รู้ไหมครับว่าพวกแอมป์แรงสูงในมือถือ, เสาสัญญาณ 5G, Wi-Fi 7 หรือแม้แต่ระบบเรดาร์–ดาต้าเซ็นเตอร์ระดับสูง มักต้องใช้ “ทรานซิสเตอร์ GaN” เพราะมันส่งสัญญาณได้เร็วมากและทนร้อนได้ดีกว่า แต่ก็แพงและ “ใส่รวมกับซิลิคอน” ได้ยากมาก จนแทบใช้ได้แค่ในงานเฉพาะ แต่ทีมนี้แก้ปัญหาได้โดยไม่ใช่การเชื่อมทั้งแผ่น (ที่เปลือง) หรือการบัดกรีแบบเดิม (ที่ร้อนเกินไปและจำกัดขนาด) — พวกเขาใช้วิธี เจาะ GaN เป็นชิ้นเล็กจิ๋ว ๆ แล้ววางเฉพาะจุดที่จำเป็นบนซิลิคอน ด้วยความละเอียดระดับนาโนเมตร! เชื่อมด้วยทองแดง (ไม่ใช่ทอง!) ที่ใช้อุณหภูมิต่ำ ปลอดภัย และยังนำไฟฟ้าได้ดี ผลที่ได้ไม่ใช่แค่เร็วแรง แต่ ลดความร้อนได้ด้วย เพราะ design ที่กะทัดรัดและใช้พลังงานมีประสิทธิภาพกว่าเดิมมาก ที่น่าสนใจคือเทคนิคนี้ยังเปิดทางไปถึงการประยุกต์ใช้ใน “ควอนตัมคอมพิวเตอร์” ด้วยนะ เพราะ GaN ทำงานได้ดีในอุณหภูมิต่ำสุดขั้วที่ซิลิคอนทำไม่ได้ ✅ ทีม MIT พัฒนาเทคนิคใหม่ “วาง GaN บนซิลิคอน” แบบละเอียดในระดับจุด (die-level bonding)   • ใช้ชิ้นทรานซิสเตอร์ GaN เล็กไม่ถึง 1 มม. วางบน chip เฉพาะจุดที่ต้องการ   • ประหยัดวัสดุราคาแพงมาก และคุม design ได้ละเอียดกว่าเดิม ✅ ใช้วิธี “copper-to-copper bonding” ที่เย็นกว่า (ต่ำกว่า 400°C) และต้นทุนต่ำกว่าทอง (gold)   • ช่วยให้ไม่ทำลายชิ้นส่วน delicate และเพิ่มการนำไฟฟ้า ✅ พัฒนาทูลพิเศษใช้กล้องและสูญญากาศวางชิ้น GaN แบบแม่นยำระดับนาโน   • ลดการเสียพิกัดและเพิ่ม yield ในการผลิต ✅ สร้างวงจร power amplifier ด้วยเทคโนโลยีนี้ที่ outperform ซิลิคอนแบบเดิม   • ได้ bandwidth และ signal strength สูงขึ้น   • ระบายความร้อนได้ดีกว่า ✅ เทคโนโลยีนี้สามารถใช้ในอุปกรณ์หลายประเภท เช่น:   • การสื่อสารไร้สาย, 6G, ดาวเทียม, ดาต้าเซ็นเตอร์   • อุปกรณ์ควอนตัม — เพราะ GaN ทำงานได้ดีในอุณหภูมิต่ำมาก ✅ งานนี้สนับสนุนโดยกระทรวงกลาโหมสหรัฐ, MIT.Nano, และห้องทดลอง Air Force   • เป็นตัวอย่างของ public–private research ที่เชื่อมโยงความมั่นคงกับเทคโนโลยีพลเรือน https://www.techspot.com/news/108441-mit-researchers-bond-gallium-nitride-transistors-silicon-chips.html