Intel ได้เปิดเผยรายละเอียดเกี่ยวกับ เทคโนโลยีการผลิต 18A ซึ่งเป็นกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่ล้ำหน้าที่สุดของบริษัท โดยมีการปรับปรุงด้าน ประสิทธิภาพ, การใช้พลังงาน และความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ เมื่อเทียบกับ Intel 3 เทคโนโลยีนี้ใช้ RibbonFET (GAA) และ PowerVia (BSPDN) ซึ่งช่วยให้การส่งพลังงานมีเสถียรภาพมากขึ้น และลดปัญหา voltage droop ที่เกิดขึ้นในชิปประสิทธิภาพสูง ✅ Intel 18A มีการปรับปรุงด้านความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์กว่า 30% - ใช้เทคโนโลยี RibbonFET (GAA) และ PowerVia (BSPDN) - ช่วยให้สามารถออกแบบชิปที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นและใช้พื้นที่น้อยลง ✅ Intel 18A มีประสิทธิภาพสูงขึ้น 25% และใช้พลังงานน้อยลง 36% - ทดสอบบน Arm core sub-block ที่แรงดันไฟฟ้า 1.1V - ช่วยให้สามารถออกแบบชิปที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นและประหยัดพลังงาน ✅ Intel 18A มีความสามารถในการแข่งขันกับ TSMC N2 - มีความหนาแน่นของ SRAM เทียบเท่ากับกระบวนการผลิต N2 ของ TSMC - แสดงให้เห็นว่า Intel สามารถแข่งขันกับผู้ผลิตชิปชั้นนำของโลกได้ ✅ Intel 18A จะถูกนำไปใช้ในชิป Panther Lake และ Xeon "Clearwater Forest" - คาดว่าจะเริ่มใช้งานในผลิตภัณฑ์จริงภายในปี 2026 https://www.tomshardware.com/tech-industry/intel-details-next-gen-18a-fab-tech-significantly-more-performance-lower-power-higher-density