Samsung เตรียมใช้ Hybrid Bonding ใน HBM4: เทคโนโลยีใหม่ที่อาจเปลี่ยนตลาดหน่วยความจำ Samsung ได้ประกาศแผนการใช้ Hybrid Bonding ใน HBM4 (High-Bandwidth Memory 4) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพด้าน ความเร็ว, การใช้พลังงาน และการจัดการความร้อน โดยเทคโนโลยีนี้ช่วยให้สามารถ เชื่อมต่อชิปหน่วยความจำโดยตรงโดยไม่ต้องใช้ microbumps ซึ่งเป็นข้อจำกัดของ HBM รุ่นก่อน ๆ ✅ Hybrid Bonding ช่วยให้สามารถเชื่อมต่อชิปหน่วยความจำโดยตรง - ใช้ การเชื่อมต่อแบบ copper-to-copper และ oxide-to-oxide - ลด ความต้านทานและความจุไฟฟ้า ทำให้ ประสิทธิภาพสูงขึ้น ✅ ช่วยให้ HBM4 มีความหนาแน่นสูงขึ้นและมีการจัดการความร้อนที่ดีขึ้น - รองรับ interconnect pitch ต่ำกว่า 10 µm - ทำให้ HBM4 มีขนาดบางลงและมีประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้น ✅ Samsung เป็นผู้ผลิตรายแรกที่ใช้ Hybrid Bonding ใน HBM4 - คู่แข่งอย่าง SK hynix อาจใช้เทคนิค MR-MUF แทน ✅ HBM4 จะมีความสูงแพ็กเกจสูงสุด 775 µm ตามมาตรฐาน JEDEC - ซึ่งบางกว่ารุ่นก่อนหน้า HBM3E ที่มีความสูง 800 µm ✅ Samsung อาจเริ่มผลิต HBM4 แบบ Hybrid Bonding ในปี 2026 - คาดว่า จะช่วยให้ Samsung แข่งขันกับ SK hynix และ Micron ได้ดีขึ้น https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/samsung-to-adopt-hybrid-bonding-for-hbm4-memory