ในโลก AI ทุกวันนี้ “หน่วยความจำ” กลายเป็นหัวใจสำคัญที่แทบจะสำคัญกว่าชิปประมวลผล เพราะถ้าหน่วยความจำช้า → AI ก็ทำงานช้า นั่นคือเหตุผลที่ผู้ผลิตรายใหญ่เร่งแข่งกันพัฒนา HBM (High Bandwidth Memory) ซึ่งเอา DRAM มาต่อซ้อนกันหลายชั้น + ทำให้เชื่อมต่อกับชิปหลักได้เร็วแบบบ้าพลัง ข่าวใหม่นี้บอกว่า Samsung ได้รับอนุมัติให้เข้าสู่ขั้นตอนผลิตจริง (production readiness) สำหรับ DRAM เจเนอเรชัน 6 (รหัส “1c” หรือ 10nm-class) ซึ่งเป็นจิ๊กซอว์สำคัญในการผลิต HBM4 ที่ Samsung วางแผนจะเริ่มผลิตในครึ่งหลังของปี 2025 นอกจากนี้ Samsung ยังใช้เทคนิค hybrid bonding สำหรับ HBM4 ซึ่งช่วยให้ต่อแผ่น DRAM ซ้อนกันได้แน่นกว่าเดิม แถมลดความร้อนในระหว่างทำงาน — สุดเหมาะกับการประมวลผล AI แบบรุ่นใหญ่ ถึงแม้ SK hynix จะเริ่มส่ง HBM4 ตัวอย่างให้ลูกค้าอย่าง NVIDIA ไปตั้งแต่มีนาคม แต่ Samsung ก็ยังมีแต้มต่อด้านเทคโนโลยีบางอย่าง — ตอนนี้อยู่ระหว่างการส่งมอบตัวอย่าง HBM4 และ รอการทดสอบคุณภาพจาก NVIDIA เช่นเดียวกับ HBM3E แบบ 12 ชั้นที่ใช้กับ AMD อยู่ก่อนหน้า https://www.techpowerup.com/338525/samsung-6th-gen-dram-receives-production-readiness-approval