จีนกำลังก้าวเข้าสู่วงการ EUV Lithography (Extreme Ultraviolet Lithography) ด้วยการพัฒนาอุปกรณ์ที่ใช้เทคโนโลยีแสงเลเซอร์แบบ LDP (Laser-Induced Discharge Plasma) ซึ่งกำลังทดสอบที่โรงงานของ Huawei ในเมืองตงกวน โดยเป้าหมายคือการเริ่มการผลิตเชิงทดลองในไตรมาส 3 ปี 2025 และผลิตในเชิงพาณิชย์ได้ในปี 2026 อุปกรณ์นี้อาจทำให้จีนหลุดพ้นจากการพึ่งพาผู้ผลิตในต่างประเทศ เช่น ASML ที่ครองตลาดด้านเทคโนโลยีนี้มาอย่างยาวนาน = วิธีการทำงานของ LDP และข้อได้เปรียบ = 1) การสร้างแสง EUV: แสง EUV ที่ความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตรถูกผลิตขึ้นโดยการระเหยดีบุกให้กลายเป็นพลาสมา ผ่านกระบวนการปล่อยประจุไฟฟ้าแรงสูง วิธีนี้ต่างจากเทคนิค LPP (Laser-Produced Plasma) ของ ASML ที่ใช้เลเซอร์พลังงานสูงและระบบควบคุมซับซ้อน 2) ข้อได้เปรียบของ LDP: - โครงสร้างเครื่องจักรเรียบง่ายกว่า - ใช้พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น - ลดต้นทุนการผลิตในระยะยาว = ความสำคัญในบริบทการคว่ำบาตร = ก่อนหน้านี้ จีนประสบปัญหาในการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง เนื่องจากถูกจำกัดการส่งออกอุปกรณ์ EUV จากสหรัฐฯ และพันธมิตร ทำให้การพัฒนาชิปต้องใช้เทคนิค DUV (Deep Ultraviolet) ที่มีข้อจำกัด เช่น การใช้ความยาวคลื่นที่ใหญ่กว่า (193 นาโนเมตร) และการทำการแพทเทิร์นหลายครั้ง (Multi-patterning) ซึ่งเพิ่มความซับซ้อนและต้นทุน แต่เทคโนโลยี LDP ของ Huawei นี้อาจช่วยยกระดับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของจีนได้อย่างมหาศาล อย่างไรก็ตาม มีความท้าทายที่สำคัญ: - ความสามารถในการสร้างภาพที่คมชัดและละเอียดเพียงพอ - ความคงที่ของระบบในกระบวนการผลิตจำนวนมาก - การรวมอุปกรณ์นี้เข้ากับสายการผลิตที่มีอยู่ได้อย่างมีประสิทธิภาพ หากอุปกรณ์ของ Huawei สามารถก้าวข้ามข้อจำกัดเหล่านี้ได้ จีนอาจกลายเป็นผู้เล่นสำคัญในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ระดับโลก และลดอิทธิพลของ ASML ในตลาดนี้ได้อย่างมีนัยสำคัญ ซึ่งเทคโนโลยีนี้อาจเป็น "DeepSeek Moment" ที่จะปฏิวัติวงการการผลิตชิปในประเทศจีน https://www.techpowerup.com/333801/china-develops-domestic-euv-tool-asml-monopoly-in-trouble