ใครเคยคิดว่า “โรงงานผลิตแรม” จะมีขนาดใหญ่เท่าศูนย์ประชุม! Micron เปิดเผยว่าโรงงาน ID1 ที่ Boise, Idaho ซึ่งเป็นแห่งแรกในชุดนี้ กำลังสร้าง cleanroom ขนาด 600,000 ตารางฟุต — ใหญ่เทียบเท่าโรงงาน SK Hynix หรือ Samsung ในเกาหลีใต้เลย เป้าหมายคือภายใน 20 ปีข้างหน้า Micron จะลงทุนรวม $200,000 ล้าน (ประมาณ 7.3 ล้านล้านบาท) ในการตั้งโรงงาน DRAM, สร้างแพ็กกิ้ง HBM ในเวอร์จิเนีย และขยาย R&D อย่างจริงจัง เพื่อให้สหรัฐฯ มีกำลังผลิต DRAM “อย่างน้อย 40%” อยู่ภายในประเทศ แผนนี้จะสร้างงานกว่า 90,000 ตำแหน่ง และทำให้สหรัฐฯ มีศูนย์กลางการผลิตหน่วยความจำแข่งกับเกาหลี–ญี่ปุ่น–ไต้หวันมากขึ้น โดยได้แรงหนุนจาก CHIPS Act และเครดิตภาษีอีกมาก แต่ในทางกลับกัน แม้ DRAM จะมีแผนลงหลักปักฐานในอเมริกาแล้ว — Micron ยังไม่ประกาศว่าจะย้ายการผลิต NAND มาในประเทศแต่อย่างใด ทำให้ “ศูนย์ถ่วงการผลิตแฟลช” อาจยังอยู่ที่เอเชียอีกนาน ✅ Micron ประกาศลงทุน $200,000 ล้านในสหรัฐฯ ตลอด 20 ปีข้างหน้า   • แบ่งเป็น $150B สำหรับผลิต DRAM และ $50B สำหรับงานวิจัย (R&D)   • ได้รับแรงหนุนจาก CHIPS Act และเครดิตภาษีอีกมากมาย ✅ แผนประกอบด้วย:   • โรงงาน DRAM 2 แห่งใน Idaho   • โรงงาน DRAM 4 แห่งในนิวยอร์ก (Clay, NY)   • ส่วนแพ็กกิ้ง HBM (เช่น HBM5/6) ในเวอร์จิเนีย (Manassas)   • ตั้งเป้าผลิต DRAM ในสหรัฐฯ 40% ภายใน 10 ปี ✅ ID1 (โรงงานแรกในไอดาโฮ) จะเริ่มเดินสายการผลิตช่วงครึ่งหลังปี 2027   • มี cleanroom ขนาด 600,000 ตร.ฟุต (ใหญ่พอ ๆ กับ Samsung/Hynix)   • ID2 จะสร้างติดกัน เพื่อใช้โครงสร้างพื้นฐานร่วมกัน ✅ โรงงานในนิวยอร์กอยู่ระหว่างรอผลประเมินสิ่งแวดล้อม (EIA)   • คาดว่าเริ่มถมที่ปลายปี 2025 ✅ Manassas, VA จะถูกอัปเกรดให้แพ็กกิ้ง HBM ได้เองในประเทศ   • แต่จะเริ่มหลังจากที่ DRAM แผ่นเวเฟอร์ในอเมริกาเพียงพอก่อน ✅ คาดว่าจะมีการจ้างงาน ~90,000 ตำแหน่ง (ตรง + อ้อม)   • ทั้งในสายงานวิศวกรรม, ก่อสร้าง, บริการ และ supply chain ✅ ตั้งเป้าให้ DRAM จากอเมริกาใช้ในระบบสำคัญ เช่น AI, คลาวด์, เซิร์ฟเวอร์ และอุปกรณ์เชิงยุทธศาสตร์ https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-details-new-u-s-fab-projects-idaho-fab-1-comes-online-in-2h-2027-new-york-fabs-come-later-hbm-assembly-in-the-u-s