรอนาล็อกและ I/O ของ N2P พร้อมใช้ metal stack และไลบรารีเฉพาะของ N2P Synopsys ระบุว่า IP นี้สามารถทำความเร็วได้ถึง 86 GB/s ซึ่งใกล้เคียงกับมาตรฐาน JEDEC ที่ 10.667 Gb/s ต่อ pin โดยมีเป้าหมายสูงสุดที่ 14.4 Gb/s ต่อ pin หรือราว 115 GB/s เมื่อรวมทุกช่องสัญญาณ ข้อได้เปรียบของการใช้ N2P คือประสิทธิภาพด้านพลังงาน (PPA) ที่ดีขึ้น ทำให้หน่วยความจำใช้พลังงานต่อบิตน้อยลง และมีขนาดเล็กลง เหมาะสำหรับอุปกรณ์ที่ต้องการประสิทธิภาพสูงแต่ประหยัดพลังงาน เช่น AI บนอุปกรณ์ (on-device AI) และแพลตฟอร์มพกพา Synopsys คาดว่า LPDDR6 จะกลายเป็นมาตรฐานหลักในปีหน้า โดยมีผู้ผลิตชิปและอุปกรณ์หลายรายเตรียมนำไปใช้งาน ✅ Synopsys เปิดตัว LPDDR6 IP ที่ผ่านการ bring-up บนเทคโนโลยี TSMC N2P ➡️ หมายถึงการเปิดใช้งานซิลิคอนจริงสำเร็จ ✅ IP ประกอบด้วย controller และ PHY interface ➡️ รองรับโปรโตคอล JEDEC และโหมดประหยัดพลังงาน ✅ ความเร็วสูงสุดที่ทำได้คือ 86 GB/s ➡️ ใกล้เคียงกับมาตรฐาน JEDEC ที่ 10.667 Gb/s ต่อ pin ✅ ใช้เทคโนโลยี N2P ของ TSMC ที่มี PPA สูง ➡️ ช่วยลดพลังงานต่อบิตและขนาดของชิป ✅ เหมาะสำหรับ on-device AI และแพลตฟอร์มประหยัดพลังงาน ➡️ เช่น สมาร์ตโฟน, แท็บเล็ต, หรืออุปกรณ์ edge AI ✅ LPDDR6 คาดว่าจะกลายเป็นมาตรฐานหลักในปี 2026 ➡️ ผู้ผลิตชิปหลายรายเตรียมนำไปใช้งาน https://wccftech.com/synopsys-unveils-silicon-bring-up-of-lpddr6-ip-on-tsmc-n2p-node/