“YMTC กระโดดสู่ตลาด DRAM — จีนเร่งผลิต HBM ในประเทศ สู้วิกฤตขาดแคลนชิป AI หลังถูกสหรัฐฯ ควบคุมการส่งออก”
หลังจากเป็นที่รู้จักในฐานะผู้ผลิต NAND รายใหญ่ของจีน บริษัท YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) กำลังขยายธุรกิจเข้าสู่ตลาด DRAM โดยมีเป้าหมายหลักคือการผลิต HBM (High Bandwidth Memory) ด้วยตัวเอง เพื่อแก้ปัญหาการขาดแคลนชิปหน่วยความจำความเร็วสูงที่จำเป็นต่อการพัฒนา AI ในประเทศ
จีนกำลังเผชิญกับวิกฤต HBM อย่างหนัก เนื่องจากความต้องการชิป AI พุ่งสูง แต่กลับถูกสหรัฐฯ ขยายมาตรการควบคุมการส่งออกในปลายปี 2024 ทำให้บริษัทจีนไม่สามารถเข้าถึง HBM จากผู้ผลิตต่างประเทศ เช่น Micron, SK Hynix และ Samsung ได้อีกต่อไป
YMTC จึงเริ่มตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยีการบรรจุชิปแบบ TSV (Through-Silicon Via) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของการสร้าง HBM ที่ต้องซ้อนชั้น VRAM หลายชั้นอย่างแม่นยำ โดยมีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่น และร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีน เพื่อแลกเปลี่ยนความเชี่ยวชาญด้านการซ้อนชั้น 3D และการผลิต HBM2/HBM3
แม้จะยังไม่มีตัวเลขการผลิตที่แน่นอน แต่ CXMT คาดว่าจะผลิตแผ่นเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025 ซึ่งใกล้เคียงกับระดับของ Micron แล้ว ขณะที่ YMTC นำเทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM เพื่อเพิ่มความแม่นยำในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น
การเคลื่อนไหวนี้ไม่เพียงแต่ตอบสนองความต้องการภายในประเทศ แต่ยังอาจส่งผลต่ออุตสาหกรรมโลก หากจีนสามารถผลิต HBM ได้ในปริมาณมากและคุณภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อ Huawei และบริษัทเทคโนโลยีจีนอื่น ๆ เริ่มพัฒนา AI accelerator ที่ใช้ HBM ในประเทศอย่างเต็มรูปแบบ
ข้อมูลสำคัญจากข่าว
YMTC ขยายธุรกิจจาก NAND สู่ DRAM เพื่อผลิต HBM ภายในประเทศ
การขาดแคลน HBM เกิดจากการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ ที่เริ่มปลายปี 2024
YMTC ตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยี TSV สำหรับการซ้อนชั้น VRAM
มีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่นเพื่อรองรับการผลิต DRAM
ร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีนในการพัฒนา HBM2/HBM3
CXMT คาดว่าจะผลิตเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025
YMTC ใช้เทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM
Huawei เตรียมใช้ HBM ที่ผลิตในประเทศกับชิป AI รุ่นใหม่
การผลิต HBM ในประเทศช่วยลดการพึ่งพาตะวันตกและเสริมความมั่นคงด้านเทคโนโลยี
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
HBM เป็นหน่วยความจำที่จำเป็นต่อการประมวลผล AI เช่นใน GPU และ XPU
TSV เป็นเทคนิคที่ใช้เชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำแบบแนวตั้งด้วยความแม่นยำสูง
CXMT เป็นผู้ผลิต DRAM ที่มีโครงสร้างพื้นฐานพร้อมสำหรับการผลิต HBM
การใช้ Xtacking ช่วยลดความร้อนและเพิ่มความเร็วในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น
หากจีนผลิต HBM ได้สำเร็จ อาจมีผลต่อการแข่งขันกับ Samsung และ SK Hynix
