เรื่องเล่าจาก Icheon: เมื่อการพิมพ์วงจรระดับนาโนกลายเป็นการแข่งขันระดับโลก
ในเดือนกันยายน 2025 SK hynix และ ASML ประกาศว่าได้ติดตั้งเครื่อง High-NA EUV รุ่น Twinscan EXE:5200B ที่โรงงาน M16 ในเมืองอีชอน ประเทศเกาหลีใต้ ซึ่งถือเป็นการติดตั้งเชิงพาณิชย์ครั้งแรกของเครื่องรุ่นนี้ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ
เครื่องนี้ใช้เลนส์ที่มีค่า NA (Numerical Aperture) สูงถึง 0.55 ซึ่งมากกว่าเครื่อง EUV รุ่นเดิมที่มี NA 0.33 ทำให้สามารถพิมพ์วงจรที่เล็กลงได้ถึง 1.7 เท่า และเพิ่มความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ได้ถึง 2.9 เท่าในครั้งเดียว โดยไม่ต้องใช้เทคนิค multi-patterning ที่ซับซ้อนและมีต้นทุนสูง
SK hynix วางแผนใช้เครื่องนี้ในระยะแรกเพื่อเร่งการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ เช่นการสร้างโครงสร้าง capacitor trench, bitline และ wordline ที่ซับซ้อนขึ้น ก่อนจะนำไปใช้จริงในสายการผลิตช่วงปลายทศวรรษนี้ ซึ่งจะเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญของการผลิต DRAM ที่มีขนาดต่ำกว่า 10 นาโนเมตร
การติดตั้งครั้งนี้ทำให้ SK hynix กลายเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายแรกที่นำ High-NA EUV มาใช้ในระดับ mass production ล้ำหน้าคู่แข่งอย่าง Samsung และ Micron ที่ยังอยู่ในขั้นตอน R&D กับเครื่องรุ่นก่อนหน้าอย่าง EXE:5000
ASML ซึ่งเป็นผู้ผลิตเครื่องจากเนเธอร์แลนด์ ระบุว่าเครื่องรุ่นนี้มีขนาดเท่ารถบัสสองชั้น น้ำหนักกว่า 150 ตัน และมีราคาสูงถึง 600 พันล้านวอน (~431 ล้านดอลลาร์) โดยผลิตได้เพียง 5–6 เครื่องต่อปีเท่านั้น
การติดตั้ง High-NA EUV รุ่น Twinscan EXE:5200B
ติดตั้งที่โรงงาน M16 ของ SK hynix ในเกาหลีใต้
เป็นการใช้งานเชิงพาณิชย์ครั้งแรกในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ
ใช้เลนส์ NA 0.55 ซึ่งให้ความละเอียดสูงกว่ารุ่นเดิม
ความสามารถของเครื่อง High-NA EUV
พิมพ์วงจรเล็กลง 1.7 เท่า และเพิ่มความหนาแน่น 2.9 เท่า
ลดความจำเป็นในการใช้ multi-patterning ที่มีต้นทุนสูง
เหมาะกับการพัฒนา DRAM ที่มีโครงสร้างซับซ้อนระดับ sub-10nm
กลยุทธ์ของ SK hynix
ใช้เครื่องนี้เพื่อเร่งการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ก่อนเข้าสู่สายการผลิตจริง
ตั้งเป้าเป็นผู้นำในตลาด AI memory และ next-gen computing
ล้ำหน้าคู่แข่งที่ยังใช้เครื่องรุ่นก่อนหน้าในขั้นตอน R&D
ข้อมูลจาก ASML
เครื่องมีขนาดเท่ารถบัสสองชั้น น้ำหนักกว่า 150 ตัน
ราคาต่อเครื่องประมาณ 600 พันล้านวอน (~431 ล้านดอลลาร์)
ผลิตได้เพียง 5–6 เครื่องต่อปีเท่านั้น
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/asml-and-sk-hynix-assemble-industry-first-commercial-high-na-euv-system-at-fab-in-south-korea
