“SK hynix āđāļāļīāļāļāļąāļ§ HBM4 āļāļĢāđāļāļĄāļāļĨāļīāļāļāļĢāļīāļ — āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ AI āļāļĩāđāđāļĢāđāļ§āļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāđāļĨāļ āļāļĢāđāļāļĄāļĨāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨ”
SK hynix āļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāđāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļĨāļ°āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ HBM4 āđāļāđāļāļĢāļēāļĒāđāļĢāļāļāļāļāđāļĨāļāđāļĄāļ·āđāļāļ§āļąāļāļāļĩāđ 12 āļāļąāļāļĒāļēāļĒāļ 2025 āđāļāļĒāļāļīāļāļāļĩāđāļāļđāļāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļāļāļĢāļ°āļĄāļ§āļĨāļāļĨ AI āļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļĄāļāđāļ āđāļāļĒāļāļ·āļāđāļāđāļāļāđāļēāļ§āļŠāļģāļāļąāļāļāļĩāđāļāđāļ§āļĒāļāļĨāļāļĨāđāļāļāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāļāļāđāļāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļ·āđāļāļāļēāļ AI āđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ
HBM4 āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĢāļąāļāļāļĢāļļāļāļāļĢāļąāđāļāđāļŦāļāđāļāļēāļāļĢāļļāđāļāļāđāļāļāļŦāļāđāļē āđāļāļĒāđāļāļīāđāļĄāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļŠāļąāļāļāļēāļ I/O āđāļāđāļ 2,048 āļāđāļāļ — āļĄāļēāļāļāļ§āđāļēāļĢāļļāđāļ HBM3E āļāļķāļāļŠāļāļāđāļāđāļē āļŠāđāļāļāļĨāđāļŦāđāđāļāļāļāđāļ§āļīāļāļāđāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļāļāļĒāđāļēāļāļĄāļŦāļēāļĻāļēāļĨ āđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĩāļāļķāđāļāļāļ§āđāļēāđāļāļīāļĄāļāļķāļ 40% āļāļķāđāļāļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļąāļĒāļŠāļģāļāļąāļ
SK hynix āļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē HBM4 āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļāļāļāļĢāļīāļāļēāļĢ AI āđāļāđāļŠāļđāļāļŠāļļāļāļāļķāļ 69% āđāļĨāļ°āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļēāļāđāļāļīāļāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ JEDEC āļāļĩāđ 8 Gbps āđāļāļĒāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļģāļāļēāļāđāļāđāļĄāļēāļāļāļ§āđāļē 10 Gbps āļāļķāđāļāļāļ·āļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĩāđāļŠāļđāļāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ āļ āļāļāļ°āļāļĩāđ
āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļąāđāļāļŠāļđāļ MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) āđāļĨāļ°āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1bnm āļāļķāđāļāđāļāđāļāđāļāđāļāļāđāļĢāļāļąāļāļāļĩāđ 5 āļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ 10 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ āđāļāļ·āđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļĨāļ°āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļĩāđāļĒāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļąāļ§āļāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļąāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāđāļ
āļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļąāļ§ HBM4 āļŠāđāļāļāļĨāđāļŦāđāļŦāļļāđāļāļāļāļ SK hynix āļāļļāđāļāļāļķāđāļāļāļąāļāļāļĩāđāļāļ·āļāļ 6% āđāļĨāļ°āļŠāļĢāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļāļ·āđāļāļĄāļąāđāļāļ§āđāļē SK hynix āļāļ°āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļđāđāļāļģāļāđāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļĒāļļāļ AI āļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļ
āļāļļāļāđāļāđāļāļāļāļ HBM4 āļāļēāļ SK hynix
āđāļāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļ AI āļāļĩāđāļĄāļĩāđāļāļāļāđāļ§āļīāļāļāđāļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŦāļĒāļąāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļ
āđāļāļīāđāļĄāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļŠāļąāļāļāļēāļ I/O āđāļāđāļ 2,048 āļāđāļāļ — āļĄāļēāļāļāļ§āđāļēāļĢāļļāđāļāļāđāļāļāļŦāļāđāļē 2 āđāļāđāļē
āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĩāļāļķāđāļāļāļ§āđāļēāđāļāļīāļĄ 40%
āđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļāļāļāļĢāļīāļāļēāļĢ AI āđāļāđāļŠāļđāļāļŠāļļāļāļāļķāļ 69%
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļĨāļ°āļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ
āđāļāđāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ MR-MUF āđāļāļ·āđāļāļāļ§āļāļāļļāļĄāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļąāļ§āđāļĨāļ°āļĢāļ°āļāļēāļĒāļāļ§āļēāļĄāļĢāđāļāļ
āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1bnm (āđāļāđāļāļāđāļĢāļāļąāļāļāļĩāđ 5 āļāļāļ 10nm) āđāļāļ·āđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ
āļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļēāļāđāļāļīāļ 10 Gbps — āļŠāļđāļāļāļ§āđāļēāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ JEDEC āļāļĩāđ 8 Gbps
āļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāđāļĨāđāļ§āđāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĩāđāļāļīāļāļāļāļ āļāļĢāļ°āđāļāļĻāđāļāļēāļŦāļĨāļĩāđāļāđ
āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
HBM4 āđāļāđāļāļĢāļļāđāļāļāļĩāđ 6 āļāđāļāļāļēāļ HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 āđāļĨāļ° HBM3E
āđāļāđāđāļ GPU āđāļĨāļ° AI accelerator āļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđāļāļēāļ NVIDIA āđāļĨāļ° AMD
āļāļĨāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ AI āđāļāļīāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨ
SK hynix āđāļāļ Samsung āļāļķāđāļāđāļāđāļāļāļđāđāļāļģāļāđāļēāļ DRAM āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
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SK hynix āļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāđāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļĨāļ°āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ HBM4 āđāļāđāļāļĢāļēāļĒāđāļĢāļāļāļāļāđāļĨāļāđāļĄāļ·āđāļāļ§āļąāļāļāļĩāđ 12 āļāļąāļāļĒāļēāļĒāļ 2025 āđāļāļĒāļāļīāļāļāļĩāđāļāļđāļāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļāļāļĢāļ°āļĄāļ§āļĨāļāļĨ AI āļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļĄāļāđāļ āđāļāļĒāļāļ·āļāđāļāđāļāļāđāļēāļ§āļŠāļģāļāļąāļāļāļĩāđāļāđāļ§āļĒāļāļĨāļāļĨāđāļāļāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāļāļāđāļāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļ·āđāļāļāļēāļ AI āđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ
HBM4 āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĢāļąāļāļāļĢāļļāļāļāļĢāļąāđāļāđāļŦāļāđāļāļēāļāļĢāļļāđāļāļāđāļāļāļŦāļāđāļē āđāļāļĒāđāļāļīāđāļĄāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļŠāļąāļāļāļēāļ I/O āđāļāđāļ 2,048 āļāđāļāļ — āļĄāļēāļāļāļ§āđāļēāļĢāļļāđāļ HBM3E āļāļķāļāļŠāļāļāđāļāđāļē āļŠāđāļāļāļĨāđāļŦāđāđāļāļāļāđāļ§āļīāļāļāđāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļāļāļĒāđāļēāļāļĄāļŦāļēāļĻāļēāļĨ āđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĩāļāļķāđāļāļāļ§āđāļēāđāļāļīāļĄāļāļķāļ 40% āļāļķāđāļāļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļąāļĒāļŠāļģāļāļąāļ
SK hynix āļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē HBM4 āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļāļāļāļĢāļīāļāļēāļĢ AI āđāļāđāļŠāļđāļāļŠāļļāļāļāļķāļ 69% āđāļĨāļ°āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļēāļāđāļāļīāļāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ JEDEC āļāļĩāđ 8 Gbps āđāļāļĒāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļģāļāļēāļāđāļāđāļĄāļēāļāļāļ§āđāļē 10 Gbps āļāļķāđāļāļāļ·āļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĩāđāļŠāļđāļāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ āļ āļāļāļ°āļāļĩāđ
āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļąāđāļāļŠāļđāļ MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) āđāļĨāļ°āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1bnm āļāļķāđāļāđāļāđāļāđāļāđāļāļāđāļĢāļāļąāļāļāļĩāđ 5 āļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ 10 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ āđāļāļ·āđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļĨāļ°āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļĩāđāļĒāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļąāļ§āļāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļąāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāđāļ
āļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļąāļ§ HBM4 āļŠāđāļāļāļĨāđāļŦāđāļŦāļļāđāļāļāļāļ SK hynix āļāļļāđāļāļāļķāđāļāļāļąāļāļāļĩāđāļāļ·āļāļ 6% āđāļĨāļ°āļŠāļĢāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļāļ·āđāļāļĄāļąāđāļāļ§āđāļē SK hynix āļāļ°āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļđāđāļāļģāļāđāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļĒāļļāļ AI āļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļ
āļāļļāļāđāļāđāļāļāļāļ HBM4 āļāļēāļ SK hynix
āđāļāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļ AI āļāļĩāđāļĄāļĩāđāļāļāļāđāļ§āļīāļāļāđāļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŦāļĒāļąāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļ
āđāļāļīāđāļĄāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļŠāļąāļāļāļēāļ I/O āđāļāđāļ 2,048 āļāđāļāļ — āļĄāļēāļāļāļ§āđāļēāļĢāļļāđāļāļāđāļāļāļŦāļāđāļē 2 āđāļāđāļē
āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĩāļāļķāđāļāļāļ§āđāļēāđāļāļīāļĄ 40%
āđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļāļāļāļĢāļīāļāļēāļĢ AI āđāļāđāļŠāļđāļāļŠāļļāļāļāļķāļ 69%
āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļĨāļ°āļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ
āđāļāđāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ MR-MUF āđāļāļ·āđāļāļāļ§āļāļāļļāļĄāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļąāļ§āđāļĨāļ°āļĢāļ°āļāļēāļĒāļāļ§āļēāļĄāļĢāđāļāļ
āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1bnm (āđāļāđāļāļāđāļĢāļāļąāļāļāļĩāđ 5 āļāļāļ 10nm) āđāļāļ·āđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ
āļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļēāļāđāļāļīāļ 10 Gbps — āļŠāļđāļāļāļ§āđāļēāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ JEDEC āļāļĩāđ 8 Gbps
āļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāđāļĨāđāļ§āđāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĩāđāļāļīāļāļāļāļ āļāļĢāļ°āđāļāļĻāđāļāļēāļŦāļĨāļĩāđāļāđ
āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
HBM4 āđāļāđāļāļĢāļļāđāļāļāļĩāđ 6 āļāđāļāļāļēāļ HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 āđāļĨāļ° HBM3E
āđāļāđāđāļ GPU āđāļĨāļ° AI accelerator āļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđāļāļēāļ NVIDIA āđāļĨāļ° AMD
āļāļĨāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ AI āđāļāļīāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨ
SK hynix āđāļāļ Samsung āļāļķāđāļāđāļāđāļāļāļđāđāļāļģāļāđāļēāļ DRAM āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
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ð “SK hynix āđāļāļīāļāļāļąāļ§ HBM4 āļāļĢāđāļāļĄāļāļĨāļīāļāļāļĢāļīāļ — āļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ AI āļāļĩāđāđāļĢāđāļ§āļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāđāļĨāļ āļāļĢāđāļāļĄāļĨāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨ”
SK hynix āļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāđāļāļāļēāļĢāļāļąāļāļāļēāđāļĨāļ°āđāļāļĢāļĩāļĒāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ HBM4 āđāļāđāļāļĢāļēāļĒāđāļĢāļāļāļāļāđāļĨāļāđāļĄāļ·āđāļāļ§āļąāļāļāļĩāđ 12 āļāļąāļāļĒāļēāļĒāļ 2025 āđāļāļĒāļāļīāļāļāļĩāđāļāļđāļāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāļĢāļāļāļĢāļąāļāļāļēāļāļāļĢāļ°āļĄāļ§āļĨāļāļĨ AI āļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļĄāļāđāļ āđāļāļĒāļāļ·āļāđāļāđāļāļāđāļēāļ§āļŠāļģāļāļąāļāļāļĩāđāļāđāļ§āļĒāļāļĨāļāļĨāđāļāļāļāđāļāļāļģāļāļąāļāļāļāļāđāļāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļ·āđāļāļāļēāļ AI āđāļāļāļąāļāļāļļāļāļąāļ
HBM4 āļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĢāļąāļāļāļĢāļļāļāļāļĢāļąāđāļāđāļŦāļāđāļāļēāļāļĢāļļāđāļāļāđāļāļāļŦāļāđāļē āđāļāļĒāđāļāļīāđāļĄāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļŠāļąāļāļāļēāļ I/O āđāļāđāļ 2,048 āļāđāļāļ — āļĄāļēāļāļāļ§āđāļēāļĢāļļāđāļ HBM3E āļāļķāļāļŠāļāļāđāļāđāļē āļŠāđāļāļāļĨāđāļŦāđāđāļāļāļāđāļ§āļīāļāļāđāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļāļāļĒāđāļēāļāļĄāļŦāļēāļĻāļēāļĨ āđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĩāļāļķāđāļāļāļ§āđāļēāđāļāļīāļĄāļāļķāļ 40% āļāļķāđāļāļāđāļ§āļĒāļĨāļāļāđāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļąāļĒāļŠāļģāļāļąāļ
