ปกติแล้วเมื่อชิปมีความละเอียดระดับ 10nm (หรือเทคโนโลยีที่เรียกกันว่า “1c DRAM”) ยิ่งขนาดทรานซิสเตอร์เล็กลง ก็ยิ่งทำให้ผลิตยาก ยิ่งมี defect ก็ยิ่ง “yield ต่ำ” — แต่นี่คือครั้งแรกที่ Samsung กลับมาพลิกเกมด้วย การออกแบบชิปใหม่ทั้งหมดหลังล้มเหลวตอนปลายปี 2024 แม้จะต้องเลื่อนแผนผลิตไปกว่า 1 ปีเต็มก็ตาม ผลลัพธ์ของการ “ยอมถอยเพื่อเดินหน้า” คือ yield rate ตอนนี้ขยับขึ้นจาก <30% → สู่ 50–70% ซึ่งถือว่า “ผ่านจุดคุ้มทุน” แล้ว ทำให้ Samsung เตรียมเร่งกำลังผลิตในสาย Pyeongtaek และ Hwaseong ทันที เหตุผลที่เรื่องนี้น่าสนใจคือ DRAM รุ่น 1c คือรากฐานสำคัญของชิป HBM4 (High Bandwidth Memory Gen4) — ซึ่งจำเป็นมากต่อการแข่งในตลาด AI, HPC และ GPU รุ่นใหม่ ๆ ปี 2025–2026 โดย Samsung ตั้งเป้าเริ่ม mass production HBM4 ภายในสิ้นปีนี้ โดยใช้ฐาน Pyeongtaek Line 3 เป็นหัวหอก ✅ Samsung ดัน yield DRAM รุ่น 1c ขึ้นมาที่ระดับ 50–70% ได้แล้ว   • ปีที่แล้วอยู่ต่ำกว่า 30% และต้องเลื่อน mass production ออกไป   • ผ่านจุดคุ้มทุนในการผลิต เกิด mass yield ได้จริง ✅ ออกแบบชิปรุ่นใหม่ทั้งหมดหลังแผนผลิตปลายปี 2024 ล้มเหลว   • เปลี่ยนดีไซน์เพื่อปรับประสิทธิภาพและลด defect   • ย้ายฐานการผลิตไป Pyeongtaek Line 4 (สำหรับ DRAM 1c) ✅ ช่วยเร่งแผนผลิต HBM4 ให้เริ่มได้ภายในปลายปี 2025   • ฐานการผลิต HBM4 อยู่ที่ Pyeongtaek Line 3   • DRAM 1c เป็นรากฐานสำคัญของ HBM4 ✅ Samsung เดินคนละเส้นกับคู่แข่งอย่าง SK Hynix และ Micron ที่ใช้ DRAM รุ่น 1b กับ HBM4 แทน 1c   • มีความเสี่ยงสูงกว่า แต่โอกาสทำกำไรสูงกว่าเช่นกัน ✅ เริ่มขยายสายการผลิต DRAM 1c เพิ่มที่ Hwaseong และ Pyeongtaek ในปีนี้   • เตรียมรองรับความต้องการ DRAM/HBM ที่สูงขึ้นจากภาค AI และดาต้าเซ็นเตอร์ https://www.techpowerup.com/338192/samsung-reportedly-achieves-70-yields-for-its-1c-dram-technology