🔬 “TSMC พลิกโรงงานเก่า สร้างสายการผลิต EUV Pellicle — ก้าวใหม่สู่การควบคุมคุณภาพชิประดับนาโนเมตร” ในโลกของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง เทคโนโลยี EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) คือหัวใจของการสร้างชิประดับ 2 นาโนเมตรและต่ำกว่า แต่สิ่งที่มักถูกมองข้ามคือ “pellicle” — แผ่นฟิล์มบางใสที่ยืดอยู่เหนือ photomask เพื่อป้องกันฝุ่นและอนุภาคระหว่างการยิงแสง EUV ซึ่งหากไม่มี pellicle อาจทำให้เกิดข้อผิดพลาดซ้ำซ้อนบนแผ่นเวเฟอร์ และลด yield อย่างรุนแรง ล่าสุด TSMC ได้ประกาศนำโรงงานเก่า Fab 3 ขนาด 8 นิ้วใน Hsinchu Science Park กลับมาใช้งานใหม่ เพื่อผลิต EUV pellicle ด้วยตนเอง โดยไม่พึ่งพาซัพพลายเออร์ภายนอกอีกต่อไป เป้าหมายคือการลดต้นทุนต่อชิ้น เพิ่มความสามารถในการควบคุมคุณภาพ และทำให้การใช้งาน pellicle ในระดับ mass production เป็นไปได้จริง Pellicle สำหรับ EUV มีราคาสูงถึง $30,000 ต่อชิ้น เทียบกับ pellicle สำหรับ DUV ที่มีราคาเพียง $600 ซึ่งทำให้หลายโรงงานลังเลที่จะใช้แบบครอบคลุม ส่งผลให้เกิดช่องว่างด้าน yield ในบางกรณี TSMC จึงต้องการลดต้นทุนและเพิ่มความถี่ในการเปลี่ยน pellicle เพื่อรักษาคุณภาพ photomask ให้สูงสุด หนึ่งในเทคโนโลยีที่ TSMC กำลังพัฒนา คือการใช้ “carbon nanotube membrane” ซึ่งมีคุณสมบัติทนความร้อนสูง โปร่งแสง และไม่บิดเบือนคลื่นแสง — เหมาะกับการใช้งานในสภาพแวดล้อมที่มีแสง EUV ความเข้มสูงถึง 400W และอุณหภูมิใกล้ 1,000°C การผลิต pellicle ภายในยังสอดคล้องกับการเร่งพัฒนาเทคโนโลยี N2 และ A16 ของ TSMC ซึ่งต้องการ yield ที่สูงขึ้นเพื่อรักษาความเป็นผู้นำในตลาดชิประดับนาโนเมตร และลดความเสี่ยงจากการพึ่งพาซัพพลายเชนภายนอก ✅ การปรับโรงงาน Fab 3 เพื่อผลิต EUV pellicle ➡️ TSMC นำโรงงานเก่าขนาด 8 นิ้วกลับมาใช้งานใน Hsinchu Science Park ➡️ เป้าหมายคือผลิต pellicle สำหรับ EUV lithography ด้วยตนเอง ➡️ ลดต้นทุนต่อชิ้น และเพิ่มความถี่ในการเปลี่ยนเพื่อรักษาคุณภาพ ➡️ เพิ่มความสามารถในการควบคุม yield และลดการพึ่งพาซัพพลายภายนอก ✅ ความสำคัญของ pellicle ใน EUV ➡️ ป้องกันฝุ่นและอนุภาคจาก photomask ระหว่างการยิงแสง ➡️ ลดความเสี่ยงในการเกิด defect ซ้ำซ้อนบนเวเฟอร์ ➡️ EUV ใช้แหล่งแสง 400W และอุณหภูมิสูงถึง 1,000°C ➡️ pellicle ต้องทนความร้อนและไม่บิดเบือนคลื่นแสง ✅ เทคโนโลยีใหม่ที่ TSMC กำลังพัฒนา ➡️ ใช้ carbon nanotube membrane ที่โปร่งแสงและทนทาน ➡️ ลด optical absorption และ wavefront distortion ➡️ รองรับการใช้งานใน N2 และ A16 node ที่ต้องการ yield สูง ➡️ เป็นกุญแจสำคัญในการแข่งขันกับ Intel และ Rapidus ในระดับ 2nm ✅ ข้อมูลเสริมจากภายนอก ➡️ ASML เคยเป็นผู้ผลิต pellicle รายเดียว แต่เริ่มถ่ายโอนให้ Mitsui ➡️ EUV pellicle เคยไม่พร้อมใช้งานในช่วงเริ่มต้น 7nm ทำให้ yield ต่ำ ➡️ ราคาของ photomask EUV สูงถึง $300,000 — ต้องการการปกป้องที่ดี ➡️ การใช้ pellicle ช่วยลดความต้องการ metrology และการตรวจสอบ defect https://www.techpowerup.com/340862/tsmc-repurposing-old-fabs-to-bring-euv-pellicle-production-in-house