บริษัท Micron Technology ได้ประกาศความสำเร็จในการส่งตัวอย่างหน่วยความจำ 1γ (1-gamma) DRAM รุ่นแรกในอุตสาหกรรม โดยใช้กระบวนการผลิตที่ใช้เทคโนโลยี EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) ซึ่งถือเป็นการก้าวกระโดดครั้งสำคัญในด้านการผลิตหน่วยความจำ DRAM ที่มีประสิทธิภาพสูง หน่วยความจำ 1γ DRAM ของ Micron ถูกออกแบบมาให้มีประสิทธิภาพสูง โดยมีความสามารถในการส่งข้อมูลสูงสุดถึง 9200 MT/s และลดการใช้พลังงานลงถึง 20% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า นอกจากนี้ยังมีความหนาแน่นของบิตสูงขึ้นถึง 30% ซึ่งทำให้สามารถผลิตหน่วยความจำในปริมาณมากได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น Scott DeBoer รองประธานบริหารและหัวหน้าเจ้าหน้าที่ด้านเทคโนโลยีและผลิตภัณฑ์ของ Micron กล่าวว่า "ความเชี่ยวชาญของ Micron ในการพัฒนาหน่วยความจำ DRAM ที่เป็นเอกลักษณ์ ร่วมกับการใช้เทคโนโลยี EUV ช่วยให้เราสามารถสร้างหน่วยความจำที่มีประสิทธิภาพสูงและมีความยั่งยืน" การเปลี่ยนมาใช้กระบวนการผลิต 1γ DRAM จะช่วยให้ Micron สามารถตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นในด้านการประมวลผลในอนาคต ไม่ว่าจะเป็นการใช้งานในศูนย์ข้อมูล (Data Center) อุปกรณ์ AI บน Edge คอมพิวเตอร์พีซีสมาร์ทโฟน และรถยนต์ นอกจากนี้ 1γ DRAM ยังมีการใช้งาน CMOS เทคโนโลยีใหม่ที่มีความสามารถสูง และมีการปรับปรุงการออกแบบเพื่อลดขนาดของฟีเจอร์ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและลดการใช้พลังงาน Micron ยังระบุว่าจะนำหน่วยความจำ 1γ DRAM นี้ไปใช้ในผลิตภัณฑ์หน่วยความจำประเภทอื่นๆ เช่น GDDR7, LPDDR5X และหน่วยความจำสำหรับศูนย์ข้อมูลในอนาคต https://www.techpowerup.com/333111/micron-announces-shipment-of-1g-1-gamma-dram-companys-first-euv-memory-node