SK hynix āļĢāļ°āļāļļāļ§āđāļē HBM4 āļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļāļāļāļĢāļīāļāļēāļĢ AI āđāļāđāļŠāļđāļāļŠāļļāļāļāļķāļ 69% āđāļĨāļ°āļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļēāļāđāļāļīāļāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ JEDEC āļāļĩāđ 8 Gbps āđāļāļĒāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļģāļāļēāļāđāļāđāļĄāļēāļāļāļ§āđāļē 10 Gbps āļāļķāđāļāļāļ·āļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļĩāđāļŠāļđāļāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ āļ āļāļāļ°āļāļĩāđ
āļāļāļāļāļēāļāļāļĩāđāļĒāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļąāđāļāļŠāļđāļ MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) āđāļĨāļ°āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1bnm āļāļķāđāļāđāļāđāļāđāļāđāļāļāđāļĢāļāļąāļāļāļĩāđ 5 āļāļāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ 10 āļāļēāđāļāđāļĄāļāļĢ āđāļāļ·āđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļĨāļ°āļĨāļāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļĩāđāļĒāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļąāļ§āļāļāļāļāļīāļāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļąāļāļŦāļĨāļēāļĒāļāļąāđāļ
āļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļąāļ§ HBM4 āļŠāđāļāļāļĨāđāļŦāđāļŦāļļāđāļāļāļāļ SK hynix āļāļļāđāļāļāļķāđāļāļāļąāļāļāļĩāđāļāļ·āļāļ 6% āđāļĨāļ°āļŠāļĢāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļāļ·āđāļāļĄāļąāđāļāļ§āđāļē SK hynix āļāļ°āļāļĨāļēāļĒāđāļāđāļāļāļđāđāļāļģāļāđāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļĒāļļāļ AI āļāļĒāđāļēāļāđāļāđāļāļĢāļīāļ
â
āļāļļāļāđāļāđāļāļāļāļ HBM4 āļāļēāļ SK hynix
âĄïļ āđāļāđāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģāļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļ AI āļāļĩāđāļĄāļĩāđāļāļāļāđāļ§āļīāļāļāđāļŠāļđāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŦāļĒāļąāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļ
âĄïļ āđāļāļīāđāļĄāļāļģāļāļ§āļāļāđāļāļāļŠāļąāļāļāļēāļ I/O āđāļāđāļ 2,048 āļāđāļāļ — āļĄāļēāļāļāļ§āđāļēāļĢāļļāđāļāļāđāļāļāļŦāļāđāļē 2 āđāļāđāļē
âĄïļ āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāđāļēāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļāļĩāļāļķāđāļāļāļ§āđāļēāđāļāļīāļĄ 40%
âĄïļ āđāļāļīāđāļĄāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāļāļāļāļāļĢāļīāļāļēāļĢ AI āđāļāđāļŠāļđāļāļŠāļļāļāļāļķāļ 69%
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āđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļĨāļ°āļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ
âĄïļ āđāļāđāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ MR-MUF āđāļāļ·āđāļāļāļ§āļāļāļļāļĄāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļąāļ§āđāļĨāļ°āļĢāļ°āļāļēāļĒāļāļ§āļēāļĄāļĢāđāļāļ
âĄïļ āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ 1bnm (āđāļāđāļāļāđāļĢāļāļąāļāļāļĩāđ 5 āļāļāļ 10nm) āđāļāļ·āđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ
âĄïļ āļāļ§āļēāļĄāđāļĢāđāļ§āđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļēāļāđāļāļīāļ 10 Gbps — āļŠāļđāļāļāļ§āđāļēāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļ JEDEC āļāļĩāđ 8 Gbps
âĄïļ āļāļĢāđāļāļĄāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļīāļāļĒāđāđāļĨāđāļ§āđāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĩāđāļāļīāļāļāļāļ āļāļĢāļ°āđāļāļĻāđāļāļēāļŦāļĨāļĩāđāļāđ
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āļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļāļ āļēāļĒāļāļāļ
âĄïļ HBM4 āđāļāđāļāļĢāļļāđāļāļāļĩāđ 6 āļāđāļāļāļēāļ HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 āđāļĨāļ° HBM3E
âĄïļ āđāļāđāđāļ GPU āđāļĨāļ° AI accelerator āļĢāļļāđāļāđāļŦāļĄāđāļāļēāļ NVIDIA āđāļĨāļ° AMD
âĄïļ āļāļĨāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒāļāļ§āļēāļĄāļāļģ AI āđāļāļīāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāļĢāļ§āļāđāļĢāđāļ§āļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļāļāļĻāļđāļāļĒāđāļāđāļāļĄāļđāļĨ
âĄïļ SK hynix āđāļāļ Samsung āļāļķāđāļāđāļāđāļāļāļđāđāļāļģāļāđāļēāļ DRAM āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
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