นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฟู่ตั้นในจีนได้เปิดตัว Poxiao หรือ Dawn ซึ่งเป็นหน่วยความจำแฟลชที่เร็วที่สุดในโลก โดยสามารถลบและเขียนข้อมูลได้ในเวลาเพียง 400 พิโควินาที ซึ่งเร็วกว่าหน่วยความจำแฟลชทั่วไปถึง 100,000 เท่า การพัฒนานี้อาจเปลี่ยนแปลงโครงสร้างการจัดเก็บข้อมูลและการประมวลผลในอนาคต ✅ Poxiao เป็นหน่วยความจำแฟลชที่เร็วที่สุดในโลก - สามารถลบและเขียนข้อมูลได้ในเวลา 400 พิโควินาที - เร็วกว่าหน่วยความจำแฟลชทั่วไปถึง 100,000 เท่า ✅ การพัฒนานี้ใช้ทฤษฎีใหม่ที่เรียกว่า 2D-enhanced hot-carrier injection - ทฤษฎีนี้ช่วยให้ อิเล็กตรอนเปลี่ยนจากสถานะความเร็วต่ำไปยังความเร็วสูงโดยไม่ต้องผ่านกระบวนการวอร์มอัพ - ทฤษฎีนี้ช่วยให้หน่วยความจำแฟลชมีความเร็วเทียบเท่ากับหน่วยความจำแบบ SRAM ✅ Poxiao อาจเปลี่ยนแปลงโครงสร้างการจัดเก็บข้อมูลในอนาคต - อาจช่วยให้คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลไม่ต้องแยกหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล - อาจช่วยให้การประมวลผล AI ขนาดใหญ่สามารถทำงานได้ในระดับท้องถิ่น ✅ ทีมวิจัยเริ่มต้นการพัฒนาในปี 2015 และมีเป้าหมายที่จะผลิตในระดับเมกะไบต์ภายใน 5 ปี - หน่วยความจำแฟลชนี้มีขนาดช่องทาง 8 นาโนเมตร ซึ่งเล็กกว่าขีดจำกัดของหน่วยความจำแฟลชที่ใช้ซิลิคอนทั่วไป https://www.thestar.com.my/tech/tech-news/2025/04/18/china-unveils-worlds-fastest-hard-drive-is-poxiao-the-dawn-of-new-flash-memory