TSMC กำลังเตรียมอุปกรณ์สำหรับ การทดลองผลิตชิป 1.4 nm ที่โรงงาน P2 Baoshan โดยแผนนี้เป็นการต่อยอดจาก 2 nm ที่กำลังเข้าสู่ Mass Production ในปี 2025 มีการคาดการณ์ว่า โรงงาน P3 และ P4 จะเข้าร่วมการผลิตเต็มรูปแบบภายในปี 2027 และ P1 อาจเริ่มการผลิตทดสอบได้ในปี 2027 ขณะที่ Intel และ Samsung กำลังเร่งพัฒนา 14A และ SF2/SF3P เพื่อต่อกรกับ N2 และ 1.4 nm ของ TSMC ✅ P2 Baoshan จะเป็นศูนย์กลางการทดลองผลิตก่อนขยายไปยัง P3 และ P4 - TSMC วางแผนใช้ โรงงาน Fab 20 ใน Baoshan สำหรับการพัฒนาเทคโนโลยี 1.4 nm - แหล่งข่าวระบุว่า โรงงาน P3 และ P4 อาจเข้าร่วมการผลิตเต็มรูปแบบภายในปี 2027 ✅ TSMC เร่งพัฒนา 2 nm พร้อมเตรียมขยายไปสู่ 1.4 nm - กระบวนการผลิต 2 nm (N2) กำลังจะเข้าสู่ Mass Production ในครึ่งหลังของปี 2025 - การทดลองผลิต 1.4 nm จะเป็นการต่อยอดจาก N2 และขยายไปยังโรงงานอื่น ๆ ในอนาคต ✅ โรงงาน Fab 25 อาจมีส่วนร่วมในการทดลองผลิต 1.4 nm ด้วย - รายงานระบุว่า Fab 25 ใน Central Taiwan Science Park อาจเข้าร่วมโครงการนี้ - มีการคาดการณ์ว่า 4 โรงงานจะทำงานร่วมกันในการพัฒนาชิป 1.4 nm ✅ แหล่งข่าวคาดว่า "P1" จะเริ่มการผลิตทดสอบภายในปี 2027 - ตามข้อมูลของ TrendForce กระบวนการ Risk Trial Production ของ P1 จะเริ่มในปี 2027 - อาจมีการผลิตเต็มรูปแบบในปีถัดไป เพื่อเข้าสู่ตลาดในปี 2028 ✅ การแข่งขันในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เข้มข้นขึ้น - Intel และ Samsung กำลังพัฒนา 14A และ SF2/SF3P เพื่อต่อกรกับ N2 และ 1.4 nm ของ TSMC - นักวิเคราะห์จาก TechInsights คาดว่า N2 ของ TSMC จะมีความหนาแน่นทรานซิสเตอร์สูงกว่าคู่แข่ง - อัตรา High-Density (HD) Cell Density ของ N2 สูงถึง 313 MTr/mm² ขณะที่ Intel 18A มี 238 MTr/mm² และ Samsung SF2/SF3P อยู่ที่ 231 MTr/mm² https://www.techpowerup.com/334931/tsmc-reportedly-preparing-new-equipment-for-1-4-nm-trial-run-at-p2-baoshan-plant