💾 เรื่องเล่าจากชั้นความจำ: เมื่อ BiCS9 คือสะพานเชื่อมระหว่างอดีตและอนาคตของ NAND Flash ในเดือนกรกฎาคม 2025 Kioxia และ SanDisk ได้เริ่มส่งมอบตัวอย่างชิป BiCS9 ซึ่งเป็น NAND Flash รุ่นที่ 9 ที่ออกแบบมาเพื่อเป็น “สะพาน” ระหว่าง BiCS8 และ BiCS10 โดยใช้แนวคิดแบบไฮบริด—นำโครงสร้างเซลล์เก่าจาก BiCS5 หรือ BiCS8 มาผสานกับเทคโนโลยีใหม่อย่าง CBA (CMOS directly Bonded to Array) ผลลัพธ์คือชิปที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นอย่างชัดเจน แม้จะใช้จำนวนเลเยอร์น้อยกว่า BiCS8 หรือ BiCS10 แต่กลับสามารถเร่งความเร็วอินเทอร์เฟซ NAND ได้ถึง 4.8 Gb/s ด้วย Toggle DDR6.0 และ SCA protocol พร้อมลดการใช้พลังงานได้อย่างมีนัยสำคัญ BiCS9 จึงกลายเป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับ SSD ระดับองค์กรที่รองรับงาน AI และการใช้งานทั่วไปที่ต้องการความสมดุลระหว่างประสิทธิภาพและต้นทุน ✅ Kioxia และ SanDisk เริ่มส่งมอบตัวอย่าง BiCS9 NAND Flash รุ่นใหม่ ➡️ เป็นรุ่นที่ 9 ของซีรีส์ BiCS FLASH ➡️ ใช้โครงสร้างแบบไฮบริดระหว่าง BiCS5 (112-layer) และ BiCS8 (218-layer) ✅ ใช้เทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) ➡️ ผลิต logic wafer และ memory cell wafer แยกกัน แล้วนำมาประกบ ➡️ ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและลดต้นทุนการผลิต ✅ รองรับ Toggle DDR6.0 และ SCA protocol เพื่อเพิ่มความเร็วอินเทอร์เฟซ2 ➡️ ความเร็วสูงสุดถึง 4.8 Gb/s ภายใต้การทดสอบ ➡️ เพิ่มขึ้น 33% จาก BiCS8 ✅ ประสิทธิภาพดีขึ้นอย่างชัดเจนเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า ➡️ เขียนข้อมูลเร็วขึ้น 61% ➡️ อ่านข้อมูลเร็วขึ้น 12% ➡️ ประหยัดพลังงานขึ้น 36% ขณะเขียน และ 27% ขณะอ่าน ➡️ เพิ่ม bit density ขึ้น 8% ✅ BiCS9 ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับงาน AI และ SSD ระดับกลางถึงสูง ➡️ เน้นความสมดุลระหว่างประสิทธิภาพและต้นทุน ➡️ เตรียมพร้อมสำหรับการเปลี่ยนผ่านสู่ BiCS10 ที่จะใช้ 332-layer ✅ BiCS10 จะเน้นความจุสูงและความหนาแน่นของข้อมูลมากขึ้น ➡️ เพิ่ม bit density ขึ้น 59% จากการปรับ floor plan ➡️ เหมาะกับ data center และงาน AI ที่ต้องการความเร็วและประหยัดพลังงาน ‼️ BiCS9 ยังอยู่ในขั้นตอนการทดสอบและยังไม่เข้าสู่การผลิตจำนวนมาก ⛔ การใช้งานจริงอาจมีความแตกต่างจากตัวอย่างที่ส่งมอบ ⛔ ต้องรอการผลิตจริงภายในปีงบประมาณ 2025 ‼️ การใช้โครงสร้างไฮบริดอาจทำให้เกิดความสับสนในรุ่นย่อย ⛔ บางรุ่นใช้ BiCS5 (112-layer) บางรุ่นใช้ BiCS8 (218-layer) ⛔ อาจส่งผลต่อความเสถียรและการจัดการคุณภาพ ‼️ ความเร็วสูงสุด 4.8 Gb/s เป็นค่าที่ได้จากการทดสอบในสภาพควบคุม ⛔ ความเร็วจริงอาจต่ำกว่าขึ้นอยู่กับสภาพแวดล้อมและอุปกรณ์ที่ใช้ ⛔ ต้องรอผลการทดสอบจากผู้ผลิตอิสระเพื่อยืนยัน ‼️ การแข่งขันกับผู้ผลิตรายอื่นยังคงเข้มข้น ⛔ Samsung และ Micron เน้นเพิ่มจำนวนเลเยอร์เกิน 300 เพื่อเพิ่มความจุ ⛔ Kioxia เลือกแนวทางไฮบริดเพื่อความเร็วในการผลิตและต้นทุนต่ำ https://www.tomshardware.com/pc-components/storage/kioxia-and-sandisk-start-shipping-bics9-3d-nand-samples-hybrid-design-combining-112-layer-bics5-with-modern-cba-and-ddr6-0-interface-for-higher-performance-and-cost-efficiency