“YMTC กระโดดสู่ตลาด DRAM — จีนเร่งผลิต HBM ในประเทศ สู้วิกฤตขาดแคลนชิป AI หลังถูกสหรัฐฯ ควบคุมการส่งออก”

หลังจากเป็นที่รู้จักในฐานะผู้ผลิต NAND รายใหญ่ของจีน บริษัท YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) กำลังขยายธุรกิจเข้าสู่ตลาด DRAM โดยมีเป้าหมายหลักคือการผลิต HBM (High Bandwidth Memory) ด้วยตัวเอง เพื่อแก้ปัญหาการขาดแคลนชิปหน่วยความจำความเร็วสูงที่จำเป็นต่อการพัฒนา AI ในประเทศ

จีนกำลังเผชิญกับวิกฤต HBM อย่างหนัก เนื่องจากความต้องการชิป AI พุ่งสูง แต่กลับถูกสหรัฐฯ ขยายมาตรการควบคุมการส่งออกในปลายปี 2024 ทำให้บริษัทจีนไม่สามารถเข้าถึง HBM จากผู้ผลิตต่างประเทศ เช่น Micron, SK Hynix และ Samsung ได้อีกต่อไป

YMTC จึงเริ่มตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยีการบรรจุชิปแบบ TSV (Through-Silicon Via) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของการสร้าง HBM ที่ต้องซ้อนชั้น VRAM หลายชั้นอย่างแม่นยำ โดยมีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่น และร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีน เพื่อแลกเปลี่ยนความเชี่ยวชาญด้านการซ้อนชั้น 3D และการผลิต HBM2/HBM3

แม้จะยังไม่มีตัวเลขการผลิตที่แน่นอน แต่ CXMT คาดว่าจะผลิตแผ่นเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025 ซึ่งใกล้เคียงกับระดับของ Micron แล้ว ขณะที่ YMTC นำเทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM เพื่อเพิ่มความแม่นยำในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น

การเคลื่อนไหวนี้ไม่เพียงแต่ตอบสนองความต้องการภายในประเทศ แต่ยังอาจส่งผลต่ออุตสาหกรรมโลก หากจีนสามารถผลิต HBM ได้ในปริมาณมากและคุณภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อ Huawei และบริษัทเทคโนโลยีจีนอื่น ๆ เริ่มพัฒนา AI accelerator ที่ใช้ HBM ในประเทศอย่างเต็มรูปแบบ

ข้อมูลสำคัญจากข่าว
YMTC ขยายธุรกิจจาก NAND สู่ DRAM เพื่อผลิต HBM ภายในประเทศ
การขาดแคลน HBM เกิดจากการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ ที่เริ่มปลายปี 2024
YMTC ตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยี TSV สำหรับการซ้อนชั้น VRAM
มีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่นเพื่อรองรับการผลิต DRAM
ร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีนในการพัฒนา HBM2/HBM3
CXMT คาดว่าจะผลิตเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025
YMTC ใช้เทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM
Huawei เตรียมใช้ HBM ที่ผลิตในประเทศกับชิป AI รุ่นใหม่
การผลิต HBM ในประเทศช่วยลดการพึ่งพาตะวันตกและเสริมความมั่นคงด้านเทคโนโลยี

ข้อมูลเสริมจากภายนอก
HBM เป็นหน่วยความจำที่จำเป็นต่อการประมวลผล AI เช่นใน GPU และ XPU
TSV เป็นเทคนิคที่ใช้เชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำแบบแนวตั้งด้วยความแม่นยำสูง
CXMT เป็นผู้ผลิต DRAM ที่มีโครงสร้างพื้นฐานพร้อมสำหรับการผลิต HBM
การใช้ Xtacking ช่วยลดความร้อนและเพิ่มความเร็วในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น
หากจีนผลิต HBM ได้สำเร็จ อาจมีผลต่อการแข่งขันกับ Samsung และ SK Hynix

