NEO Semiconductor เปิดตัว 3D X-DRAM ที่มีความจุสูงกว่าหน่วยความจำ DRAM ปัจจุบันถึง 10 เท่า NEO Semiconductor ได้เปิดตัว เทคโนโลยี 3D X-DRAM ซึ่งเป็น หน่วยความจำที่สามารถเพิ่มความจุได้สูงถึง 512 Gb ต่อโมดูล โดยใช้ กระบวนการผลิตแบบ 3D-NAND ที่ปรับแต่งใหม่ เทคโนโลยีใหม่นี้ประกอบด้วย สองดีไซน์หลัก ได้แก่ 1T1C และ 3T0C ซึ่งใช้ วัสดุ Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) ที่ช่วยให้สามารถ สร้างโครงสร้างแบบ 3D ที่มีประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานต่ำ ✅ 3D X-DRAM มีความจุสูงกว่าหน่วยความจำ DRAM ปัจจุบันถึง 10 เท่า - สามารถ เก็บข้อมูลได้สูงถึง 512 Gb (64 GB) ต่อโมดูล - ใช้ กระบวนการผลิตแบบ 3D-NAND ที่ปรับแต่งใหม่ ✅ มีสองดีไซน์หลัก ได้แก่ 1T1C และ 3T0C - 1T1C ใช้ ทรานซิสเตอร์หนึ่งตัวและตัวเก็บประจุหนึ่งตัว - 3T0C ใช้ ทรานซิสเตอร์สามตัวโดยไม่มีตัวเก็บประจุ ✅ ใช้วัสดุ Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ - IGZO เป็น วัสดุที่ใช้ในเทคโนโลยีจอแสดงผล - ช่วยให้ สามารถสร้างโครงสร้างแบบ 3D ที่มีประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานต่ำ ✅ NEO Semiconductor คาดว่าจะผลิตชิปต้นแบบในปี 2026 - มีแผน นำเสนอรายละเอียดเพิ่มเติมที่ IEEE IMW ในเดือนนี้ ✅ เทคโนโลยีนี้อาจเป็นก้าวสำคัญในการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ - สามารถ แข่งขันกับเทคโนโลยี DRAM+ ที่ใช้ FeRAM และ DRAM แบบมาตรฐานที่พัฒนาโดย SK hynix https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/3d-x-dram-aims-for-10x-capacity-of-todays-memory-neo-semiconductors-memory-has-up-to-512-gb-per-module