ทีมวิจัยของมหาวิทยาลัยปักกิ่ง ที่ได้พัฒนา ทรานซิสเตอร์ GAAFET แบบ 2 มิติที่ไม่ใช้ซิลิคอน เป็นครั้งแรกในโลก โดยใช้วัสดุ บิสมัทออกซีซีลีไนด์ (Bi₂O₂Se) ซึ่งถือเป็นนวัตกรรมที่สำคัญมากในยุคโพสต์ซิลิคอนและการพัฒนาเทคโนโลยีระดับแองสตรอม ทรานซิสเตอร์ที่พัฒนาขึ้นนี้มีการออกแบบแบบ Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET) ซึ่งเป็นรุ่นล่าสุดที่เหนือกว่าเทคโนโลยี MOSFET และ FINFET โดยโครงสร้างแบบนี้ช่วยให้การควบคุมการสื่อสารระหว่าง source และ gate มีประสิทธิภาพสูงขึ้นอย่างมาก และการเปลี่ยนมาใช้วัสดุ 2 มิติอย่าง Bi₂O₂Se ยังช่วยแก้ปัญหาความสามารถในการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนที่ลดลงเมื่อเข้าสู่ระดับนาโนเมตร ทีมวิจัยระบุว่าทรานซิสเตอร์นี้เป็นการเปลี่ยนแนวทางอย่างสิ้นเชิง (หรือที่เรียกว่าการ "เปลี่ยนเลน") จากการพัฒนาเทคโนโลยีเดิม ๆ ที่ใช้ซิลิคอน โดยพวกเขาได้ทดสอบประสิทธิภาพของเทคโนโลยีนี้ และพบว่าสามารถทำงานได้ดีกว่าผลิตภัณฑ์จาก Intel, TSMC และ Samsung ในเงื่อนไขการทำงานเดียวกัน ความก้าวหน้านี้มีความสำคัญมากสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศจีน ซึ่งกำลังเผชิญหน้ากับข้อจำกัดทางเทคโนโลยีจากสงครามการค้าระหว่างจีน-สหรัฐฯ เนื่องจากถูกตัดขาดจากเครื่องมือผลิตที่สำคัญ เช่น ระบบ EUV lithography ทีมวิจัยจึงมุ่งเน้นพัฒนาเทคโนโลยีที่ช่วยให้จีนก้าวข้ามอุปสรรคในปัจจุบันไปยังจุดที่เหนือกว่าด้วยทรานซิสเตอร์แบบ 2 มิติที่มีศักยภาพมากขึ้น การพัฒนานี้อาจเป็นก้าวแรกของการปฏิวัติในวงการเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะสำหรับชิปที่มีระดับการผลิตต่ำกว่า 1 นาโนเมตร ซึ่งเทคโนโลยีนี้อาจนำมาประยุกต์ใช้ในอุปกรณ์ขั้นสูง เช่น AI และ IoT เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและความยั่งยืนในการใช้พลังงาน https://www.tomshardware.com/pc-components/cpus/chinese-university-designed-worlds-first-silicon-free-2d-gaafet-transistor-new-bismuth-based-tech-is-both-the-fastest-and-lowest-power-transistor-yet