https://wccftech.com/china-ymtc-is-now-tapping-into-the-dram-business/
หลังจากเป็นที่รู้จักในฐานะผู้ผลิต NAND รายใหญ่ของจีน บริษัท YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) กำลังขยายธุรกิจเข้าสู่ตลาด DRAM โดยมีเป้าหมายหลักคือการผลิต HBM (High Bandwidth Memory) ด้วยตัวเอง เพื่อแก้ปัญหาการขาดแคลนชิปหน่วยความจำความเร็วสูงที่จำเป็นต่อการพัฒนา AI ในประเทศ
จีนกำลังเผชิญกับวิกฤต HBM อย่างหนัก เนื่องจากความต้องการชิป AI พุ่งสูง แต่กลับถูกสหรัฐฯ ขยายมาตรการควบคุมการส่งออกในปลายปี 2024 ทำให้บริษัทจีนไม่สามารถเข้าถึง HBM จากผู้ผลิตต่างประเทศ เช่น Micron, SK Hynix และ Samsung ได้อีกต่อไป
YMTC จึงเริ่มตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยีการบรรจุชิปแบบ TSV (Through-Silicon Via) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของการสร้าง HBM ที่ต้องซ้อนชั้น VRAM หลายชั้นอย่างแม่นยำ โดยมีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่น และร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีน เพื่อแลกเปลี่ยนความเชี่ยวชาญด้านการซ้อนชั้น 3D และการผลิต HBM2/HBM3
แม้จะยังไม่มีตัวเลขการผลิตที่แน่นอน แต่ CXMT คาดว่าจะผลิตแผ่นเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025 ซึ่งใกล้เคียงกับระดับของ Micron แล้ว ขณะที่ YMTC นำเทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM เพื่อเพิ่มความแม่นยำในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น
การเคลื่อนไหวนี้ไม่เพียงแต่ตอบสนองความต้องการภายในประเทศ แต่ยังอาจส่งผลต่ออุตสาหกรรมโลก หากจีนสามารถผลิต HBM ได้ในปริมาณมากและคุณภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อ Huawei และบริษัทเทคโนโลยีจีนอื่น ๆ เริ่มพัฒนา AI accelerator ที่ใช้ HBM ในประเทศอย่างเต็มรูปแบบ
ข้อมูลสำคัญจากข่าว
YMTC ขยายธุรกิจจาก NAND สู่ DRAM เพื่อผลิต HBM ภายในประเทศ
การขาดแคลน HBM เกิดจากการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ ที่เริ่มปลายปี 2024
YMTC ตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยี TSV สำหรับการซ้อนชั้น VRAM
มีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่นเพื่อรองรับการผลิต DRAM
ร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีนในการพัฒนา HBM2/HBM3
CXMT คาดว่าจะผลิตเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025
YMTC ใช้เทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM
Huawei เตรียมใช้ HBM ที่ผลิตในประเทศกับชิป AI รุ่นใหม่
การผลิต HBM ในประเทศช่วยลดการพึ่งพาตะวันตกและเสริมความมั่นคงด้านเทคโนโลยี
ข้อมูลเสริมจากภายนอก
HBM เป็นหน่วยความจำที่จำเป็นต่อการประมวลผล AI เช่นใน GPU และ XPU
TSV เป็นเทคนิคที่ใช้เชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำแบบแนวตั้งด้วยความแม่นยำสูง
CXMT เป็นผู้ผลิต DRAM ที่มีโครงสร้างพื้นฐานพร้อมสำหรับการผลิต HBM
การใช้ Xtacking ช่วยลดความร้อนและเพิ่มความเร็วในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น
หากจีนผลิต HBM ได้สำเร็จ อาจมีผลต่อการแข่งขันกับ Samsung และ SK Hynix
https://wccftech.com/china-ymtc-is-now-tapping-into-the-dram-business/
