นักวิทยาศาสตร์ประสบความสำเร็จครั้งใหญ่ในเทคโนโลยีการเก็บข้อมูล โดยพวกเขาสามารถพัฒนากระบวนการผลิตหน่วยความจำ 3D NAND Flash ให้มีประสิทธิภาพมากขึ้น โดยหน่วยความจำประเภทนี้จะเรียงเซลล์ความจำซ้อนกันเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูล ทีมนักวิจัยจาก Lam Research, University of Colorado Boulder และ Princeton Plasma Physics Lab ได้คิดค้นวิธีการกัดเซาะ (etching) แบบใหม่โดยใช้พลาสมาของไฮโดรเจนฟลูออไรด์ วิธีการนี้สามารถเจาะช่องแนวตั้งผ่านวัสดุที่มีฐานเป็นซิลิคอนได้เร็วขึ้นถึงสองเท่า ด้วยความเร็ว 640 นาโนเมตรภายในเวลาหนึ่งนาที วิธีการนี้ไม่เพียงแต่เพิ่มความเร็วในการกัดเซาะ แต่ยังค้นพบว่าการผสมสารเคมีบางชนิด เช่น ฟอสฟอรัสไตรฟลูออไรด์ ช่วยให้กระบวนการกัดเซาะเร็วขึ้น อีกทั้งยังสามารถเพิ่มน้ำเพื่อแก้ปัญหาที่เกิดจากผลผลิตพลอยได้บางชนิดที่ทำให้กระบวนการช้าลง การพัฒนานี้สำคัญอย่างยิ่ง เนื่องจากความต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลเพิ่มขึ้นอย่างมากด้วยการใช้งานโปรแกรม AI ที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลมหาศาล วิธีการนี้เรียกว่า "Cryo etch" โดยใช้พลาสมาของไฮโดรเจนฟลูออไรด์ ซึ่งมีประสิทธิภาพสูงกว่าวิธีการก่อนหน้าที่ใช้แหล่งฟลูออรีนและไฮโดรเจนแยกกัน จากการวิจัยนี้เราสามารถบอกได้ว่าเทคโนโลยีการเก็บข้อมูลกำลังพัฒนาอย่างรวดเร็วเพื่อรองรับความต้องการที่เพิ่มขึ้นจากการใช้งานปัญญาประดิษฐ์ อีกทั้งยังมีการพัฒนากระบวนการผลิตใหม่ๆ ที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพในการเก็บข้อมูลได้มากขึ้น นับว่าเป็นก้าวสำคัญในวงการเทคโนโลยีการเก็บข้อมูล https://www.techpowerup.com/332081/plasma-technology-doubles-etch-rate-for-3d-nand-flash-memory