ข่าวนี้กล่าวถึงการเปรียบเทียบเทคโนโลยีกระบวนการผลิตแบบ 18A ของ Intel และแบบ N2 ของ TSMC โดยที่แต่ละแห่งมีข้อดีและข้อเสียแตกต่างกันไป Intel และ TSMC ได้เปิดเผยรายละเอียดเกี่ยวกับกระบวนการผลิตแบบ 18A (1.8nm-class) และ N2 (2nm-class) ที่งานประชุม International Electronic Devices Meeting (IEDM) ซึ่งจากการวิเคราะห์ของ TechInsights พบว่า กระบวนการผลิตแบบ 18A ของ Intel จะมีประสิทธิภาพการทำงานที่สูงกว่า ขณะที่กระบวนการผลิตแบบ N2 ของ TSMC จะมีความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์สูงกว่า จากข้อมูลที่เปิดเผย TSMC มีความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์สูงถึง 313 MTr/mm² ซึ่งมากกว่า Intel (238 MTr/mm²) และ Samsung (231 MTr/mm²) แต่อย่างไรก็ตาม ข้อมูลนี้เกี่ยวข้องกับ HD standard cells เท่านั้น โดยที่ในความเป็นจริง โปรเซสเซอร์ที่ใช้งานในปัจจุบันใช้เซลล์มาตรฐานหลากหลายประเภท เช่น HD, HP และ LP standard cells นอกจากนี้ยังมีเทคโนโลยีอย่าง TSMC's FinFlex และ NanoFlex ที่ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพ สำหรับประสิทธิภาพการทำงาน TechInsights เชื่อว่ากระบวนการ 18A ของ Intel จะมีประสิทธิภาพสูงกว่า N2 ของ TSMC และ SF2 ของ Samsung แต่การเปรียบเทียบนี้อาจไม่แม่นยำ เนื่องจากใช้ข้อมูลจากกระบวนการก่อนหน้าเป็นฐานในการคำนวณ เมื่อพูดถึงการใช้พลังงาน TechInsights คาดว่า ชิปที่ใช้กระบวนการ N2 จะใช้พลังงานน้อยกว่าชิปที่ใช้กระบวนการ SF2 ของ Samsung สิ่งที่น่าสนใจคือ กระบวนการ 18A ของ Intel มีฟีเจอร์ PowerVia ซึ่งเป็นเครือข่ายส่งพลังงานด้านหลัง ซึ่งอาจช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์มากกว่า TSMC's N2 แต่ไม่ใช่ทุกชิปที่ใช้กระบวนการ 18A จะมีฟีเจอร์นี้ https://www.tomshardware.com/tech-industry/intels-18a-and-tsmcs-n2-process-nodes-compared-intel-is-faster-but-tsmc-is-denser