นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฟูดานในเซี่ยงไฮ้ ประเทศจีน ได้พัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบไม่ลบเลือน (Non-Volatile Memory) ที่เร็วที่สุดในโลก โดยใช้ชื่อว่า PoX (Phase-change Oxide) ซึ่งมีความเร็วในการเขียนข้อมูลถึง 400 พิโควินาที (ps) ซึ่งเร็วกว่าหน่วยความจำแบบ SRAM และ DRAM ที่ใช้ในปัจจุบัน เทคโนโลยีนี้ใช้ช่องกราฟีนสองมิติร่วมกับกลไกการฉีดพาหะร้อน (Hot-Carrier Injection) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการเร่งพาหะและการฉีดข้อมูล PoX ถูกออกแบบมาเพื่อแก้ปัญหาคอขวดในงานประมวลผล AI ที่ต้องการความเร็วสูงและการใช้พลังงานต่ำ โดยสามารถทำงานได้อย่างเสถียรถึง 5.5 ล้านรอบ และเก็บข้อมูลได้ยาวนานถึง 10 ปี ในการทดสอบจำลอง ทีมวิจัยยังวางแผนที่จะนำเทคโนโลยีนี้ไปใช้ในสมาร์ทโฟนและคอมพิวเตอร์ เพื่อแก้ปัญหาความล่าช้าและความร้อนที่เกิดจากเทคโนโลยีหน่วยความจำในปัจจุบัน ✅ ความเร็วและประสิทธิภาพ - ความเร็วในการเขียนข้อมูลถึง 400 พิโควินาที - ทำงานได้เสถียรถึง 5.5 ล้านรอบ และเก็บข้อมูลได้ยาวนานถึง 10 ปี ✅ การออกแบบและเทคโนโลยี - ใช้ช่องกราฟีนสองมิติและกลไกการฉีดพาหะร้อน - เพิ่มประสิทธิภาพการเร่งพาหะและการฉีดข้อมูล ✅ เป้าหมายของการพัฒนา - แก้ปัญหาคอขวดในงานประมวลผล AI - ลดความล่าช้าและความร้อนในหน่วยความจำ ✅ การนำไปใช้งานในอนาคต - วางแผนใช้ในสมาร์ทโฟนและคอมพิวเตอร์ https://www.techradar.com/pro/faster-than-sram-new-flash-memory-tech-from-china-is-millions-of-times-faster-than-nand-rivals-from-us-japan-or-korea-but-please-change-its-name