อนาคตของ HBM: จาก HBM4 สู่ HBM8 และการฝัง NAND สถาบันวิจัย KAIST ของเกาหลีใต้ได้เผยแพร่เอกสารความยาว 371 หน้า ที่คาดการณ์การพัฒนาเทคโนโลยี HBM (High-Bandwidth Memory) จนถึงปี 2038 โดยเน้นการเพิ่ม แบนด์วิดท์, ความจุ, ความกว้างของ I/O และการจัดการพลังงาน. รายละเอียดการพัฒนา HBM ✅ HBM4 จะมีความจุเพิ่มขึ้นเป็น 348GB ต่อสแต็ก และใช้พลังงาน 75W ต่อสแต็ก. ✅ HBM5 จะเปิดตัวในปี 2029 พร้อม I/O 4,096 บิต และแบนด์วิดท์ 4TB/s. ✅ HBM6 จะมาถึงในปี 2032 โดยเพิ่มความเร็วในการส่งข้อมูลเป็น 16GT/s และแบนด์วิดท์ 8TB/s. ✅ HBM8 จะมี I/O สูงถึง 16,384 บิต และแบนด์วิดท์ 64TB/s ต่อสแต็ก. ผลกระทบและข้อควรระวัง ‼️ HBM รุ่นใหม่ต้องใช้พลังงานสูงขึ้น โดย HBM8 อาจใช้พลังงานถึง 180W ต่อสแต็ก. ‼️ การพัฒนา HBM ต้องใช้เทคนิคการระบายความร้อนที่ซับซ้อนขึ้น เช่น ช่องระบายความร้อนแบบฝังในอินเตอร์โพเซอร์. ‼️ HBM7 และ HBM8 จะมีสถาปัตยกรรมที่แตกต่างจาก HBM ในปัจจุบัน โดยจะรวม NAND storage เพื่อให้สามารถย้ายข้อมูลโดยไม่ต้องใช้ CPU หรือ GPU. แนวทางการพัฒนาและการนำไปใช้ ✅ HBM5 จะรวม L3 Cache และอินเทอร์เฟซ LPDDR/CXL เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ. ✅ HBM6 จะใช้การเชื่อมต่อแบบ Direct Bonding แทนการใช้ Microbump. ✅ HBM8 จะใช้ AI ในการจัดการพลังงานและสัญญาณแบบเรียลไทม์ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ. ข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเทคโนโลยี HBM ✅ Micron เริ่มส่งตัวอย่าง HBM4 ที่มีความจุ 36GB และแบนด์วิดท์ 2TB/s. ✅ Intel และ SoftBank กำลังพัฒนา HBM ที่ใช้พลังงานต่ำสำหรับศูนย์ข้อมูล AI. ‼️ HBM ที่มี NAND ฝังตัวอาจเปลี่ยนโครงสร้างของระบบประมวลผล โดยลดการพึ่งพา CPU และ GPU. https://www.tomshardware.com/tech-industry/hbm-development-roadmap-revealed-hbm8-with-a-16-384-bit-interface-and-embedded-nand-in-2038