ในเดือนกันยายน 2025 SK hynix และ ASML ประกาศว่าได้ติดตั้งเครื่อง High-NA EUV รุ่น Twinscan EXE:5200B ที่โรงงาน M16 ในเมืองอีชอน ประเทศเกาหลีใต้ ซึ่งถือเป็นการติดตั้งเชิงพาณิชย์ครั้งแรกของเครื่องรุ่นนี้ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ
เครื่องนี้ใช้เลนส์ที่มีค่า NA (Numerical Aperture) สูงถึง 0.55 ซึ่งมากกว่าเครื่อง EUV รุ่นเดิมที่มี NA 0.33 ทำให้สามารถพิมพ์วงจรที่เล็กลงได้ถึง 1.7 เท่า และเพิ่มความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ได้ถึง 2.9 เท่าในครั้งเดียว โดยไม่ต้องใช้เทคนิค multi-patterning ที่ซับซ้อนและมีต้นทุนสูง
SK hynix วางแผนใช้เครื่องนี้ในระยะแรกเพื่อเร่งการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ เช่นการสร้างโครงสร้าง capacitor trench, bitline และ wordline ที่ซับซ้อนขึ้น ก่อนจะนำไปใช้จริงในสายการผลิตช่วงปลายทศวรรษนี้ ซึ่งจะเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญของการผลิต DRAM ที่มีขนาดต่ำกว่า 10 นาโนเมตร
การติดตั้งครั้งนี้ทำให้ SK hynix กลายเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายแรกที่นำ High-NA EUV มาใช้ในระดับ mass production ล้ำหน้าคู่แข่งอย่าง Samsung และ Micron ที่ยังอยู่ในขั้นตอน R&D กับเครื่องรุ่นก่อนหน้าอย่าง EXE:5000
ASML ซึ่งเป็นผู้ผลิตเครื่องจากเนเธอร์แลนด์ ระบุว่าเครื่องรุ่นนี้มีขนาดเท่ารถบัสสองชั้น น้ำหนักกว่า 150 ตัน และมีราคาสูงถึง 600 พันล้านวอน (~431 ล้านดอลลาร์) โดยผลิตได้เพียง 5–6 เครื่องต่อปีเท่านั้น
การติดตั้ง High-NA EUV รุ่น Twinscan EXE:5200B
ติดตั้งที่โรงงาน M16 ของ SK hynix ในเกาหลีใต้
เป็นการใช้งานเชิงพาณิชย์ครั้งแรกในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ
ใช้เลนส์ NA 0.55 ซึ่งให้ความละเอียดสูงกว่ารุ่นเดิม
ความสามารถของเครื่อง High-NA EUV
พิมพ์วงจรเล็กลง 1.7 เท่า และเพิ่มความหนาแน่น 2.9 เท่า
ลดความจำเป็นในการใช้ multi-patterning ที่มีต้นทุนสูง
เหมาะกับการพัฒนา DRAM ที่มีโครงสร้างซับซ้อนระดับ sub-10nm
กลยุทธ์ของ SK hynix
ใช้เครื่องนี้เพื่อเร่งการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ก่อนเข้าสู่สายการผลิตจริง
ตั้งเป้าเป็นผู้นำในตลาด AI memory และ next-gen computing
ล้ำหน้าคู่แข่งที่ยังใช้เครื่องรุ่นก่อนหน้าในขั้นตอน R&D
ข้อมูลจาก ASML
เครื่องมีขนาดเท่ารถบัสสองชั้น น้ำหนักกว่า 150 ตัน
ราคาต่อเครื่องประมาณ 600 พันล้านวอน (~431 ล้านดอลลาร์)
ผลิตได้เพียง 5–6 เครื่องต่อปีเท่านั้น
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/asml-and-sk-hynix-assemble-industry-first-commercial-high-na-euv-system-at-fab-in-south-korea
🎙️ เรื่องเล่าจาก Icheon: เมื่อการพิมพ์วงจรระดับนาโนกลายเป็นการแข่งขันระดับโลก