https://wccftech.com/china-ymtc-is-now-tapping-into-the-dram-business/
🇨🇳 “YMTC กระโดดสู่ตลาด DRAM — จีนเร่งผลิต HBM ในประเทศ สู้วิกฤตขาดแคลนชิป AI หลังถูกสหรัฐฯ ควบคุมการส่งออก” หลังจากเป็นที่รู้จักในฐานะผู้ผลิต NAND รายใหญ่ของจีน บริษัท YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) กำลังขยายธุรกิจเข้าสู่ตลาด DRAM โดยมีเป้าหมายหลักคือการผลิต HBM (High Bandwidth Memory) ด้วยตัวเอง เพื่อแก้ปัญหาการขาดแคลนชิปหน่วยความจำความเร็วสูงที่จำเป็นต่อการพัฒนา AI ในประเทศ จีนกำลังเผชิญกับวิกฤต HBM อย่างหนัก เนื่องจากความต้องการชิป AI พุ่งสูง แต่กลับถูกสหรัฐฯ ขยายมาตรการควบคุมการส่งออกในปลายปี 2024 ทำให้บริษัทจีนไม่สามารถเข้าถึง HBM จากผู้ผลิตต่างประเทศ เช่น Micron, SK Hynix และ Samsung ได้อีกต่อไป YMTC จึงเริ่มตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยีการบรรจุชิปแบบ TSV (Through-Silicon Via) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของการสร้าง HBM ที่ต้องซ้อนชั้น VRAM หลายชั้นอย่างแม่นยำ โดยมีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่น และร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีน เพื่อแลกเปลี่ยนความเชี่ยวชาญด้านการซ้อนชั้น 3D และการผลิต HBM2/HBM3 แม้จะยังไม่มีตัวเลขการผลิตที่แน่นอน แต่ CXMT คาดว่าจะผลิตแผ่นเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025 ซึ่งใกล้เคียงกับระดับของ Micron แล้ว ขณะที่ YMTC นำเทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM เพื่อเพิ่มความแม่นยำในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น การเคลื่อนไหวนี้ไม่เพียงแต่ตอบสนองความต้องการภายในประเทศ แต่ยังอาจส่งผลต่ออุตสาหกรรมโลก หากจีนสามารถผลิต HBM ได้ในปริมาณมากและคุณภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อ Huawei และบริษัทเทคโนโลยีจีนอื่น ๆ เริ่มพัฒนา AI accelerator ที่ใช้ HBM ในประเทศอย่างเต็มรูปแบบ ✅ ข้อมูลสำคัญจากข่าว ➡️ YMTC ขยายธุรกิจจาก NAND สู่ DRAM เพื่อผลิต HBM ภายในประเทศ ➡️ การขาดแคลน HBM เกิดจากการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ ที่เริ่มปลายปี 2024 ➡️ YMTC ตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยี TSV สำหรับการซ้อนชั้น VRAM ➡️ มีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่นเพื่อรองรับการผลิต DRAM ➡️ ร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีนในการพัฒนา HBM2/HBM3 ➡️ CXMT คาดว่าจะผลิตเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025 ➡️ YMTC ใช้เทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM ➡️ Huawei เตรียมใช้ HBM ที่ผลิตในประเทศกับชิป AI รุ่นใหม่ ➡️ การผลิต HBM ในประเทศช่วยลดการพึ่งพาตะวันตกและเสริมความมั่นคงด้านเทคโนโลยี ✅ ข้อมูลเสริมจากภายนอก ➡️ HBM เป็นหน่วยความจำที่จำเป็นต่อการประมวลผล AI เช่นใน GPU และ XPU ➡️ TSV เป็นเทคนิคที่ใช้เชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำแบบแนวตั้งด้วยความแม่นยำสูง ➡️ CXMT เป็นผู้ผลิต DRAM ที่มีโครงสร้างพื้นฐานพร้อมสำหรับการผลิต HBM ➡️ การใช้ Xtacking ช่วยลดความร้อนและเพิ่มความเร็วในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น ➡️ หากจีนผลิต HBM ได้สำเร็จ อาจมีผลต่อการแข่งขันกับ Samsung และ SK Hynix https://wccftech.com/china-ymtc-is-now-tapping-into-the-dram-business/
WCCFTECH.COM
China's YMTC Is Now Tapping Into the DRAM Business, Producing It Domestically to Combat the HBM Shortage in the Region
China's famous NAND producer YMTC is now planning to tap into the DRAM business, likely to speed up development of 'in-house' HBM.
0 Comments 0 Shares 16 Views 0 Reviews