ในโลกของพลังงานและ AI ที่ทุกวินาทีต้องการประสิทธิภาพสูง การใช้ “ซิลิคอน” อาจไม่พออีกต่อไปแล้วครับ → บริษัทอย่าง Infineon จึงหันมาโฟกัสที่ GaN (Gallium Nitride) ซึ่งเด่นเรื่อง - เปิด–ปิดสัญญาณไฟเร็วกว่า - รองรับแรงดันสูง–ความร้อนสูง - มีความหนาแน่นพลังงานสูงกว่า Si หลายเท่า → ใช้งานได้ดีใน AI Data Center, ยานยนต์ EV, อุตสาหกรรมควบคุมมอเตอร์ ล่าสุด Infineon พัฒนาไลน์ผลิตเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม. (จากเดิม 200 มม.) ซึ่ง → ทำให้ได้จำนวนชิปต่อแผ่นมากขึ้น 2.3 เท่า → ต้นทุนเฉลี่ยต่อชิปลดลง → พร้อมส่งตัวอย่างให้ลูกค้าทดสอบใน Q4 ปี 2025 ที่น่าตื่นเต้นยิ่งกว่าคือ TSMC กลับตัดสินใจ “เลิกเล่นเกม GaN” โดยจะปิดสายผลิตและรื้อโรงงานออกใน 2 ปีข้างหน้า → เป็นโอกาสทองให้ Infineon กลายเป็นเจ้าใหญ่ในตลาดนี้ ✅ Infineon จะเริ่มผลิต GaN บนเวเฟอร์ขนาด 300 มม. เป็นรายแรกของโลก   • ส่งผลให้ได้ yield สูงขึ้น 2.3 เท่า เทียบกับแบบ 200 มม.   • พร้อมเริ่มส่งตัวอย่างให้ลูกค้าในไตรมาส 4 ปี 2025 ✅ ใช้โครงสร้าง IDM (Integrated Device Manufacturer)   • ควบคุมทุกขั้นตอน: ตั้งแต่ fab ไปจนถึงสินค้า   • ลดต้นทุน–เร่งเวลาไปตลาด   • ทำให้ GaN มีต้นทุนใกล้เคียงกับซิลิคอนแบบเดิม ✅ ตลาด GaN คาดจะเติบโต 36% ต่อปี และมีมูลค่า $2.5B ภายในปี 2030   • ข้อมูลจาก Yole Group   • ผลักดันจากความต้องการใน AI, EV, ระบบพลังงานขั้นสูง ✅ TSMC เตรียมถอนตัวจากตลาด GaN ใน 2 ปีข้างหน้า   • ชี้ชัดว่าบริษัทจะโฟกัสที่โปรเซสเซอร์ margin สูง   • เปิดพื้นที่ให้ Infineon และผู้เล่นเฉพาะทางยึดตลาด power semiconductor ✅ แอปพลิเคชันเป้าหมายของ Infineon รวมถึง:   • แหล่งจ่ายไฟของระบบ AI   • เครื่องชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า   • ระบบควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม https://www.techpowerup.com/338633/infineon-to-start-300-mm-gan-wafer-production-as-tsmc-exits-market