เทคโนโลยีหน่วยความจำกำลังเข้าสู่ยุคใหม่ด้วยการเปิดตัว DRAM+ ซึ่งพัฒนาร่วมกันโดย Ferroelectric Memory Co. (FMC) และ Neumonda โดยใช้วัสดุที่เป็นนวัตกรรมอย่าง hafnium oxide (HfO₂) เพื่อผสมผสานคุณสมบัติความเร็วสูงแบบ DRAM กับการเก็บข้อมูลแบบ SSD (non-volatile) ✅ ประสิทธิภาพสูงพร้อมการประหยัดพลังงาน: - วัสดุ hafnium oxide ทำให้ DRAM+ สามารถ รักษาข้อมูลได้แม้ไม่มีพลังงาน ซึ่งแตกต่างจาก DRAM แบบเดิมที่ต้องใช้พลังงานต่อเนื่อง ✅ ความจุสูงและเหมาะกับการใช้งานหลากหลาย: - DRAM+ FeRAM รองรับการใช้งานตั้งแต่ปัญญาประดิษฐ์ (AI), อุตสาหกรรมยานยนต์, ไปจนถึงการแพทย์ ✅ เทคโนโลยีที่ปรับปรุงจากเดิม: - ก่อนหน้านี้ FeRAM ใช้ lead zirconate titanate (PZT) ซึ่งมีข้อจำกัดในเรื่องความจุและการลดขนาด แต่ HfO₂ ที่ใช้งานใน DRAM+ ใหม่สามารถ ทำงานกับชิปที่มีโครงสร้างเล็กกว่า 10nm และผสานกับกระบวนการผลิต CMOS ได้อย่างสมบูรณ์ ✅ FMC: เป็นผู้นำในการใช้คุณสมบัติ ferroelectric effect ของ HfO₂ เพื่อสร้างหน่วยความจำที่ลดการใช้พลังงาน พร้อมกับให้ประสิทธิภาพสูง ✅ Neumonda: นำเทคโนโลยีทดสอบหน่วยความจำ เช่น Rhinoe, Octopus, และ Raptor มาปรับปรุงการพัฒนาผลิตภัณฑ์โดยเน้นการลดต้นทุนและเพิ่มความแม่นยำ https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/dram-memory-designed-to-provide-dram-performance-with-ssd-like-storage-capabilities-uses-feram-tech