NEO เปิดตัวเทคโนโลยี 3D X-DRAM รองรับความจุสูงถึง 512GB NEO Semiconductor เปิดตัวเทคโนโลยี 3D X-DRAM ซึ่งเป็นแนวทางใหม่ในการออกแบบ DRAM สำหรับยุค AI และการประมวลผลประสิทธิภาพสูง โดยมีการพัฒนา สถาปัตยกรรมแบบซ้อนชั้นที่ช่วยเพิ่มความเร็วและลดการใช้พลังงาน 🔍 รายละเอียดสำคัญเกี่ยวกับ 3D X-DRAM ✅ ใช้สถาปัตยกรรมแบบซ้อนชั้นคล้ายกับ 3D NAND - ช่วยให้ สามารถเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้มากขึ้น ✅ รองรับความจุสูงสุดถึง 512GB ต่อโมดูล - เปรียบเทียบกับ DRAM แบบดั้งเดิมที่มีความจุสูงสุดเพียง 48GB ✅ NEO กำลังพัฒนาเวอร์ชัน 1T0C และ 1T1C โดยคาดว่าจะเปิดตัวในปี 2026 - 1T1C ใช้ IGZO transistors และ cylindrical high-k dielectric capacitors เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ ✅ เทคโนโลยีนี้ช่วยลด parasitic capacitance และเพิ่ม retention time ได้ถึง 450 วินาที - ทำให้ สามารถรองรับการซ้อนชั้นได้ถึง 128 ชั้น ✅ ออกแบบมาเพื่อรองรับ AI และระบบประมวลผลระดับองค์กร - คาดว่า จะถูกนำไปใช้ในเซิร์ฟเวอร์ AI มากกว่าคอมพิวเตอร์ทั่วไป https://www.techradar.com/pro/3d-x-dram-technology-will-bring-bigger-faster-memory-by-2026-but-theres-no-way-these-512-gb-modules-will-sell-to-consumers