ในเดือนกันยายน 2025 SK hynix และ ASML ประกาศว่าได้ติดตั้งเครื่อง High-NA EUV รุ่น Twinscan EXE:5200B ที่โรงงาน M16 ในเมืองอีชอน ประเทศเกาหลีใต้ ซึ่งถือเป็นการติดตั้งเชิงพาณิชย์ครั้งแรกของเครื่องรุ่นนี้ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ
เครื่องนี้ใช้เลนส์ที่มีค่า NA (Numerical Aperture) สูงถึง 0.55 ซึ่งมากกว่าเครื่อง EUV รุ่นเดิมที่มี NA 0.33 ทำให้สามารถพิมพ์วงจรที่เล็กลงได้ถึง 1.7 เท่า และเพิ่มความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ได้ถึง 2.9 เท่าในครั้งเดียว โดยไม่ต้องใช้เทคนิค multi-patterning ที่ซับซ้อนและมีต้นทุนสูง
SK hynix วางแผนใช้เครื่องนี้ในระยะแรกเพื่อเร่งการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ เช่นการสร้างโครงสร้าง capacitor trench, bitline และ wordline ที่ซับซ้อนขึ้น ก่อนจะนำไปใช้จริงในสายการผลิตช่วงปลายทศวรรษนี้ ซึ่งจะเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญของการผลิต DRAM ที่มีขนาดต่ำกว่า 10 นาโนเมตร
การติดตั้งครั้งนี้ทำให้ SK hynix กลายเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายแรกที่นำ High-NA EUV มาใช้ในระดับ mass production ล้ำหน้าคู่แข่งอย่าง Samsung และ Micron ที่ยังอยู่ในขั้นตอน R&D กับเครื่องรุ่นก่อนหน้าอย่าง EXE:5000
ASML ซึ่งเป็นผู้ผลิตเครื่องจากเนเธอร์แลนด์ ระบุว่าเครื่องรุ่นนี้มีขนาดเท่ารถบัสสองชั้น น้ำหนักกว่า 150 ตัน และมีราคาสูงถึง 600 พันล้านวอน (~431 ล้านดอลลาร์) โดยผลิตได้เพียง 5–6 เครื่องต่อปีเท่านั้น
✅ การติดตั้ง High-NA EUV รุ่น Twinscan EXE:5200B
➡️ ติดตั้งที่โรงงาน M16 ของ SK hynix ในเกาหลีใต้
➡️ เป็นการใช้งานเชิงพาณิชย์ครั้งแรกในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ
➡️ ใช้เลนส์ NA 0.55 ซึ่งให้ความละเอียดสูงกว่ารุ่นเดิม
✅ ความสามารถของเครื่อง High-NA EUV
➡️ พิมพ์วงจรเล็กลง 1.7 เท่า และเพิ่มความหนาแน่น 2.9 เท่า
➡️ ลดความจำเป็นในการใช้ multi-patterning ที่มีต้นทุนสูง
➡️ เหมาะกับการพัฒนา DRAM ที่มีโครงสร้างซับซ้อนระดับ sub-10nm
✅ กลยุทธ์ของ SK hynix
➡️ ใช้เครื่องนี้เพื่อเร่งการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ก่อนเข้าสู่สายการผลิตจริง
➡️ ตั้งเป้าเป็นผู้นำในตลาด AI memory และ next-gen computing
➡️ ล้ำหน้าคู่แข่งที่ยังใช้เครื่องรุ่นก่อนหน้าในขั้นตอน R&D
✅ ข้อมูลจาก ASML
➡️ เครื่องมีขนาดเท่ารถบัสสองชั้น น้ำหนักกว่า 150 ตัน
➡️ ราคาต่อเครื่องประมาณ 600 พันล้านวอน (~431 ล้านดอลลาร์)
➡️ ผลิตได้เพียง 5–6 เครื่องต่อปีเท่านั้น
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/asml-and-sk-hynix-assemble-industry-first-commercial-high-na-euv-system-at-fab-in-south-korea
0 ความคิดเห็น
0 การแบ่งปัน
44 มุมมอง
0 รีวิว