🇨🇳 “YMTC กระโดดสู่ตลาด DRAM — จีนเร่งผลิต HBM ในประเทศ สู้วิกฤตขาดแคลนชิป AI หลังถูกสหรัฐฯ ควบคุมการส่งออก”
หลังจากเป็นที่รู้จักในฐานะผู้ผลิต NAND รายใหญ่ของจีน บริษัท YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) กำลังขยายธุรกิจเข้าสู่ตลาด DRAM โดยมีเป้าหมายหลักคือการผลิต HBM (High Bandwidth Memory) ด้วยตัวเอง เพื่อแก้ปัญหาการขาดแคลนชิปหน่วยความจำความเร็วสูงที่จำเป็นต่อการพัฒนา AI ในประเทศ
จีนกำลังเผชิญกับวิกฤต HBM อย่างหนัก เนื่องจากความต้องการชิป AI พุ่งสูง แต่กลับถูกสหรัฐฯ ขยายมาตรการควบคุมการส่งออกในปลายปี 2024 ทำให้บริษัทจีนไม่สามารถเข้าถึง HBM จากผู้ผลิตต่างประเทศ เช่น Micron, SK Hynix และ Samsung ได้อีกต่อไป
YMTC จึงเริ่มตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยีการบรรจุชิปแบบ TSV (Through-Silicon Via) ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของการสร้าง HBM ที่ต้องซ้อนชั้น VRAM หลายชั้นอย่างแม่นยำ โดยมีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่น และร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีน เพื่อแลกเปลี่ยนความเชี่ยวชาญด้านการซ้อนชั้น 3D และการผลิต HBM2/HBM3
แม้จะยังไม่มีตัวเลขการผลิตที่แน่นอน แต่ CXMT คาดว่าจะผลิตแผ่นเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025 ซึ่งใกล้เคียงกับระดับของ Micron แล้ว ขณะที่ YMTC นำเทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM เพื่อเพิ่มความแม่นยำในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น
การเคลื่อนไหวนี้ไม่เพียงแต่ตอบสนองความต้องการภายในประเทศ แต่ยังอาจส่งผลต่ออุตสาหกรรมโลก หากจีนสามารถผลิต HBM ได้ในปริมาณมากและคุณภาพสูง โดยเฉพาะเมื่อ Huawei และบริษัทเทคโนโลยีจีนอื่น ๆ เริ่มพัฒนา AI accelerator ที่ใช้ HBM ในประเทศอย่างเต็มรูปแบบ
✅ ข้อมูลสำคัญจากข่าว
➡️ YMTC ขยายธุรกิจจาก NAND สู่ DRAM เพื่อผลิต HBM ภายในประเทศ
➡️ การขาดแคลน HBM เกิดจากการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ ที่เริ่มปลายปี 2024
➡️ YMTC ตั้งสายการผลิต DRAM และพัฒนาเทคโนโลยี TSV สำหรับการซ้อนชั้น VRAM
➡️ มีแผนสร้างโรงงานใหม่ในเมืองอู่ฮั่นเพื่อรองรับการผลิต DRAM
➡️ ร่วมมือกับ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีนในการพัฒนา HBM2/HBM3
➡️ CXMT คาดว่าจะผลิตเวเฟอร์ DRAM ได้ถึง 2.73 ล้านแผ่นในปี 2025
➡️ YMTC ใช้เทคโนโลยี Xtacking ที่เคยใช้ใน NAND มาเสริมการผลิต DRAM
➡️ Huawei เตรียมใช้ HBM ที่ผลิตในประเทศกับชิป AI รุ่นใหม่
➡️ การผลิต HBM ในประเทศช่วยลดการพึ่งพาตะวันตกและเสริมความมั่นคงด้านเทคโนโลยี
✅ ข้อมูลเสริมจากภายนอก
➡️ HBM เป็นหน่วยความจำที่จำเป็นต่อการประมวลผล AI เช่นใน GPU และ XPU
➡️ TSV เป็นเทคนิคที่ใช้เชื่อมต่อชั้นหน่วยความจำแบบแนวตั้งด้วยความแม่นยำสูง
➡️ CXMT เป็นผู้ผลิต DRAM ที่มีโครงสร้างพื้นฐานพร้อมสำหรับการผลิต HBM
➡️ การใช้ Xtacking ช่วยลดความร้อนและเพิ่มความเร็วในการเชื่อมต่อระหว่างชั้น
➡️ หากจีนผลิต HBM ได้สำเร็จ อาจมีผลต่อการแข่งขันกับ Samsung และ SK Hynix
https://wccftech.com/china-ymtc-is-now-tapping-into-the-dram-business/
0 Comments
0 Shares
16 Views
0 Reviews