⚙️🧠 เรื่องเล่าจากโลกหน่วยความจำ: Sandisk และ SK hynix จับมือสร้างมาตรฐานใหม่สำหรับ AI ด้วย High Bandwidth Flash ในเดือนสิงหาคม 2025 Sandisk และ SK hynix ได้ประกาศความร่วมมือครั้งสำคัญเพื่อผลักดันเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่เรียกว่า “High Bandwidth Flash” หรือ HBF ซึ่งเป็นการนำ NAND flash มาผสานกับแนวคิดของ HBM (High Bandwidth Memory) เพื่อสร้างหน่วยความจำที่มีความจุสูงถึง 8–16 เท่าของ DRAM แต่ยังคงรักษาระดับแบนด์วิดธ์ใกล้เคียงกัน ต่างจาก HBM ที่ใช้ DRAM ซึ่งต้องใช้พลังงานตลอดเวลาเพื่อเก็บข้อมูล HBF ใช้ NAND flash ที่ไม่ต้องใช้พลังงานเพื่อคงข้อมูลไว้ ทำให้เหมาะกับงาน AI inference ที่ต้องการประหยัดพลังงานและรองรับการใช้งานใน edge computing หรือ data center ที่มีข้อจำกัดด้านพลังงานและความร้อน เทคโนโลยีนี้ยังได้รับรางวัล “Most Innovative Technology” จากงาน Flash Memory Summit 2025 และมีแผนส่งตัวอย่างในครึ่งหลังของปี 2026 โดยคาดว่าจะมีอุปกรณ์ AI รุ่นแรกที่ใช้ HBF ในต้นปี 2027 ✅ Sandisk และ SK hynix ลงนาม MOU เพื่อพัฒนาและสร้างมาตรฐาน High Bandwidth Flash (HBF) ➡️ เป็นการรวม NAND flash เข้ากับแนวคิดของ HBM เพื่อสร้างหน่วยความจำใหม่ ✅ HBF มีความจุสูงกว่า DRAM-based HBM ถึง 8–16 เท่า ➡️ แต่ยังคงรักษาระดับแบนด์วิดธ์ใกล้เคียงกัน ✅ NAND flash เป็นหน่วยความจำแบบ non-volatile ➡️ ไม่ต้องใช้พลังงานเพื่อคงข้อมูล ช่วยลดการใช้พลังงานในระบบ AI ✅ HBF ได้รับรางวัล “Most Innovative Technology” จากงาน FMS 2025 ➡️ พัฒนาโดยใช้เทคโนโลยี BiCS NAND และ CBA wafer bonding ✅ ตัวอย่าง HBF จะเริ่มส่งในครึ่งหลังของปี 2026 ➡️ และอุปกรณ์ AI รุ่นแรกที่ใช้ HBF จะเปิดตัวในต้นปี 2027 ✅ มีการตั้ง Technical Advisory Board เพื่อกำหนดทิศทางของ HBF ➡️ รวมผู้เชี่ยวชาญจากทั้งในและนอก Sandisk เพื่อสร้างมาตรฐานอุตสาหกรรม https://www.tomshardware.com/tech-industry/sandisk-and-sk-hynix-join-forces-to-standardize-high-bandwidth-flash-memory-a-nand-based-alternative-to-hbm-for-ai-gpus-move-could-enable-8-16x-higher-capacity-compared-to-dram